從事電(dian)源產品設(she)計的歷程(cheng)，感觸(chu)頗深，借(jie)著這篇文章主要想(xiang)總(zong)結(jie)一(yi)下這些年來(lai)自己在單(dan)端反激(ji)式開關(guan)電(dian)源設(she)計方面(mian)的一(yi)些經驗和技巧(qiao)，期(qi)間走了太多(duo)(duo)的彎路，也吸(xi)取了很多(duo)(duo)的教(jiao)訓，當然也仍(reng)然有(you)很多(duo)(duo)的不解(jie)，由于主題涉及的知(zhi)識面(mian)比(bi)較廣，內容(rong)篇幅也比(bi)較多(duo)(duo)，先來(lai)個框架，我們(men)大(da)家一(yi)起(qi)來(lai)一(yi)步(bu)一(yi)步(bu)學(xue)習反激(ji)式開關(guan)電(dian)源的設(she)計，歡(huan)迎大(da)家猛烈拍磚，如(ru)有(you)紕漏(lou)還(huan)請大(da)神們(men)指正~

★★★★★★★★一步一步精通單端反激式開關電源設計(ji)計(ji)算(suan)工具(ju)V1.8（持續優化中）★★★★★★★★（391樓)

■步(bu)驟1_確定應用需求（2樓）

_實(shi)例（139樓(lou)）

■步驟2_根據應用需(xu)求選擇反饋電(dian)路和偏置電(dian)壓（5樓(lou)）

_實例（140樓）

■步驟3_確定最小和(he)最大直(zhi)流輸入(ru)電壓VMIN和(he)VMAX，并(bing)基于輸入(ru)電壓和(he)PO選擇輸入(ru)存(cun)儲電容(rong)CIN的容(rong)量（6樓）

3.1、選擇輸入存儲電容CIN的容量

3.2、確定最(zui)小和最(zui)大直流輸(shu)入電(dian)壓VMIN和VMAX.

_實例（141樓）

■步驟4_輸入整流橋的選擇(ze)（8樓）

_實例（145樓）

■步驟5_確(que)定反射的輸出電壓(ya)VOR以(yi)及鉗位穩壓(ya)管電壓(ya)VCLO（9樓）

_實例（150樓(lou)）

■步驟6_對(dui)應相(xiang)應的(de)工作模(mo)式及電流波(bo)形(xing)設定(ding)電流波(bo)形(xing)參數KP：當(dang)(dang)KP≤1時(shi)(shi)，KP=KRP;當(dang)(dang)KP≥1時(shi)(shi)，KP=KDP（15樓）

_實例（151樓）

■步驟7_根(gen)據VMIN和VOR確定(ding)DMAX（16樓(lou)）

_實例（152樓）

■步驟(zou)8_計算初(chu)級(ji)峰值電(dian)(dian)流IP、輸入(ru)平均電(dian)(dian)流IAVG和初(chu)級(ji)RMS電(dian)(dian)流IRMS（17樓）

_實例(li)（153樓）

■步驟9_基于AC輸入電壓，VO、PO以(yi)及效率選定MOS管(guan)芯片（18樓(lou)）

_實例（154樓）

■步驟10_設定外部限流(liu)點降(jiang)低(di)的ILIMIT降(jiang)低(di)因數(shu)KI（19樓）

_實例（155樓(lou)）

■步驟(zou)11_通過IP和ILIMIT的比較驗證MOS芯片選擇(ze)的正確性（20樓）

_實例（156樓）

■步驟12_計算功率開關管(guan)熱阻(zu)選擇散熱片(pian)(pian)驗證(zheng)MOS芯(xin)片(pian)(pian)選擇的(de)正(zheng)確(que)性(xing)（21樓(lou)）

_實例（157樓）

■步驟13_計算初級電感量LP（22樓）

_實例（158樓）

■步驟14_選擇磁芯和(he)骨(gu)架，再(zai)從(cong)磁芯和(he)骨(gu)架的數據手冊中得(de)到Ae，le，AL，和(he)BW的參(can)考(kao)值（28樓）

_實(shi)例(li)（159樓(lou)）

■步驟15_根(gen)據初級電感量大小(xiao)以及磁芯參數計(ji)算初級繞組圈數NP（31樓）

_實例（162樓）

■步驟(zou)16_計算次(ci)級繞組圈數NS以及偏置繞組圈數NB（32樓）

_實例（163樓）

■步驟17_確定初(chu)級繞組線(xian)徑(jing)參(can)數OD、DIA、AWG（33樓(lou)）

_實(shi)例(li)（166樓）

■步驟(zou)18_步驟(zou)23-檢查BM、CMA以及Lg。如果有必要可以通過改變L、NP或NS或磁芯/骨架(jia)的(de)方法對其進行(xing)迭代(dai)，直到滿足(zu)規定的(de)范圍(wei)（34樓(lou)）

_實(shi)例（167樓）

■步驟(zou)24 –確認BP≤4200高(gao)斯(si)。如有必(bi)要，減小限流點(dian)降低因數KI（35樓） 

_實例（179樓）

■步驟(zou)25 –計算次級峰(feng)值(zhi)電(dian)流(liu)ISP（36樓）

_實例（180樓）

■步驟26 –計(ji)算次級RMS電(dian)流ISRMS（45樓）

_實例(li)（181樓）

■步驟27 –確定(ding)次級繞組線徑參數ODS、DIAS、AWGS（48樓）

_實例（182樓）

■步驟(zou)28 –確定(ding)輸出電容的紋波電流IRIPPLE（49樓）

_實例（184樓）

■步驟29 –確定次級(ji)及(ji)偏(pian)置繞組的最大(da)峰(feng)值(zhi)反向電壓PIVS,PIVB（50樓）

_實例（185樓）

■步驟30 –根據VR和ID選(xuan)擇輸出整(zheng)流管（51樓）

_實例（186樓）

■步驟(zou)31 –輸出電容的(de)選擇（66樓）

_實例（188樓）

■步驟32 –后級濾波器(qi)電感L和電容C的選擇（70樓）

_實例（189樓(lou)）

■步驟33 –從表10選(xuan)擇偏置繞組的(de)整流管（83樓）

_實例（190樓(lou)）

■步驟34 –偏置繞組電容的選擇（85樓）

_實例（191樓）

■步驟35 –控(kong)制(zhi)極引腳(jiao)電(dian)容及串聯電(dian)阻的選擇(ze)（86樓）

_實例（192樓）

■步驟36 –根據圖(tu)3、4、5及(ji)6中所示的(de)(de)參考(kao)反(fan)饋電路(lu)的(de)(de)類型(xing)，選用相(xiang)應的(de)(de)反(fan)饋電路(lu)元件（88樓）

_實例（193樓）

■步驟37 –環路(lu)動態補償設計，以TOP-GX系列芯片為(wei)例(li)

37.1 、TL431工作條件分析(xi)（95樓）

37.2 、零極(ji)點基礎知識（96樓）

37.3 、TOPSWITCH控制環(huan)路分析(xi)基礎知識（98樓）

37.4 、TOPSWITCH控制環(huan)路分析（100樓）

■一步一步精通單端反激式開關電源設計(ji)計(ji)算工具(ju)V1.1與PI EXPERT設計(ji)結果(guo)驗證對比(bi)報(bao)告（312~313樓）

*電(dian)路調試問(wen)題(ti)總結

一、解決MOS管溫(wen)升(sheng)過高問題（202樓）

二、解決(jue)輸(shu)出整流管(guan)溫升過高問(wen)題（210樓）

三、解(jie)決上(shang)電時輸出過沖(chong)幅(fu)度(du)太大的問(wen)題（211樓）

四(si)、解(jie)決(jue)輸出電壓100HZ工頻(pin)紋波太大的(de)問題(ti)（212樓）

五、解決高頻變壓器溫升(sheng)過(guo)高問題(ti)（215樓）

六、提高開(kai)關電源效率問(wen)題（216樓(lou)）

七、解(jie)決變壓器高頻嘯叫問題（220樓）

八、以初級峰值電(dian)流為(wei)例(li)驗證(zheng)設計(ji)裕(yu)量的重要性（226樓）

九、關于SOT-23封裝和TO-92封裝TL431使用心得（232樓）

十、最(zui)壞條件(jian)測(ce)試(shi)一——最(zui)大漏極電壓（233樓）

 十一、最(zui)壞條件測(ce)試二——最(zui)大漏極電流（234樓(lou)）

十二、最壞條件測試三——主(zhu)要功率(lv)元件熱檢查（235樓）

十三、對(dui)制成(cheng)成(cheng)品后的(de)開關電源板(ban)進行三防漆噴漆工藝處(chu)理（272樓）

十四(si)、關于變(bian)壓器開氣(qi)隙(xi)位置的建(jian)議（275樓）

十五、關(guan)于變壓器(qi)開氣隙方(fang)式的建(jian)議（276樓）

十六、關于匝(za)比不變的情況下增加和減少(shao)變壓器匝(za)數的影響（284樓）

十七(qi)、從開關應力角度深(shen)入理(li)解反射(she)電壓(ya)VOR的選擇(ze)范圍（290樓）

十八(ba)、關于工程上(shang)磁芯開氣隙的大小建(jian)議（293樓）

十九、關(guan)于峰值磁通密度(du)驗(yan)證時的大小建議(yi)（295樓）

二十、關(guan)于計算繞組匝數時使用的(de)最大(da)交流工作(zuo)磁通密度BM和最后設計驗證時驗證的(de)BM的(de)關(guan)系（296樓(lou)）

二十一、關于選用繞(rao)(rao)組線(xian)徑(jing)大小和繞(rao)(rao)組股(gu)數層數的(de)建議（308樓）

二十二、關于計(ji)算初級繞組電感量時(shi)使用儲能方(fang)程(cheng)式(shi)還(huan)是脈(mo)動電流方(fang)程(cheng)式(shi)的問題（360樓）

二(er)十三(san)、輸出(chu)二(er)極管RC吸收電路的參數設計（待(dai)驗證(zheng)）（399樓(lou)） 

*PCB LAYOUT幾點注意(yi)事(shi)項

PCB LAYOUT技巧一(yi)：關于浪涌防護電路（237樓）

PCB LAYOUT技巧二(er)：關于L和N走線層的(de)建議（238樓）

PCB LAYOUT技巧三(san)：關于散熱(re)片下方(fang)走線時建議(yi)打(da)白油(you)處理（241樓）

 PCB LAYOUT技(ji)巧四：關(guan)于用多個元件串并聯代替單個元件的建議（245樓）

PCB LAYOUT技(ji)巧(qiao)五(wu)：建議(yi)設(she)計(ji)時預留關鍵(jian)測量信號(hao)的測試點（246樓）

 PCB LAYOUT技巧六：建議(yi)通用(yong)件至少預(yu)留兩種(zhong)通用(yong)封裝（251樓）

PCB LAYOUT技巧七：對(dui)絕緣耐壓有要求的(de)場合(he)或大的(de)功率元件下方PCB板(ban)建議間隔(ge)性開孔處理（270樓）

PCB LAYOUT技巧八：正確選擇單(dan)點接地(di)（271樓）

*電氣(qi)參數測量(liang)注意事項

一(yi)、MOSFET開(kai)關管漏極電(dian)壓的測量（252樓）

二、測(ce)量整流橋(qiao)輸出電壓(ya)（253樓）

三、測量(liang)電(dian)源效率的測量(liang)方法（254樓）

四、主要功率元件溫(wen)升的測量（256樓(lou)）

五、輸(shu)出紋波測試注意事項（258樓）

六(liu)、輸出電(dian)壓上升/下(xia)降時間測(ce)試(shi)注(zhu)意事項(xiang)（262樓）

*實(shi)例常規性能測試結果

一(yi)、實例(li)功率(lv)因素、效率(lv)和(he)能效測試(shi)結果(guo)（259樓）

二、實例輸出紋波測試(shi)結(jie)果（260樓）

三、實例輸出電壓上升/下(xia)降時間測試結果(guo)（261樓(lou)）

四、實例輸出過沖幅度測試(shi)結果（263樓）

五、實例MOS開關管漏極、柵極工作波形(xing)測試結(jie)果（264樓）

六、實例(li)輸出過流保護測試結果（265樓）

七、實例輸出短(duan)路保(bao)護(hu)測(ce)試結(jie)果（266樓）

八、實例負載調整(zheng)率測試(shi)結果（269樓）

※附件(jian)1—— 《一(yi)步一(yi)步精通單端反激式開關電(dian)源設計》WORD版(ban)（119樓）

※附件2—— 實例講(jiang)解原理圖（SCH）設計源(yuan)文件（194樓）

※附(fu)件3——TDK磁性材料與骨(gu)架參考資料（183樓）

※備注1—— 關于散熱片熱阻和面積的簡單關系（122樓）

※備注2——波特圖(tu)繪制軟件MATHCAD15下載鏈接(jie)（277樓）

※備注3——很好(hao)的開關電源(yuan)入(ru)門軟件PIExpertSuiteSetup64下載鏈接（278樓）

步驟1_確定應用需求。

首先在設計之(zhi)前(qian)需要簡單的了解下單端反激式開(kai)關(guan)電源需要確定哪些(xie)應用及設計需求：

 1.1、流輸入最(zui)小電壓：VACMIN，單位(wei)V；交(jiao)流輸入最(zui)大電壓：VACMAX，單位(wei)V

交流輸入電(dian)(dian)壓大小(xiao)主要受限于國家(jia)電(dian)(dian)網單(dan)相市電(dian)(dian)輸出標(biao)準(zhun)，常見的交流電(dian)(dian)壓輸入范(fan)圍有：

1.2、交(jiao)流輸入電壓(ya)頻率：FL，單位HZ

50HZ或者60HZ，詳細信(xin)息可(ke)百度(du)下(xia)世界電網頻率表即可(ke)。本例設計取50HZ

1.3、開關頻率：FS，單位KHZ

大于(yu)20KHZ，常用50KHZ~200KHZ，具體由開關芯片決(jue)定。

1.4、輸出電壓：Vo，單位V

取決(jue)于用(yong)戶應用(yong)需求，主要由負載工作(zuo)電壓決(jue)定(ding)

1.5、輸出電流：IO，單(dan)位A

取決(jue)于用戶應用需求，主要由(you)負載工作電流決(jue)定

1.6、電源效率：η

低電壓（5V以下）輸出時，效率可(ke)取(qu)75%；

中(zhong)等(deng)電壓（5V到(dao)12V之間）輸出時，可選80%；

高壓（12V以上）輸出時，效率可取85%；

可(ke)參考開關芯(xin)片廠(chang)商數據手冊建議，如(ru)果沒有更好(hao)的參考依據，可(ke)以使用(yong)80%~85%

1.7、負載調整率：SI

參(can)考開關(guan)芯片(pian)產品規格書，例(li)PI公司的TOP246Y提(ti)供4重負載(zai)調整率：±10%，±2.5%，±1%，±0.2%

1.8、損耗分(fen)配因子：Z

如(ru)果(guo)Z = 1，說明(ming)所有(you)損耗都在次級側。如(ru)果(guo)Z = 0，說明(ming)所有(you)損耗都在初級側。如(ru)果(guo)沒有(you)更好(hao)的參考數據，可以使用Z = 0.5。

1.9、空載(zai)功率損(sun)耗：P_NO_LOAD，單位MW

可參(can)考(kao)開關芯(xin)片廠(chang)商數據手(shou)冊建議。

1.10、輸出紋波(bo)電(dian)壓：VRIPPLE，單位MV

小于(yu)200MV，具體大(da)小取決于(yu)用戶實際需求和該(gai)開(kai)關(guan)電源具體的應用領域。

白天出去轉(zhuan)轉(zhuan)，晚上回來繼續寫

步驟(zou)2_根據應用需求選擇反(fan)饋電(dian)路和(he)偏置(zhi)電(dian)壓

同(tong)樣以(yi)PI公司的TOP系列芯(xin)片為(wei)例(li)，其他品(pin)牌(pai)開關芯(xin)片的選取原則同(tong)樣可以(yi)基于此原則。首(shou)先(xian)解釋個名(ming)詞術語：

2.1、負載調整率

百(bai)度百(bai)科是這樣(yang)解釋的：

步驟3_確(que)定最小和(he)最大(da)直流(liu)輸入電壓VMIN和(he)VMAX，并基于輸入電壓和(he)PO選擇輸入存(cun)儲電容CIN的容量

3.1、選擇輸入存儲電容CIN的容量(liang)

⑴輸(shu)入濾波電容(rong)器(qi)容(rong)量的(de)選(xuan)擇（簡單(dan)估算）

為(wei)(wei)降低整流濾(lv)波(bo)器(qi)的(de)輸(shu)(shu)(shu)出紋(wen)波(bo)，輸(shu)(shu)(shu)入濾(lv)波(bo)電容(rong)器(qi)的(de)容(rong)量(liang)CI必須(xu)選的(de)合(he)適。令每單(dan)位輸(shu)(shu)(shu)出功(gong)率(W)所(suo)需輸(shu)(shu)(shu)入濾(lv)波(bo)電容(rong)器(qi)容(rong)量(liang)(μF)的(de)比例系數為(wei)(wei)k，當(dang)(dang)交流電壓u=85～265V時，應取k=(2～3)μF／W；當(dang)(dang)交流電壓u=230V(1±15％)時，應取k=1μF／W。輸(shu)(shu)(shu)入濾(lv)波(bo)電容(rong)器(qi)容(rong)量(liang)的(de)選擇方法詳(xiang)見附表l，Po為(wei)(wei)開關電源的(de)輸(shu)(shu)(shu)出功(gong)率。

⑵輸(shu)入濾波電容(rong)(rong)器(qi)容(rong)(rong)量的選擇（準確計算）

準確計(ji)算(suan)輸(shu)入濾(lv)波(bo)電容(rong)器容(rong)量(liang)的方法輸(shu)入濾(lv)波(bo)電容(rong)的容(rong)量(liang)是開關電源的一個(ge)重要參數。CI值(zhi)選得(de)(de)過(guo)低(di)(di)，會(hui)使UImin值(zhi)大(da)大(da)降低(di)(di)，而輸(shu)入脈動電壓UR卻升(sheng)高。但CI值(zhi)取得(de)(de)過(guo)高，會(hui)增加電容(rong)器成(cheng)本，而且對(dui)于提高UImin值(zhi)和降低(di)(di)脈動電壓的效果并不明顯。

① 對(dui)于(yu)正常輸(shu)(shu)(shu)入(ru)電(dian)(dian)壓范圍：輸(shu)(shu)(shu)入(ru)電(dian)(dian)壓為(wei)(wei)AC195-265V，那么(me)最(zui)低(di)輸(shu)(shu)(shu)入(ru)電(dian)(dian)壓為(wei)(wei)AC195V，在該輸(shu)(shu)(shu)入(ru)電(dian)(dian)壓的情況下，整流(liu)后(hou)輸(shu)(shu)(shu)出(chu)電(dian)(dian)壓峰值一(yi)般為(wei)(wei)195*√2=275V，輸(shu)(shu)(shu)入(ru)電(dian)(dian)容的選(xuan)擇一(yi)般根據整流(liu)后(hou)最(zui)低(di)輸(shu)(shu)(shu)出(chu)電(dian)(dian)壓來計(ji)算，如果我們考慮(lv)整流(liu)后(hou)最(zui)低(di)輸(shu)(shu)(shu)出(chu)電(dian)(dian)壓為(wei)(wei)240V，則有(you)

由(you)195×1.414sinwt=240，可(ke)以計算wt=61,可(ke)以計算出在單個脈動周(zhou)期內，

② 對于寬輸(shu)(shu)入電壓(ya)范(fan)圍：輸(shu)(shu)入電壓(ya)為(wei)AC85-265V，那么最低輸(shu)(shu)入電壓(ya)為(wei)AC85V，在(zai)(zai)該輸(shu)(shu)入電壓(ya)的情況(kuang)下，整(zheng)流后(hou)輸(shu)(shu)出電壓(ya)峰值一般為(wei)85*√2=120V，輸(shu)(shu)入電容(rong)的選(xuan)擇一般根據整(zheng)流后(hou)最低輸(shu)(shu)出電壓(ya)來計算(suan)，如果我們考慮整(zheng)流后(hou)最低輸(shu)(shu)出電壓(ya)為(wei)90V，則有由85×1.414sinwt=90，可以(yi)計算(suan)wt=49,可以(yi)計算(suan)出在(zai)(zai)單個脈動周期內，

③

綜上：設計(ji)合理(li)。

一般設計時，設定橋式整(zheng)流管連(lian)續(xu)導通時間tc = 3ms，則放電時間為(wei)7ms；

3.2、確定最小和(he)最大直流輸入(ru)電壓(ya)VMIN和(he)VMAX.

考慮到鋁電(dian)解電(dian)容(rong) 20%的(de)容(rong)量(liang)誤差和(he)(he)容(rong)量(liang)會(hui)隨著時間推移逐漸減少，根據上面計算再綜合考慮選擇(ze)合適的(de)電(dian)容(rong)容(rong)量(liang)后，就可(ke)以確定最(zui)小和(he)(he)最(zui)大直流輸(shu)入電(dian)壓VMIN和(he)(he)VMAX了，同理由以上公(gong)式(shi)2變形公(gong)式(shi)得：

步驟3_確定最(zui)(zui)小(xiao)和(he)最(zui)(zui)大直流輸(shu)(shu)入(ru)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)VMIN和(he)VMAX，并基于輸(shu)(shu)入(ru)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)和(he)PO選擇輸(shu)(shu)入(ru)存儲電(dian)(dian)容CIN的(de)容量_實例(li)：

3.1、選擇輸入存儲電容CIN

本例采用簡單(dan)估算的方法

首先：PO= 32V * 1.9A = 60.8W

由于(yu)輸(shu)入電壓(AV195V~AC265V) ∈ AC230V(1±15%)，故(gu)選(xuan)擇(ze)輸(shu)入存儲電容(rong)CIN≥60.8UF即可，考慮到輸(shu)入電容(rong)在高低溫等惡劣條件下容(rong)量會有(you)一定的(de)損(sun)耗，但CI值(zhi)取(qu)得過高，會增加電容(rong)器成本，而且對于(yu)提高UImin值(zhi)和降低脈動電壓的(de)效果(guo)并不明顯。我們選(xuan)擇(ze)CIN = 1.2 *PO = 91.5UF，取(qu)常用型號CIN = 100UF/400V。

3.2、確定最小(xiao)和最大(da)直流輸入電壓VMIN和VMAX.

不知(zhi)道樓主是怎么算(suan)的輸入最低電壓(ya) 全電壓(ya)：AC85-265V

我知道的(de)公式是Vin（min）=^2*VAC（min）=120V

不知道樓主(zhu)算的(de)輸入最低電壓(ya)有256V

搞不懂

本人(ren)菜鳥(niao)，按步驟推算(suan)了一下 發現這里的(de)Tc算(suan)出(chu)來(lai)怪怪的(de)...還請(qing)賜教1/4Fl-49/2πFl Fl是(shi)線電壓(ya)的(de)頻(pin)率嘛 取50 則(ze)推出(chu)來(lai)是(shi)1/4*50-49/2*3.14*50，得出(chu)來(lai)的(de)結果是(shi)個負數，很是(shi)疑惑還請(qing)大俠指(zhi)教

建議公式推倒(dao)過程中最(zui)好(hao)全(quan)程用弧度(du)而不是角度(du)

比如對sin平方積分的時(shi)候(hou)...

就(jiu)是電容充電時間

樓主，你(ni)好，我看了(le)你(ni)的(de)這兩(liang)個計算(suan)(suan)輸入電(dian)(dian)容(rong)和最(zui)(zui)小(xiao)輸入電(dian)(dian)壓的(de)公(gong)式后，有個疑問(wen)：在電(dian)(dian)容(rong)公(gong)式中假設(she)了(le)最(zui)(zui)小(xiao)直流(liu)輸入電(dian)(dian)壓后才計算(suan)(suan)出電(dian)(dian)容(rong)的(de)，而后在計算(suan)(suan)最(zui)(zui)小(xiao)輸入電(dian)(dian)壓的(de)時(shi)候，又(you)假設(she)了(le)輸入電(dian)(dian)容(rong)，這有點不明白。

樓主你(ni)好，你(ni)的帖子對我幫(bang)助非(fei)常大，十分(fen)感(gan)謝(xie)。仔細推敲之下我有(you)幾(ji)個(ge)小疑問。

1.在(zai)計算放電(dian)時(shi)(shi)間的時(shi)(shi)候你直接用(yong)（0.5*T-tc）,默(mo)認從(cong)峰值開始放電(dian)，但理論上是在(zai)峰值之(zhi)后放電(dian)的，這是考慮到電(dian)容(rong)裕量嗎？

2.Q=PIN*t(放(fang)電時間(jian))，為什么電容的放(fang)電功率可以用總輸入功率來代(dai)替？望指教

再次感謝！

上面TC公式(shi)和下面TC公式(shi)分式(shi)相(xiang)同，但(dan)算出的結果不一樣(yang)。

后(hou)面帖(tie)子有(you)解釋。了解了。

根據您的公式，算出來的Vmin很小，比如90Vrms時 大概為77V，為此研究發帖，還是沒有搞定，跟網上有人的經驗和有些書上出入很大，很是納悶，該怎么選？

步(bu)驟2_根據應用需(xu)求選擇(ze)反饋(kui)電(dian)路和偏置電(dian)壓_實例(li)：

首先根據(ju)應用需求中負載調整率(lv)：SI=±0.2%來(lai)確定反饋電路的類型，本(ben)例選擇(ze)“光耦/TL431”反饋電路類型，偏置電壓(ya)選擇(ze)VB=13.5V;

這(zhe)個偏置繞(rao)組電壓一般由(you)選定的(de)(de)MOS管芯片給出(chu)建議值，這(zhe)里(li)的(de)(de)實例是以PI公司的(de)(de)TOP 246Y芯片為例舉例的(de)(de)，由(you)PI EXPERT軟件可知，VB的(de)(de)推薦值是12V，

選(xuan)擇(ze)VB=13.5，是考慮到變壓(ya)器繞制工(gong)藝10%誤差，VB=12*1.1=13.2V，取13.5V

以(yi)上是個(ge)人的理(li)解，供參考

這(zhe)里主要做環路補償用的，建議你(ni)先看下

步(bu)驟37 –環路動態補償設計，以TOP-GX系列芯片為例 先(xian)~

好貼(tie).....

你(ni)好，有個TOP247R的應用，發現TL431和(he)R5,R10兩個電阻的溫度都在100°左(zuo)右了

1.7、負載(zai)調整率：SI=±0.2%；

1.8、損耗(hao)分配因子(zi)：Z = 0.5；

1.9、空載功率損耗(hao)：P_NO_LOAD<=800MW；

1.10、輸出紋波電(dian)壓(ya)：VRIPPLE<200MV。

樓主，為什么開關頻率選(xuan)取132KHz啊，依據什么選(xuan)擇(ze)

步驟4_輸入整流橋的選(xuan)擇(ze)

50HZ交(jiao)流(liu)電壓(ya)經(jing)過全波(bo)整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)后變成脈動直(zhi)流(liu)電壓(ya)u1，再通(tong)(tong)(tong)過輸入濾波(bo)電容得到(dao)直(zhi)流(liu)高(gao)壓(ya)U1。在理(li)(li)想情況下，整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)橋(qiao)的(de)導(dao)(dao)通(tong)(tong)(tong)角本應為(wei)180度(du)(du)(du)(du)（導(dao)(dao)通(tong)(tong)(tong)范圍(wei)從0度(du)(du)(du)(du)~180度(du)(du)(du)(du)），但由于濾波(bo)電容器C的(de)作用，僅在接近交(jiao)流(liu)峰值電壓(ya)處的(de)很短(duan)時間內，才有輸入電流(liu)經(jing)過整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)橋(qiao)對C充(chong)電。50HZ交(jiao)流(liu)電的(de)半周期時間為(wei)10ms，整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)橋(qiao)的(de)導(dao)(dao)通(tong)(tong)(tong)時間tc≈3ms，其導(dao)(dao)通(tong)(tong)(tong)角僅為(wei)54度(du)(du)(du)(du)（導(dao)(dao)通(tong)(tong)(tong)范圍(wei)是(shi)35度(du)(du)(du)(du)~90度(du)(du)(du)(du)）。因此(ci)，整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)橋(qiao)實際通(tong)(tong)(tong)過的(de)是(shi)窄脈沖電流(liu)。橋(qiao)式整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)濾波(bo)電路的(de)原理(li)(li)如圖1(a)所示，整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)濾波(bo)電壓(ya)及整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)電流(liu)的(de)波(bo)形分(fen)別如圖1(b)和(he)1(c)所示。

整(zheng)流橋的主要參(can)數有(you)反向峰值(zhi)電(dian)壓UBR(V),正向壓降UF(V),平均整(zheng)流電(dian)流Id(A),正向峰值(zhi)浪涌電(dian)流IFSM(A),最大反向漏電(dian)流IR(uA)。整(zheng)流橋的反向擊(ji)穿電(dian)壓UBR應滿足下式要求：

舉例說明，當交(jiao)流輸入電(dian)壓范圍是85~132V時，umax=132V，由式（1）計(ji)算(suan)出UBR=233.3V,

可(ke)選耐(nai)壓(ya)400V的(de)成品整(zheng)(zheng)流(liu)橋。需要指出，假如用4只硅整(zheng)(zheng)流(liu)管來構成整(zheng)(zheng)流(liu)橋，整(zheng)(zheng)流(liu)管的(de)耐(nai)壓(ya)值還(huan)應進一步(bu)提高。譬如可(ke)選1N4007(1A/1000V)、1N5408(3A/1000V)型塑封整(zheng)(zheng)流(liu)管。這是(shi)因為此(ci)類管子的(de)價(jia)格低(di)(di)廉，且(qie)按照(zhao)耐(nai)壓(ya)值“寧高勿低(di)(di)”的(de)原(yuan)則(ze)，能提高整(zheng)(zheng)流(liu)橋的(de)安全(quan)性(xing)與可(ke)靠(kao)性(xing)。

選擇平均整流(liu)(liu)電流(liu)(liu)IAVG。

方法一：

設(she)交(jiao)流輸(shu)入有(you)效值電(dian)流為IRMS，計(ji)算IRMS的公式如下：

式中，PO為(wei)(wei)開關(guan)電(dian)源(yuan)的(de)(de)輸出功率(lv)，η為(wei)(wei)電(dian)源(yuan)效率(lv)，μmin為(wei)(wei)交流(liu)輸入電(dian)壓(ya)的(de)(de)最小值(zhi)，cosφ為(wei)(wei)開關(guan)電(dian)源(yuan)的(de)(de)功率(lv)因(yin)數，允(yun)許(xu)cosφ=0.5~0.7。由于整流(liu)橋實(shi)際通過的(de)(de)不是正弦波電(dian)流(liu)，而是窄脈沖(chong)電(dian)流(liu)，因(yin)此整流(liu)橋的(de)(de)平(ping)均整流(liu)電(dian)流(liu)Id<IRMS,一般可按Id=（0.6~0.7）IRMS來計算IAVG值(zhi)。

例如，設計(ji)一個7．5V／2A(15W)開關電源，交流輸入(ru)電壓范圍是85～265V，要求η=80％。將Po=15W、η=80％、umin=85V、cosψ=0．7一并代入(ru)(2)式得到(dao)，IRMS=0．32A，進而求出Id=0．65×IRMS=0．21A。實際選用lA／600V的整流橋，以留出一定余量(liang)。

方法二：

●VR≥1.25*2*VACMAX;其中VACMAX從步驟1中得到。

●ID≥2*IAVG;其中ID為整(zheng)流橋的電(dian)流額定(ding)值，IAVG為平均輸(shu)入電(dian)流。

變壓器輸入平均(jun)電流IAVG =POη*VMIN，其中VMIN從步驟3中得到，η從步驟1得到。

這里面的 變壓器輸入平均電流IAVG=POη*VMIN，是不(bu)是錯了，應該(gai)為IAVG==PO/(η*VMIN)吧？不(bu)知道我說的對(dui)不(bu)對(dui)？

導入進來的(de)時(shi)候(hou)論壇對(dui)公式(shi)的(de)支持不怎么好，導致中桿丟失，幸虧(kui)你(ni)指出(chu)來了，馬上更正

首先，PIN=PO/η

然后(hou)IAVG=PIN/VMIN=PO/(η*VMIN),應該是正確的

步驟4_輸入(ru)整流(liu)橋的選擇_實例：

■首(shou)先根據公(gong)式Id=（0.6~0.7）*IRMS=（0.6~0.7）*[PO/(η*VACMIN*cosφ)計算(suan)Id值(zhi)：

Id ≥ 0.7*60.8/（0.8*195*0.5）=0.546A

■其次(ci)根據公式UBR≥1.25*√2 *VACMAX計算UBR值：

UBR≥1.25 * 1.414 * 265 =468V

綜(zong)上，要求(qiu)輸入整流橋的Id≥0.546A，UBR≥468V，考慮(lv)到設計裕(yu)量，一(yi)般Id預留3倍裕(yu)量，UBR預留1.5倍裕(yu)量，可選擇(ze)

Id=2A，UBR=700V規格(ge)及以上的(de)整流橋(qiao)比較可靠~

步驟(zou)5_確定反射的輸出電壓(ya)VOR以(yi)及鉗位穩壓(ya)管電壓(ya)VCLO

5.1 VOR的確定

當開(kai)關(guan)管(guan)斷開(kai)，變壓(ya)器能(neng)量傳輸時，次級線(xian)圈電壓(ya)通(tong)過匝(za)比反射到初級的電壓(ya)即為反射電壓(ya)。VOR一般在80V~135V之(zhi)間選取，選取應符合以下(xia)規則：

（1）VOR越高(gao)，可減(jian)小輸入電容的容值，提高(gao)低壓時(shi)的能量(liang)傳輸；

原因：

根(gen)據伏(fu)秒(miao)積定律有：(VMIN-VDS)*TON=VOR*TOFF

VOR越高，DMAX越大(da)，可減小(xiao)輸入電容的(de)容值，提高低壓時的(de)能量傳輸。

（2）VOR越高，增加變(bian)壓器的漏感，降低效率，EMI增大；

原因：

（3）VOR大于135V，容易把開關管(guan)擊穿，VOR小于80V容易引起開關管(guan)在啟動時的保護(hu)。

原因：

5.2 確定(ding)RCD+Z鉗位的大小

注意：

① VRCD是(shi)計(ji)算出理論值(zhi)(zhi)，再通過(guo)實(shi)驗進行調(diao)整，使得實(shi)際值(zhi)(zhi)與理論值(zhi)(zhi)相吻合(he)．

② VRCD必須大于(yu)(yu)VOR的1.3倍(bei)．（如(ru)果小于(yu)(yu)1.3倍(bei)，則主MOS管的VD值選擇就太低了）

③ MOS管VD應當(dang)小(xiao)于VDC的(de)2倍(bei)(bei)．（如(ru)果大于2倍(bei)(bei)，則主MOS管的(de)VD值就過大了）

④ 如果VRCD的實測值小(xiao)于VOR的1.2倍(bei)，那么(me)RCD吸收(shou)回路就影響電(dian)源效率。

⑤ VRCD是由VRCD1和(he)VOR組成的

⑥ RCD吸收回路的R值(zhi)越(yue)小，開(kai)關電源的效率(lv)越(yue)低；R值(zhi)越(yue)大，MOS功率(lv)管有可(ke)能被(bei)擊穿(chuan)。

1.測量變壓(ya)器的(de)初級漏感Lik

初級(ji)繞組(zu)的漏(lou)感量可(ke)以通(tong)過測(ce)試(shi)來獲得，常用方法是(shi)，短路(lu)各(ge)個次級(ji)繞組(zu)測(ce)試(shi)此時的初級(ji)繞組(zu)的感量，這(zhe)個值就是(shi)初級(ji)繞組(zu)的漏(lou)感量。需要(yao)注(zhu)意的是(shi)，測(ce)試(shi)頻率應采(cai)用變換器的工作頻率。

當(dang)然(ran)，批(pi)量生產時(shi)(shi)不可能采取(qu)逐個測試的(de)方(fang)法，這時(shi)(shi)，可確定一個百分(fen)比來估計(ji)整個批(pi)次的(de)漏感值，這個百分(fen)比通常是在1%--5%

2.確定設計的(de)電源的(de)開關頻率fs

3.確定正確的峰值(zhi)初級電流IP

4.確定(ding)初級MOSFET 所允(yun)許的總電壓，并(bing)根(gen)據(ju)以下公(gong)式計算(suan)

5.確定(ding)箝位電路的電壓紋(wen)波Vdelta

（注釋：建議典型(xing)值應為 Vmaxclamp的10% 。）

6.根(gen)據以下公式(shi)計算箝位(wei)電(dian)路的最(zui)小電(dian)壓(ya)：

V minclamp = V maxclamp - V delta

7.根據以(yi)下公式(shi)計算箝位(wei)電(dian)路的平均(jun)電(dian)壓(ya)Vclamp：

V clamp = V maxclamp - V delta/2

8.根據以下公(gong)式計算漏感(gan)中貯存的能(neng)量：

16.應使(shi)用快速(su)或超快恢復二(er)極管，將其(qi)用作箝位電路(lu)中的阻斷二(er)極管。

（注(zhu)(zhu)釋：在(zai)有些情況(kuang)下(xia)，使(shi)(shi)用(yong)標(biao)準(zhun)恢(hui)復(fu)二極管(guan)(guan)有助于(yu)提高電(dian)源效率及 EMI 性能。用(yong)作此用(yong)途的(de)(de)標(biao)準(zhun)恢(hui)復(fu)二極管(guan)(guan)必須列明指定的(de)(de)反向(xiang)恢(hui)復(fu)時(shi)間。使(shi)(shi)用(yong)這種二極管(guan)(guan)時(shi)應特別注(zhu)(zhu)意(yi)，確保(bao)其反向(xiang)恢(hui)復(fu)時(shi)間低于(yu)可(ke)接受的(de)(de)限值(zhi)。如果(guo)未經全面評估，不建(jian)議批準(zhun)基于(yu)標(biao)準(zhun)恢(hui)復(fu)二極管(guan)(guan)的(de)(de)設計。）

17. 阻斷(duan)二極管的峰值反向電(dian)壓值應(ying)大于(yu)：1.5*Vmaxclamp

18. 阻斷二極管(guan)的正向反復(fu)峰值電流(liu)額(e)(e)定值應大于IP ，如果(guo)數據手冊中未提(ti)供該參(can)數，則平均正向電流(liu)額(e)(e)定值應大于：0.5*IP

（注釋：二(er)極(ji)管的(de)平均正向電(dian)流額定值可指定為較低值，它主(zhu)要受熱性能(neng)的(de)約束。應(ying)在穩態工作期間(jian)及最低輸入(ru)電(dian)壓條件下測量阻斷二(er)極(ji)管的(de)溫(wen)(wen)度，以(yi)確(que)(que)定其(qi)額定值是否(fou)正確(que)(que)。散熱性能(neng)、元件方位(wei)以(yi)及最終產品外殼都會影(ying)響到二(er)極(ji)管的(de)工作溫(wen)(wen)度。）

 步驟5_確定反射(she)的(de)輸出電壓(ya)VOR以及(ji)鉗位(wei)穩壓(ya)管(guan)電壓(ya)VCLO_實(shi)例

■首先根據

本例以(yi)效率作為優先(xian)考慮原則，選擇確反射的輸出電(dian)壓VOR=110V.

■VCLO=1.5*VOR=110*1.5=165V

您(nin)好：請問您(nin)為什(shen)么(me)強(qiang)調“需要注(zhu)意的是(shi)，測試頻率應采用(yong)變換器的工作頻率。”

我(wo)有疑問(wen)了：1.頻率跟漏感之(zhi)間有什么關系？

2.我如果(guo)用信號發(fa)生器產(chan)生我需要的(de)頻率，是(shi)直(zhi)接接在(zai)變壓器的(de)待(dai)測線圈兩端嗎（別(bie)的(de)線圈短接）？但是(shi)這(zhe)樣(yang)怎么測量(liang)漏感呢？

你用(yong)的什么測(ce)試(shi)設備，用(yong)LCR測(ce)試(shi)就可(ke)以了呀，LCR本身(shen)就可(ke)以發出(chu)設置頻率的激勵源，然后測(ce)出(chu)目(mu)標(biao)值，不需要額外的信號(hao)發生(sheng)器的。

至于(yu)頻(pin)率(lv)(lv)，一般是以接近實(shi)際工(gong)作頻(pin)率(lv)(lv)的(de)值進行測(ce)試(shi)，例如你(ni)MOS工(gong)作在40k左右，那就用40k頻(pin)率(lv)(lv)測(ce)量，也有(you)人用1khz去測(ce)量，這(zhe)個我問(wen)過(guo)做變壓(ya)器的(de)，他(ta)們也沒有(you)一個明確的(de)說法，說兩種測(ce)試(shi)方法都有(you)，這(zhe)個你(ni)可(ke)以了解(jie)確認一下

這里講的(de)(de)有(you)(you)點(dian)太(tai)籠統的(de)(de)，其實還是(shi)應該有(you)(you)個條件限制的(de)(de)比較好

這個應該看MOS管(guan)開關(guan)(guan)頻(pin)率fs以及所選(xuan)的(de)MOS管(guan)內阻大小RDS(ON),換(huan)句話(hua)說，也就是看MOS管(guan)導(dao)通損耗和開關(guan)(guan)損耗哪(na)個占(zhan)損耗的(de)主導(dao)因素（有關(guan)(guan)MOS管(guan)損耗相關(guan)(guan)計算見步(bu)驟12中(zhong)公式）：

1.開(kai)關(guan)(guan)損(sun)耗占主導：開(kai)關(guan)(guan)頻fs率高且內阻(zu)RDS(ON)低時，開(kai)關(guan)(guan)損(sun)耗占大頭(tou)那么VOR小(xiao)點效率會高些(xie);

2.導(dao)通損耗占(zhan)主導(dao)：一般來說(shuo)(shuo)，對于(yu)100k以(yi)內的(de)(de)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)而且使用一般的(de)(de)MOS管，其導(dao)通損耗還是(shi)占(zhan)大頭，主題帖的(de)(de)實例也可以(yi)簡(jian)單的(de)(de)看出來，就(jiu)是(shi)說(shuo)(shuo)VOR大越高(gao)→占(zhan)空比越大→初級(ji)電流有效值(zhi)越低(di)→MOS管導(dao)通損耗減小，效率(lv)就(jiu)越高(gao)→效率(lv)一定(ding)的(de)(de)前提下(xia)，要求(qiu)的(de)(de)輸入能(neng)量就(jiu)越低(di)→要求(qiu)的(de)(de)低(di)壓就(jiu)越低(di)→要求(qiu)的(de)(de)輸入電容就(jiu)越小。

以(yi)上存(cun)屬(shu)個人理解(jie)，歡迎一起討論。

占空比越大→初級電(dian)流有(you)效(xiao)值越低 對這點有(you)點疑問，首(shou)先(xian)峰值電(dian)流Ipk=Udcmin*Dmax/（Lp*Fs） 那么D的增大，Ipk則會增大，而初級Irms=Ipk*√Dmax/3 這有(you)效(xiao)值電(dian)流不是增大了？

我(wo)在按PI公(gong)司的芯片資(zi)料(liao)（TOP266)做(zuo)一(yi)個(ge)12v2.5A的穩壓電源，資(zi)料(liao)原理(li)(li)圖中(zhong)輸出(chu)二極管VD是用SB560的型號，即5A，放射電壓60V，而資(zi)料(liao)中(zhong)變壓器(qi)匝(za)比(bi)是58:6=9.6，根據公(gong)式VOR/VO+VD=9.6，即60/9.6=VO+VD=6.25，這(zhe)個(ge)值比(bi)VO值12V小得太(tai)多，不理(li)(li)解，是否我(wo)理(li)(li)解錯(cuo)誤，請(qing)指教,

樣品是(shi)按(an)照資料圖紙(zhi)一模一樣做出來(lai)的，輸出空載電(dian)壓3V，就(jiu)(jiu)是(shi)沒工作(zuo)，就(jiu)(jiu)差(cha)了沒炸片(pian)

請問您的問題解決了么，我(wo)現在再(zai)做一個462--564V的反激電(dian)源，請問我(wo)的Vor去多(duo)少(shao)合適呢？

看到這么(me)好的帖子先頂一個！

您(nin)說的(de)帖子中輸入公式(shi)的(de)問題記下啦(la)，我們會看(kan)看(kan)有(you)什(shen)么好的(de)解(jie)決方法沒有(you)。

輸入公(gong)式要是能像WORD那樣(yang)有個數(shu)學公(gong)式的(de)(de)組件就好(hao)了，再或者只要支持能從WORD里(li)編輯好(hao)粘貼過(guo)來(lai)也行。現(xian)在的(de)(de)問(wen)題是WORD里(li)編輯好(hao)的(de)(de)公(gong)式粘貼過(guo)來(lai)后會丟東西，比如根號什(shen)么的(de)(de)粘貼過(guo)來(lai)后就沒有了，所(suo)以目前采(cai)用的(de)(de)傻辦(ban)法，WORD里(li)編輯好(hao)后用截(jie)圖的(de)(de)方式粘貼過(guo)來(lai)的(de)(de)

步(bu)驟(zou)6_對(dui)應(ying)相應(ying)的工作模式及電流波形(xing)設(she)定電流波形(xing)參數KP：當(dang)KP≤1時，KP=KRP;當(dang)KP≥1時，KP=KDP

KP用(yong)以表(biao)征開關電(dian)源的(de)(de)(de)工作模(mo)(mo)(mo)式(連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)、非(fei)(fei)連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu))。連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)模(mo)(mo)(mo)式時(shi)KP小(xiao)于1，非(fei)(fei)連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)模(mo)(mo)(mo)式KP大于等于1. KP較(jiao)(jiao)小(xiao)，意味著更為連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)的(de)(de)(de)工作模(mo)(mo)(mo)式和較(jiao)(jiao)大的(de)(de)(de)初(chu)(chu)級(ji)(ji)電(dian)感量，且(qie)初(chu)(chu)級(ji)(ji)的(de)(de)(de)IP和IRMS值較(jiao)(jiao)小(xiao)，此時(shi)可(ke)(ke)選(xuan)用(yong)較(jiao)(jiao)小(xiao)功(gong)率的(de)(de)(de)MOSFET，但(dan)高(gao)(gao)頻(pin)變(bian)壓器體(ti)積(ji)相(xiang)對要(yao)(yao)大；反(fan)之，當選(xuan)取的(de)(de)(de)KP較(jiao)(jiao)大時(shi)，表(biao)示(shi)連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)性較(jiao)(jiao)差，此時(shi)高(gao)(gao)頻(pin)變(bian)壓器體(ti)積(ji)相(xiang)對較(jiao)(jiao)小(xiao)，但(dan)需(xu)要(yao)(yao)較(jiao)(jiao)大功(gong)率的(de)(de)(de)功(gong)率開關。在(zai)輸(shu)入電(dian)壓和輸(shu)出功(gong)率相(xiang)同時(shi)，連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)模(mo)(mo)(mo)式的(de)(de)(de)初(chu)(chu)級(ji)(ji)電(dian)感量大約是不(bu)(bu)連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)模(mo)(mo)(mo)式的(de)(de)(de)4倍(bei)。設(she)計成(cheng)連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)模(mo)(mo)(mo)式，初(chu)(chu)級(ji)(ji)電(dian)路中的(de)(de)(de)交流成(cheng)分要(yao)(yao)比(bi)不(bu)(bu)連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)模(mo)(mo)(mo)式少，可(ke)(ke)減小(xiao)MOSFET和高(gao)(gao)頻(pin)變(bian)壓器的(de)(de)(de)損耗，提(ti)高(gao)(gao)電(dian)源效(xiao)率，但(dan)工作環路穩定(ding)性不(bu)(bu)好控制，許多設(she)計師(shi)寧可(ke)(ke)采用(yong)非(fei)(fei)連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)狀(zhuang)態（KP=1.0）設(she)計，這樣(yang)控制環路較(jiao)(jiao)容(rong)易穩定(ding)。對于KP的(de)(de)(de)選(xuan)取需(xu)要(yao)(yao)根據實際不(bu)(bu)斷調整取最佳(jia)。

對于(yu)KP的(de)選取(qu)，一般由最小(xiao)值(zhi)選起(qi)，即當電(dian)網(wang)入電(dian)壓為(wei)100 VAC/115 VAC或(huo)者通(tong)用輸(shu)入時(shi)，KP=0.4;當電(dian)網(wang)輸(shu)入電(dian)壓為(wei)230 VAC時(shi)，取(qu)KP=0.6，非連續模式設計當中，設定KP=1，KP值(zhi)必須在表5所規定的(de)范圍之內。

下面(mian)從(cong)幾個方面(mian)來討(tao)論兩種模式的優缺點。

(1)功率元器件(jian)的選擇

在DCM模(mo)(mo)式(shi)下(xia),初級電(dian)流和次級電(dian)流的(de)(de)大小是CCM模(mo)(mo)式(shi)下(xia)的(de)(de)兩倍多(duo),大的(de)(de)峰值電(dian)流需(xu)要(yao)電(dian)流應力(li)比較高的(de)(de)MOSFET和二極管,這(zhe)樣勢必(bi)會增加元器(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)成本,因此(ci)如(ru)果從功率元器(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)選(xuan)擇(ze)方面來進行比較的(de)(de)話(hua),選(xuan)擇(ze)CCM模(mo)(mo)式(shi)會比DCM模(mo)(mo)式(shi)占優勢。

(2)變(bian)壓器體(ti)積。

從鐵(tie)心窗口面(mian)積(ji)與截面(mian)積(ji)的(de)(de)乘積(ji)的(de)(de)比值可以看出,DCM模(mo)(mo)式(shi)(shi)下(xia)(xia)的(de)(de)反激式(shi)(shi)變壓器要比CCM模(mo)(mo)式(shi)(shi)下(xia)(xia)的(de)(de)反激式(shi)(shi)變壓器小很(hen)多。但是(shi)在實(shi)際(ji)應用中,由于(yu)DCM模(mo)(mo)式(shi)(shi)下(xia)(xia)的(de)(de)磁密(mi)變化幅度(du)比CCM模(mo)(mo)式(shi)(shi)下(xia)(xia)的(de)(de)要大,如圖3所示,所以其鐵(tie)心的(de)(de)鐵(tie)損也更(geng)大。因此(ci)在上面(mian)鐵(tie)心窗口面(mian)積(ji)與截面(mian)積(ji)的(de)(de)乘積(ji)公式(shi)(shi)的(de)(de)計算時,對于(yu)DCM模(mo)(mo)式(shi)(shi),最(zui)大磁密(mi)Bm的(de)(de)取值必須要更(geng)小一些(xie)。實(shi)際(ji)的(de)(de)DCM模(mo)(mo)式(shi)(shi)下(xia)(xia)的(de)(de)變壓器會比CCM模(mo)(mo)式(shi)(shi)下(xia)(xia)的(de)(de)小,但是(shi)沒(mei)有理論公式(shi)(shi)計算的(de)(de)那么小。

(3) 輸(shu)出濾波器LC的(de)大小。

DCM模(mo)式(shi)(shi)(shi)(shi)有較大(da)(da)(da)(da)的(de)(de)(de)(de)次級(ji)峰(feng)(feng)值(zhi)電(dian)(dian)流(liu),開(kai)關管關斷時刻,所有的(de)(de)(de)(de)次級(ji)大(da)(da)(da)(da)電(dian)(dian)流(liu)流(liu)入電(dian)(dian)容C,假設其等(deng)效串聯(lian)電(dian)(dian)阻為(wei)Resr,這(zhe)將產生窄而高的(de)(de)(de)(de)輸出(chu)(chu)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)尖(jian)峰(feng)(feng)Ip(Np/Ns)Resr。而通常(chang)來(lai)說(shuo),電(dian)(dian)源(yuan)是以(yi)(yi)有效值(zhi)或峰(feng)(feng)-峰(feng)(feng)基值(zhi)來(lai)規定輸出(chu)(chu)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)紋(wen)波(bo)要(yao)(yao)求的(de)(de)(de)(de),尖(jian)峰(feng)(feng)的(de)(de)(de)(de)寬度通常(chang)小(xiao)(xiao)(xiao)于(yu)0.5Ls(隨時間(jian)常(chang)數Resr不同而不同),因(yin)此(ci)這(zhe)樣的(de)(de)(de)(de)高尖(jian)峰(feng)(feng)的(de)(de)(de)(de)有效值(zhi)很(hen)小(xiao)(xiao)(xiao)。當(dang)選用大(da)(da)(da)(da)容量輸出(chu)(chu)濾波(bo)電(dian)(dian)容時,電(dian)(dian)流(liu)很(hen)容易(yi)滿足有效值(zhi)紋(wen)波(bo)要(yao)(yao)求,但(dan)電(dian)(dian)源(yuan)會輸出(chu)(chu)危害很(hen)大(da)(da)(da)(da)的(de)(de)(de)(de)尖(jian)峰(feng)(feng)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)。因(yin)此(ci),通常(chang)要(yao)(yao)在反(fan)激式(shi)(shi)(shi)(shi)變換器后面(mian)加小(xiao)(xiao)(xiao)型的(de)(de)(de)(de)LC濾波(bo)器。因(yin)為(wei)在DCM模(mo)式(shi)(shi)(shi)(shi)下(xia)有較高的(de)(de)(de)(de)尖(jian)峰(feng)(feng)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya),所以(yi)(yi)需要(yao)(yao)LC值(zhi)較大(da)(da)(da)(da)的(de)(de)(de)(de)濾波(bo)器以(yi)(yi)達(da)到滿足紋(wen)波(bo)要(yao)(yao)求的(de)(de)(de)(de)目(mu)的(de)(de)(de)(de)。DCM模(mo)式(shi)(shi)(shi)(shi)較大(da)(da)(da)(da)容量的(de)(de)(de)(de)LC濾波(bo)器需要(yao)(yao)占用較大(da)(da)(da)(da)的(de)(de)(de)(de)體積,這(zhe)在一定程度上縮小(xiao)(xiao)(xiao)了(le)反(fan)激式(shi)(shi)(shi)(shi)開(kai)關電(dian)(dian)源(yuan)工作在DCM模(mo)式(shi)(shi)(shi)(shi)和CCM模(mo)式(shi)(shi)(shi)(shi)下(xia)體積大(da)(da)(da)(da)小(xiao)(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)(de)差距

(4) 從其它(ta)方(fang)面來分析。

除了(le)可(ke)以(yi)從上(shang)面(mian)(mian)的因素來分析兩種模(mo)式對開(kai)關電(dian)(dian)源的影響之外,還可(ke)以(yi)從損耗以(yi)及EMI等方(fang)面(mian)(mian)來分析。譬如,由(you)于DCM模(mo)式下初(chu)級(ji)和次級(ji)電(dian)(dian)流都(dou)比(bi)較大,同(tong)等條件下的損耗會(hui)相(xiang)應(ying)的增大,以(yi)至于降低開(kai)關電(dian)(dian)源的效率。

步驟(zou)6_對應(ying)(ying)相應(ying)(ying)的(de)工作模式(shi)及電流(liu)波形(xing)設定電流(liu)波形(xing)參數(shu)KP：當KP≤1時，KP=KRP;當KP≥1時，KP=KDP_實(shi)例

KP用以表征開(kai)關電(dian)(dian)(dian)源(yuan)的(de)工(gong)作(zuo)模(mo)(mo)(mo)式(shi)(shi)(shi)(shi)(連(lian)(lian)續、非(fei)連(lian)(lian)續)。連(lian)(lian)續模(mo)(mo)(mo)式(shi)(shi)(shi)(shi)時KP小(xiao)(xiao)于(yu)1，非(fei)連(lian)(lian)續模(mo)(mo)(mo)式(shi)(shi)(shi)(shi)KP大(da)于(yu)等于(yu)1.。KP較(jiao)(jiao)(jiao)小(xiao)(xiao)，意味著更為(wei)連(lian)(lian)續的(de)工(gong)作(zuo)模(mo)(mo)(mo)式(shi)(shi)(shi)(shi)和較(jiao)(jiao)(jiao)大(da)的(de)初(chu)(chu)(chu)級電(dian)(dian)(dian)感量(liang)，且初(chu)(chu)(chu)級的(de)IP和IRMS值較(jiao)(jiao)(jiao)小(xiao)(xiao)，此時可選用較(jiao)(jiao)(jiao)小(xiao)(xiao)功率(lv)的(de)MOSFET，但高(gao)頻變(bian)壓器(qi)體積相對要大(da)；反之(zhi)，當選取(qu)的(de)KP較(jiao)(jiao)(jiao)大(da)時，表示(shi)連(lian)(lian)續性較(jiao)(jiao)(jiao)差，此時高(gao)頻變(bian)壓器(qi)體積相對較(jiao)(jiao)(jiao)小(xiao)(xiao)，但需要較(jiao)(jiao)(jiao)大(da)功率(lv)的(de)功率(lv)開(kai)關。在輸(shu)入電(dian)(dian)(dian)壓和輸(shu)出功率(lv)相同時，連(lian)(lian)續模(mo)(mo)(mo)式(shi)(shi)(shi)(shi)的(de)初(chu)(chu)(chu)級電(dian)(dian)(dian)感量(liang)大(da)約是不(bu)(bu)連(lian)(lian)續模(mo)(mo)(mo)式(shi)(shi)(shi)(shi)的(de)4倍。設(she)計成(cheng)連(lian)(lian)續模(mo)(mo)(mo)式(shi)(shi)(shi)(shi)，初(chu)(chu)(chu)級電(dian)(dian)(dian)路(lu)中的(de)交流成(cheng)分要比不(bu)(bu)連(lian)(lian)續模(mo)(mo)(mo)式(shi)(shi)(shi)(shi)少，可減小(xiao)(xiao)MOSFET和高(gao)頻變(bian)壓器(qi)的(de)損耗，提高(gao)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)效率(lv)，但工(gong)作(zuo)環(huan)路(lu)穩(wen)定性不(bu)(bu)好控制，許多設(she)計師(shi)寧可采用非(fei)連(lian)(lian)續狀態(tai)（KP=1.0）設(she)計，這樣控制環(huan)路(lu)較(jiao)(jiao)(jiao)容易穩(wen)定。本例以DCM模(mo)(mo)(mo)式(shi)(shi)(shi)(shi)為(wei)例，選擇KP=1；

步驟7_根據VMIN和VOR確定DMAX

步驟7_根據(ju)VMIN和VOR確(que)定DMAX_實例

首先(xian)根(gen)據步驟3確(que)(que)定了VMIN=256V,根(gen)據步驟5確(que)(que)定了VOR=110V，根(gen)據步驟6確(que)(que)定了工作模(mo)(mo)式(shi)為DCM模(mo)(mo)式(shi)，即KP=1，

VDS指(zhi)的(de)是(shi)MOS管導(dao)通時的(de)DS壓(ya)降(jiang)，以(yi)TOP246Y為例，取VDS=13V,則

DMAX= VOR/【(VMIN-VDS)+VOR】= 110/【（256-13）+110】= 31.2% < 50% ,設(she)計(ji)合(he)理(li)

步驟8_計算(suan)初級峰值電(dian)流(liu)IP、輸入(ru)平(ping)均電(dian)流(liu)IAVG和初級RMS電(dian)流(liu)IRMS

步驟8_計算初(chu)級峰值電流(liu)(liu)IP、輸(shu)入平(ping)均(jun)電流(liu)(liu)IAVG和初(chu)級RMS電流(liu)(liu)IRMS_實例(li)

■首先(xian)由公式(shi)IAVG = PO /(η*VMIN)得(de) ,其中(zhong)PO = 32V * 1.9A =60.8W，η = 80%，VMIN由步驟3求得(de)等于256V，則

輸入平均電流(liu)IAVG = PO /(η*VMIN) = 60.8 /(0.8*256) ≈ 0.3A

■其次根(gen)據(ju)步驟6確定了工作模(mo)式為DCM模(mo)式，即KP=1。則

初級(ji)峰(feng)值電流IP = 2 * IAVG / DMAX = 2 * 0.3 / 0.312 = 1.92A

初(chu)級RMS電(dian)流IRMS =SQRT( DMAX * IP*IP/3 ) = SQRT(0.312 * 1.92 *1.92 /3) ≈ 0.62A

步驟9_基于AC輸入電壓(ya)，VO、PO以及效率選定MOS管芯片

9.1 AC輸(shu)(shu)入電(dian)(dian)壓(ya)(ya)。AC輸(shu)(shu)入電(dian)(dian)壓(ya)(ya)主要影(ying)響(xiang)的(de)(de)(de)是(shi)MOS芯片的(de)(de)(de)BVDSS耐(nai)壓(ya)(ya)，由于MOS芯片控(kong)制(zhi)的(de)(de)(de)是(shi)AC輸(shu)(shu)入電(dian)(dian)壓(ya)(ya)經過整流后(hou)輸(shu)(shu)入到(dao)(dao)變壓(ya)(ya)器(qi)初(chu)級繞組的(de)(de)(de)直流電(dian)(dian)壓(ya)(ya)大(da)小(xiao)，從而(er)達到(dao)(dao)控(kong)制(zhi)變壓(ya)(ya)器(qi)儲存能(neng)量(liang)到(dao)(dao)傳遞能(neng)量(liang)的(de)(de)(de)過程。理想情況下BVDSS的(de)(de)(de)大(da)小(xiao)只要大(da)于輸(shu)(shu)入直流電(dian)(dian)壓(ya)(ya)大(da)小(xiao)VMAX+反射電(dian)(dian)壓(ya)(ya)VOR就可以了，但(dan)是(shi)實(shi)際應用中國，由于變壓(ya)(ya)器(qi)初(chu)級繞組漏感(gan)的(de)(de)(de)存在，電(dian)(dian)路寄生參數的(de)(de)(de)影(ying)響(xiang)，再加上期間(jian)本身誤差及工(gong)作條件的(de)(de)(de)限制(zhi)，所以需要綜(zong)合考慮輸(shu)(shu)入電(dian)(dian)壓(ya)(ya)的(de)(de)(de)大(da)小(xiao)，主要參考原(yuan)則(ze)：

以上(shang)是(shi)以交流AC220V輸入(ru)(ru)條件為例(li)，其他輸入(ru)(ru)電(dian)壓大(da)小(xiao)可以基于此原則。

9.2VO、PO以及效率

VO、PO以(yi)及效率(lv)主(zhu)要影響的(de)(de)(de)(de)(de)是MOS芯(xin)片的(de)(de)(de)(de)(de)ID電(dian)流大(da)(da)(da)小(xiao)(xiao)以(yi)及MOS芯(xin)片工(gong)作時(shi)功耗(hao)散(san)熱的(de)(de)(de)(de)(de)能(neng)力，雖然MOS芯(xin)片的(de)(de)(de)(de)(de)散(san)熱可(ke)以(yi)通過(guo)增加散(san)熱片的(de)(de)(de)(de)(de)方式進行補償，但(dan)是散(san)熱片的(de)(de)(de)(de)(de)體積(ji)(ji)和大(da)(da)(da)小(xiao)(xiao)也是影響開關(guan)電(dian)源(yuan)整體設(she)計(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)個主(zhu)要方面，散(san)熱片上(shang)太大(da)(da)(da)的(de)(de)(de)(de)(de)功耗(hao)會產生太大(da)(da)(da)的(de)(de)(de)(de)(de)溫升，這(zhe)是開關(guan)電(dian)源(yuan)設(she)計(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)時(shi)候(hou)所不允許的(de)(de)(de)(de)(de)，另一(yi)方面，太大(da)(da)(da)的(de)(de)(de)(de)(de)散(san)熱片也會產生太大(da)(da)(da)的(de)(de)(de)(de)(de)體積(ji)(ji)，實際情(qing)況并不適用，這(zhe)種(zhong)情(qing)況一(yi)般通過(guo)在(zai)滿足ID電(dian)流的(de)(de)(de)(de)(de)基礎上(shang)盡量選擇更小(xiao)(xiao)RDS的(de)(de)(de)(de)(de)MOS芯(xin)片，以(yi)滿足MOS芯(xin)片散(san)熱方面一(yi)定(ding)的(de)(de)(de)(de)(de)裕量。至于(yu)散(san)熱片的(de)(de)(de)(de)(de)尺寸(cun)大(da)(da)(da)小(xiao)(xiao)，在(zai)選定(ding)了(le)MOS芯(xin)片之后(hou)，芯(xin)片的(de)(de)(de)(de)(de)規(gui)格(ge)書上(shang)一(yi)般都會有推薦(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)體積(ji)(ji)大(da)(da)(da)小(xiao)(xiao)，后(hou)續的(de)(de)(de)(de)(de)章(zhang)節(jie)也有關(guan)于(yu)散(san)熱片方面的(de)(de)(de)(de)(de)詳細介紹。

步驟9_基于AC輸入(ru)電壓，VO、PO以及效率選定MOS管(guan)芯片(pian)_實例

本例選(xuan)擇PI 公司的 TOP246Y MOS管芯片進(jin)行設計(ji)，選(xuan)擇參數驗(yan)證：

■首先(xian)基于AC輸入電壓來確定MOS管芯片的BVDSS耐壓要(yao)求(qiu)。由步驟3可知(zhi)，VMAX = 375V，按照(zhao)下面的選擇原則

 可得，所選(xuan)MOS管(guan)芯片的BVDSS電(dian)壓(ya)至少應大于647V，預留(liu)53V的設計裕量，BVDSS >= 700V ，查(cha)閱TOP246Y芯片手(shou)冊可知(zhi)，

滿足設計需求(qiu)。

■基(ji)于(yu)VO、PO以及效(xiao)率

根據設計需求，PO = VO *IO = 32 *1.9 = 60.8W，預留一(yi)定的(de)設計裕(yu)量，查閱TOP246Y芯片手(shou)冊中輸(shu)出(chu)功率(lv)表可知，

輸入電壓230VAC±15%，即(ji)（AC195V~AC265V）情況(kuang)下(xia)，開放(fang)式電源(yuan)設計時，TOP246Y輸出功率可達(da)125W，完全滿(man)足60W輸出功率的需求

 綜(zong)上，選(xuan)擇TOP246Y MOS管(guan)芯(xin)片(pian)可滿足設計需(xu)求(qiu)

步驟10_設定外部限(xian)流點(dian)，通過(guo)MOS芯(xin)片的降低因(yin)數KI降低MOS芯(xin)片的ILIMIT

這里(li)主要(yao)分為兩種(zhong)情(qing)況：

10.1 MOS芯片(pian)沒有(you)外部(bu)限流點(dian)設置，這種情況一(yi)般選擇比實際(ji)需求更(geng)大的(de)MOS管芯片(pian)，以滿足ID留有(you)一(yi)定的(de)裕量；

10.2 MOS管(guan)芯(xin)片有外部限流(liu)點設置時，如果應用要(yao)求有很高的效率(lv)，可(ke)(ke)以(yi)使用比實際所(suo)需更大的MOS管(guan)芯(xin)片，在外部將芯(xin)片限流(liu)點IL I M I T 降低，從而可(ke)(ke)以(yi)利用其較(jiao)低的RDS(ON)來提高效率(lv)。

ILIMIT(MIN) =缺省(sheng)ILIMIT(MIN）*KI

ILIMIT(MAX)=缺省ILIMIT(MAX）*KI

“ILIMIT(MIN) =缺省(sheng)ILIMIT(MIN）*KI

ILIMIT(MAX)=缺(que)省ILIMIT(MAX）*KI

”中,缺省(sheng)ILIMIT(MIN)是啥意思(si)？

以PI公司的TOP246Y芯片為(wei)例(li)：

規格書中有(you)一項指標ILIMIT，即自保護流限大小(xiao)，當輸入電流大于(yu)ILIMIT時，MOS管芯片自動重啟復位動作(zuo)以自我保護。這(zhe)個(ge)ILIMIT也可以通過外部電流RIL調節其(qi)大小(xiao)。

帖(tie)子(zi)中說的缺(que)省ILIMIT就是這個沒有接外界(jie)流(liu)(liu)限電阻RIL時的ILIMIT大小，而KI就是通過(guo)外部流(liu)(liu)限電阻設置的流(liu)(liu)限比例。

舉個例子，

TOP246Y，缺省的(de)ILIMIT=2.7A（25度時(shi)的(de)典型值(zhi)），這個值(zhi)也可以(yi)(yi)通過(guo)外部(bu)流限電阻RIL改變其大(da)小(xiao)，查(cha)看DATASHEET可知，當(dang)外接15K流限電阻時(shi)，KI=0.6，ILIMIT大(da)小(xiao)=2.7*0.6=1.62A了(le)(le)，此時(shi)，當(dang)輸入(ru)電流大(da)于1.62A時(shi)，芯片(pian)自動重(zhong)啟復位(wei)動作以(yi)(yi)自我保護了(le)(le)，這樣做的(de)目的(de)是相當(dang)于降低了(le)(le)MOS管芯片(pian)的(de)RDS大(da)小(xiao)。為了(le)(le)預留一(yi)定的(de)設(she)計裕量(liang)，一(yi)般設(she)計要求輸入(ru)峰(feng)值(zhi)電流IP<0.9*ILIMIT，以(yi)(yi)防止(zhi)正常工作時(shi)芯片(pian)自動重(zhong)啟。

步(bu)驟10_設定(ding)外部限流點降低(di)的(de)ILIMIT降低(di)因數KI_實(shi)例

本例(li)不使用外部限流點，即取(qu)KI=1

步驟11_通(tong)過IP和ILIMIT的比(bi)較驗證MOS芯片選擇(ze)的正確(que)性

當KI= 1.0，應滿足IP ≤ 0.96 x ILIMIT(min)。

當KI< 1.0，應滿足IP ≤ 0.94 x ILIMIT(min)。

一般選擇(ze)IP滿足(zu) IP ≤ 0.9 * ILIMIT(min)，這是因為高溫時極限電流(liu)最小值會(hui)減小10%，為使器件有(you)更高的可靠(kao)性工作(zuo)范圍而留有(you)余量。

? 如有必要選擇(ze)更大型號(hao)的MOS管(guan)芯片。

步驟11_通(tong)過IP和ILIMIT的比較驗(yan)證MOS芯(xin)片選擇的正(zheng)確性_實(shi)例

由步驟10確定了(le)KI=1，步驟8可知IP =1.92A，根據TOP246Y規(gui)格書(shu)可知ILIMIT(min)=2.511A，則有(you)

IP = 1.92A ，

0.9 *ILIMIT(min) = 0.9 *2.511 = 2.2599A，滿足

IP ≤ 0.9 * ILIMIT(min)，

綜上，該MOS管(guan)芯片選擇正確

非常感謝！

步驟(zou)12_計(ji)算(suan)功率開關管(guan)熱阻選(xuan)擇(ze)散(san)熱片(pian)驗證(zheng)MOS芯片(pian)選(xuan)擇(ze)的(de)正確性

其中(zhong)，TJ表(biao)(biao)示芯片的允許結溫，TA表(biao)(biao)示工作環境(jing)溫度(du)，RJA表(biao)(biao)示允許的總熱阻。

RJA = RJC + RCS + RSA

RJA的大(da)小(xiao)與(yu)(yu)管(guan)芯的尺(chi)寸封裝結(jie)構有(you)關，一(yi)(yi)般可以從器件(jian)的數據(ju)資料中找到。RCS的大(da)小(xiao)與(yu)(yu)安(an)裝技術和(he)器件(jian)的封裝有(you)關，對于TO220封裝，一(yi)(yi)般用2左右(you)，

RSA為合適的散(san)熱(re)片(pian)熱(re)阻。如果(guo)散(san)熱(re)片(pian)尺寸(cun)比較大或無法實現(xian)，那么(me)應當選用(yong)更大功(gong)率(lv)的MOS管芯片(pian)以提(ti)高結點(dian)溫度，如果(guo)有必要減少(shao)功(gong)耗，可用(yong)較大的

MOS管芯片來檢驗熱溫升限制。

步驟12_計算功率開關管熱阻選擇散熱片(pian)驗證(zheng)MOS芯片(pian)選擇的正確(que)性_實例(li)

已知條件：

■設工作環境溫度(du)TA=85度(du)。

■查閱TOP246芯片手冊可知(zhi)，RDS(ON)=5Ω，CXT=10PF,RJC=2°C/W,TJ=150度（為了設計裕量，取(qu)TJ=125度）

■由之前的設(she)計步(bu)驟可(ke)知：IRMS=0.62A，VMAX=375V,VOR=110；

■對于TO220封裝，本例RCS取0.2°C/W；

則有：

PIR = IRMS*IRMS*RDS(ON) = 1.89W，

PCXT=0.16W,

PD=PIR +PCXT =2.05W，考(kao)慮到設(she)計裕量，取PD = 2.05 + 0.4 =2.45W

可得，

RJA =( TJ -TA )/PD=(125 - 85)/2.45 =16.37°C/W，

RSA=RJA-RJC-RCS=16.37-2-0.2=14.17°C/W，即需要(yao)外加(jia)的(de)散熱(re)片的(de)熱(re)阻應小于14.17°C/W即可滿(man)足設計要(yao)求(qiu)。

步驟13_計算(suan)初級電感量LP

幸(xing)虧沒錯過，巴薩8:0，太(tai)精彩了，梅西，加(jia)油(you)！

步驟(zou)13_計算初級電感量LP_實例

已知條件：

■PO=60.8W, IP=1.92A, fs=132KHZ, Z=0.5,η=80%, KP=1，

帶入公式：

則有：

LP = 285UH

步驟14_選擇磁(ci)芯和骨(gu)架，再從(cong)磁(ci)芯和骨(gu)架的數據手冊中得(de)到(dao)Ae，le，AL，和BW的參(can)考值

磁(ci)芯是制造高(gao)(gao)頻變壓(ya)器的(de)重(zhong)要(yao)組成，設計時(shi)(shi)合理、正確(que)地選(xuan)擇(ze)(ze)磁(ci)芯材(cai)料、參數、結構，對變壓(ya)器的(de)使用性(xing)能(neng)(neng)和可靠性(xing)，將產生(sheng)至關重(zhong)要(yao)的(de)影響(xiang)。高(gao)(gao)頻變壓(ya)器磁(ci)芯只工(gong)作在磁(ci)滯回(hui)線(xian)的(de)第一象(xiang)限(xian)。在開關管(guan)導通(tong)時(shi)(shi)只儲存能(neng)(neng)量，而在截止時(shi)(shi)向負(fu)載(zai)傳遞能(neng)(neng)量。因為開關頻率(lv)為 100 kHz，屬(shu)于比(bi)較(jiao)高(gao)(gao)的(de)類(lei)型，所(suo)以選(xuan)擇(ze)(ze)材(cai)料時(shi)(shi)選(xuan)擇(ze)(ze)在此頻率(lv)下(xia)效率(lv)較(jiao)高(gao)(gao)的(de)鐵氧體(ti)。

方法一(yi)：依據功率估算公式選擇適合(he)的磁芯

小(xiao)型化開關電(dian)源可選低成(cheng)本的EE或(huo)EI型（二者截面(mian)積相同）磁芯(xin)；多(duo)路輸出宜采用EFD型磁芯(xin)，因(yin)為(wei)能提供較大(da)的窗(chuang)口以便容納多(duo)個次級繞組；大(da)功率開關電(dian)源適配(pei)EFD型（圓中心柱(zhu)）磁芯(xin)；一般(ban)不用環(huan)形、POT、RM磁芯(xin)，因(yin)為(wei)泄露磁場較大(da)。

選定(ding)磁芯后，查(cha)出磁芯以下參數，用于下面的計(ji)算：

磁芯有(you)效(xiao)截面積SJ，即有(you)效(xiao)磁通面積；

磁芯(xin)的有效磁路長度L；

磁(ci)芯在不留間(jian)隙時與(yu)匝數(shu)相關(guan)的等(deng)效電(dian)感AL；

骨架寬度b；

方(fang)法(fa)二：基于AP法(fa)選擇(ze)磁芯

AP表示磁(ci)心有效截面(mian)積與窗(chuang)口面(mian)積的乘(cheng)積。計算公(gong)式為

AP= Aw*Ae (1)

式中，AP的單(dan)位是(shi)cm4；Aw為(wei)磁心可繞(rao)導線的窗(chuang)口面積(cm2)；Ae為(wei)磁心有效截面(cm2),

 Ae≈SJ=CD，SJ為(wei)磁芯幾(ji)何(he)尺(chi)寸的(de)截(jie)面積，C為(wei)舌寬，D為(wei)磁芯厚度。根(gen)據計算(suan)出的(de)AP值(zhi)，

即可查表找出(chu)所(suo)需(xu)磁(ci)芯型號。下(xia)面介紹將AP法用于開(kai)關(guan)電源(yuan)高(gao)頻變壓器設計時(shi)的公式(shi)推導

及驗(yan)證方法。

1高頻變壓(ya)器電路的波形參數分析

開關(guan)電源(yuan)的電壓及電流波(bo)(bo)形(xing)比較(jiao)復(fu)雜，既有輸(shu)入正弦波(bo)(bo)、半(ban)波(bo)(bo)或全波(bo)(bo)整流波(bo)(bo)，又有矩形(xing)波(bo)(bo)

(PWM波(bo)形(xing))、鋸(ju)齒波(bo)(不連續電(dian)流(liu)模式(shi)的(de)一次(ci)側電(dian) 流(liu)波(bo)形(xing))、梯形(xing)波(bo)(連續電(dian)流(liu)模式(shi)的(de)一次(ci)側

因方波和梯形波的平均(jun)值為(wei)零，故(gu)改用(yong)電(dian)壓均(jun)絕值|U|來代替。對(dui)于矩形波，t表示脈沖

寬度，丁表示周期，占空比D=t／T。

步(bu)驟14_選擇磁芯和骨架，再(zai)從(cong)磁芯和骨架的數據(ju)手冊中得到(dao)Ae，le，AL，和BW的參考值_實例(li)

已知條件：

η=80%，PO=60.8W，DMAX=0.312，f=132KHZ，KP=1，取KW=0.35，BM=0.21T, J=400A/cm2，則

■由公式

可得AP=0.4781cm4

■由公式

可得Ae=116.93mm2

綜上，可選擇PQ26/25磁芯，AP=0.9971cm4 >0.4781cm4，Ae=118.00mm2 >116.93mm2，滿足設計需求(qiu)。

從PQ26/25的數據手冊中得到

AP=0.9971cm4，Ae=118.00mm2，Aw=84.50mm2，AL=5250.00 nH/N2，Le=55.50mm，Ve=6530.00mm3，PT=195W

1CM2=10000MM2啊(a)，還(huan)是我(wo)弄錯了？

我算(suan)出來SJ=1.7CM2左右(you)，怎么回事？

我又重(zhong)新算(suan)(suan)了(le)一(yi)下，還是我之(zhi)前算(suan)(suan)出(chu)來的計(ji)算(suan)(suan)結果，沒有錯(cuo)呀

順便(bian)，1CM2應該是等(deng)于100MM2吧。。。。

樓主：你好

Kf=4Kf是怎么推出(chu)來的？？？

謝謝

怎么跟那個1.155D不(bu)一樣

你(ni)好，以(yi)下公式是錯的吧？

因(yin)為 Φ=B·S·cosθ 求指導。謝謝！！！

步(bu)驟(zou)15_根(gen)據初級(ji)電感量大小以及磁(ci)芯(xin)參數(shu)計算初級(ji)繞組圈(quan)數(shu)NP

L = 磁鏈 / 電流 = （匝(za)數 * 面積 * 磁通密度）/ 電流，做如下變形：

計算初級(ji)繞組圈數NP

步驟15_根據初(chu)級電感量大小以及(ji)磁芯參數計(ji)算初(chu)級繞組圈數NP_實(shi)例(li)

已經條件：

■由步驟13可知(zhi)初級(ji)電感(gan)量LP=285UH，

■由步驟8可知初(chu)級峰值(zhi)電流IP=1.92A，

■由步驟14可知所選磁芯PQ26/25的Ae=118.00mm2，

■磁芯(xin)材料(liao)，考慮成本因素，選擇(ze)常用的PC40材質，由(you)PC40的材料(liao)參(can)數特(te)性可知，BS=0.39T,BR=0.06T，則(ze)BAC=BS-BR=0.33T，為防止工(gong)作過(guo)程中磁芯(xin)的瞬(shun)間出(chu)現飽和，預留(liu)一定裕量，取(qu)BM=0.6BAC=0.198T,取(qu)0.2T

根據(ju)公式NP=(LP*IP)/(BM*Ae)可得，

初級繞組圈數NP=LP*IP/BM*Ae=(285UH*1.92A)/(0.2T*118MM2)= 23.2，取NP=24

我一般選取(qu)BM時按(an)照所選磁芯材料的BS,BR來選取(qu)，例如，

常用的(de)PC40材(cai)質(zhi)，由PC40的(de)材(cai)料(liao)參數特(te)性可知，BS=0.39T,BR=0.06T，則BAC=BS-BR=0.33T，為防止工(gong)作過程中磁芯(xin)的(de)瞬間出現(xian)飽和，預留一(yi)定裕(yu)量，取BM=0.6BAC=0.198T,取0.2T

工程上BM一般取經驗(yan)值0.2~0.3T就可以了。

BM取(qu)得太大，磁芯(xin)容易飽(bao)和，BM取(qu)得太小(xiao)，變(bian)壓器不是最佳設計。

關于步(bu)驟15中的初(chu)級繞組(zu)匝數計算公式，修正一下，個人覺(jue)得用下面兩個應該更合(he)理(li)：

公(gong)式1和2主要的(de)差別在于分母(mu)中(zhong)BM的(de)取值大小，共(gong)同點是為防止工(gong)作(zuo)過程(cheng)中(zhong)磁芯(xin)的(de)瞬間出現飽和，都增加了一(yi)個裕量(liang)系數(shu)，預留(liu)一(yi)定裕量(liang)。

至(zhi)于兩個(ge)公式(shi)(shi)為(wei)什么可以近視使用，個(ge)人覺得(de)主(zhu)要是因為(wei)通(tong)過開氣隙后(hou)，磁(ci)芯的(de)的(de)剩(sheng)余磁(ci)通(tong)密(mi)度BR可以減到(dao)很(hen)小，這樣一來，兩個(ge)公式(shi)(shi)的(de)分母就近視相(xiang)等了，工程中建議使用第一個(ge)公式(shi)(shi)。

請(qing)教(jiao)下對于連續(xu)模式(shi)，公(gong)式(shi)中Ip是(shi)圖中的Ip2還(huan)是(shi)Ip2-Ip1呢？

不(bu)好意思，這段時間比較(jiao)忙，對于連續模式，公(gong)式中Ip應該是圖中的Ip2-Ip1。

步(bu)驟16_計算次級繞組(zu)圈(quan)數NS以(yi)及偏置繞組(zu)圈(quan)數NB

步驟16_計(ji)算次級繞(rao)組圈(quan)數(shu)NS以(yi)及偏(pian)置繞(rao)組圈(quan)數(shu)NB_實例

已知條件：

初級繞(rao)組匝數NP=23圈(quan)，輸(shu)出反射電(dian)壓VOR=110V，輸(shu)出電(dian)壓VO=32V，輸(shu)出整流二(er)(er)極管(guan)(guan)正(zheng)向壓降VD=0.7V，偏置繞(rao)組整流二(er)(er)極管(guan)(guan)正(zheng)向壓降VDB=0.7V，偏置繞(rao)組輸(shu)出電(dian)壓VB=13.5V

可得，

次級繞組(zu)圈(quan)數NS=[NP*(VO+VD)/VOR]=[23*(32+0.7)/110]=6.84圈(quan)，取NS=7圈(quan)；

偏置繞組圈(quan)數NB=NS*(VB+VDB)/(VO+VD)=7*(13.5+0.7)/(32+0.7)=3.04圈(quan)，取NB=3圈(quan)；

多出來的或減少的圈數怎(zen)么取舍的？？

步驟17_確定初(chu)級(ji)繞(rao)組線徑參數OD、DIA、AWG

步驟17_確定初級繞組(zu)線徑參數OD、DIA、AWG_實例

●以(yi)毫(hao)米為單位(wei)的初級繞組用線的外(wai)徑(jing)。

其(qi)中L為初級繞組(zu)的層數；

BW為(wei)以毫(hao)米為(wei)單位的骨(gu)架(jia)寬(kuan)度；

M為(wei)以毫米為(wei)單位的安全邊距寬度；

●確(que)定初級繞組用(yong)(yong)線的裸(luo)線導體(ti)直徑(jing)DIA以及初級用(yong)(yong)線AWG規格。

■首(shou)先計算初級(ji)繞組用線(xian)的裸(luo)線(xian)導體直(zhi)徑(jing)DIA前，有必要先了(le)解一(yi)下：

導(dao)(dao)線上電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)的(de)(de)趨(qu)膚(fu)效應：當(dang)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)在導(dao)(dao)體上流(liu)(liu)動(dong)時(shi)，由于電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)產(chan)生的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)磁場力對電(dian)(dian)(dian)荷(he)的(de)(de)推斥作用，電(dian)(dian)(dian)荷(he)將趨(qu)向于在導(dao)(dao)體的(de)(de)表層(ceng)流(liu)(liu)動(dong)；這種(zhong)現象稱(cheng)之為電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)的(de)(de)趨(qu)膚(fu)效應。電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)的(de)(de)趨(qu)膚(fu)效應和電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)的(de)(de)頻率有(you)關(guan)，電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)頻率越高，電(dian)(dian)(dian)荷(he)就越向導(dao)(dao)體表層(ceng)集(ji)中；電(dian)(dian)(dian)荷(he)在導(dao)(dao)體表層(ceng)下集(ji)聚的(de)(de)深度(du)，稱(cheng)為趨(qu)膚(fu)深度(du)。一般情(qing)況下，可以用下式大概計算電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)在圓導(dao)(dao)線中的(de)(de)趨(qu)膚(fu)深度(du)：

導(dao)(dao)線(xian)(xian)(xian)(xian)選擇原則(ze)：在選用(yong)開關電(dian)源變(bian)壓(ya)器初、次級繞(rao)組(zu)線(xian)(xian)(xian)(xian)徑(jing)(jing)時，應遵循(xun)導(dao)(dao)線(xian)(xian)(xian)(xian)直(zhi)徑(jing)(jing)小于(yu)(yu)兩倍穿(chuan)透(tou)深(shen)度的原則(ze)。當導(dao)(dao)線(xian)(xian)(xian)(xian)要求(qiu)的線(xian)(xian)(xian)(xian)徑(jing)(jing)大于(yu)(yu)由穿(chuan)透(tou)深(shen)度決(jue)定的最(zui)大有效(xiao)直(zhi)徑(jing)(jing)時，應采用(yong)小直(zhi)徑(jing)(jing)的導(dao)(dao)線(xian)(xian)(xian)(xian)并(bing)繞(rao)或采用(yong)多股(gu)導(dao)(dao)線(xian)(xian)(xian)(xian)。大電(dian)流繞(rao)組(zu)最(zui)好能采用(yong)寬而(er)薄(bo)的扁(bian)銅帶，銅帶厚度應小于(yu)(yu)穿(chuan)透(tou)深(shen)度的兩倍。采用(yong)n股(gu)導(dao)(dao)線(xian)(xian)(xian)(xian)時，每股(gu)導(dao)(dao)線(xian)(xian)(xian)(xian)的直(zhi)徑(jing)(jing)按下式計算(suan)：dn = d/SQRT(n)。

■確定初級繞(rao)組線徑參數OD、DIA、AWG的值(zhi)

已知條件：

開關頻率FS=132kHZ，初(chu)(chu)級繞組(zu)IRMS=0.62A，初(chu)(chu)級繞組(zu)電流密度取CMA=400mil/A，

由PQ26/25磁芯介(jie)紹可知(zhi)幅(fu)寬BW=13.6mm，安全邊(bian)距(ju)M取3mm，則由公式(shi)

可得，初級繞組單(dan)股導線的裸直(zhi)徑

由于DIA =0.4mm >2Dfm= 0.182 * 2 = 0.364mm，不(bu)滿足導線(xian)直徑(jing)小于兩倍穿透深(shen)度的(de)原則(ze)(ze)，應采(cai)用小直徑(jing)的(de)導線(xian)并繞或采(cai)用多股導線(xian)。設(she)初級繞組(zu)股數為2股，則(ze)(ze)

dn = d/SQRT(n) = 0.4/SQRT(2) = 0.283mm < 2Dfm= 0.182 * 2 = 0.364mm,可得，

初級繞(rao)組采用單(dan)股導(dao)線裸(luo)直徑DIA =0.283mm的2股導(dao)線并(bing)繞(rao)。

根據初級(ji)繞(rao)組(zu)用(yong)線的裸線導(dao)體直(zhi)徑(jing)DIA大(da)小確定初級(ji)用(yong)線AWG規(gui)格，AWG規(gui)格確定后，初級(ji)繞(rao)組(zu)用(yong)線的外徑(jing)即可確定，再由公式

可得初(chu)級(ji)繞(rao)組的(de)層數。

這里我(wo)是這樣想的(de)，算(suan)出(chu)了(le)兩股并繞時所需(xu)的(de)導(dao)線線徑(jing)后，在(zai)AWG標準線纜里找到最為接近的(de)一(yi)個規格(ge)，然后再反向驗證一(yi)下即可；另外實(shi)際(ji)時肯(ken)定需(xu)要(yao)考(kao)慮導(dao)線的(de)過電流(liu)能力(li)，一(yi)般工程上用電流(liu)密度(du)指(zhi)標來反映，記得不(bu)太清楚了(le)，一(yi)般理(li)論(lun)實(shi)際(ji)的(de)時候(hou)建議(yi)按(an)200~500mil/A的(de)理(li)論(lun)值去計算(suan)，最后可根據實(shi)際(ji)情況增大(da)或減小

想請問下66.1除以132的開方=5.75，這(zhe)里怎么=0.182了？不(bu)解

步(bu)驟(zou)18_步(bu)驟(zou)23-檢查BM、CMA以(yi)及Lg。如果(guo)有必要可以(yi)通過改(gai)變L、NP或(huo)NS或(huo)磁芯(xin)/骨架的(de)方(fang)法對其進行(xing)迭代，直到滿足規定的(de)范圍

怎么(me)18部(bu)一下跳(tiao)到(dao)24步了，中(zhong)間的哪里去了？

附件是(shi)TDK磁性材料與骨架經典資(zi)料，看(kan)(kan)看(kan)(kan)是(shi)否(fou)對你有所幫助~

TDK磁性材料與(yu)骨(gu)架經典資料.pdf

步驟18_步驟23-檢查BM、CMA以及(ji)Lg。如(ru)果有必要可以通過改(gai)變L、NP或(huo)NS或(huo)磁芯(xin)/骨架(jia)的方法對其進行(xing)迭代，直到滿(man)足規定的范(fan)圍_實例

●設定安全(quan)邊距M。如果使用安全(quan)邊距的變(bian)壓器結構則取(qu)值為(wei)3mm；如果次級(ji)使用三層絕緣線則取(qu)值為(wei)零；

已知(zhi)條件(jian)：LP=285UH，IP=1.92A，NP=24，Ae=118.00mm2=1.18cm2

BM=100*Lp*Ip/（NP*Ae）=100*285*1.92/（24*1.18）= 1932GS ≈ 2000GS，滿足3000≥BM≥2000；

●氣隙長(chang)度(du)驗證：

已知條件：Ae=118.00mm2=1.18cm2，NP=24，LP=285UH，AL=5250.00 nH/N2

Lg=40*π*Ae*[NP2/（1000*LP）-1/AL]=40*3.14*1.18*[24*24/(1000*285)-1/5250]=0.27mm，滿足0.1≤Lg≤2；

●初級繞組電流密度驗證：

已知條件：DIA=0.4mm，IRMS=0.62A，則

CMA={[1.27*DIA*DIA*(π/4)]/IRMS}*(1000/25.4)*(1000/25.4)={[1.27*0.4*0.4*(π/4)]/0.62}*(1000/25.4)*(1000/25.4)=398.7mil/A，

滿足500≥CMA≥200。

綜上，BM、CMA以及Lg設計合理(li)。

終于快完成大半工(gong)作(zuo)了。。。開(kai)貼(tie)時(shi)真(zhen)沒想(xiang)到會有這么多東西要寫

一、MOSFET開關(guan)管漏(lou)極電壓的(de)測量

注意事項：

1.測量MOSFET 上的(de)開關電(dian)壓(ya)時(shi)，需要使用一個電(dian)壓(ya)達100 倍的(de)探針(zhen)，額定電(dian)壓(ya)至少為1000 V 。用于(yu)查看(kan)漏極電(dian)壓(ya)波形的(de)示波器與探針(zhen)的(de)帶寬(kuan)都應為100 MHz 或(huo)更大(da)；

2.在將探針連接到(dao)電路之前，需要先對示波(bo)器的(de)(de)探針進行調節補償，這樣才可以獲得較(jiao)為準確的(de)(de)測(ce)量結果；

3.測量(liang)之(zhi)前，建議使用一(yi)個經(jing)過校(xiao)準的(de)數(shu)字萬(wan)用表(biao)和(he)示(shi)波器來測量(liang)固(gu)定直流電壓(ya)，用來檢驗示(shi)波器自身的(de)校(xiao)準度(du)；

測量：

1.測試時，將示(shi)波器(qi)(qi)(qi)的(de)(de)數字(zi)化采樣率設(she)置為盡(jin)可(ke)能高的(de)(de)非(fei)重復值。此外，將示(shi)波器(qi)(qi)(qi)和(he)輸入通道設(she)置到(dao)最大帶寬，然(ran)后關斷(duan)示(shi)波器(qi)(qi)(qi)提供的(de)(de)所(suo)有(you)額外濾波。這些(xie)步驟(zou)將確保獲得盡(jin)可(ke)能高的(de)(de)準確度 ；

2.當(dang)峰值(zhi)電壓的絕對值(zhi)非常(chang)重要時,可以將示波(bo)器探(tan)棒替換為(wei)紋(wen)波(bo)探(tan)針，以便(bian)獲得最佳測(ce)量(liang)結果。這樣可以減小探(tan)針接地線(xian)的環路面(mian)積，降低噪聲干擾；

二、測量整流橋輸出電壓

測(ce)量整流(liu)橋輸(shu)出電(dian)壓時(shi)，有一點特別注意：

由于常用示波(bo)器探頭的(de)地是(shi)和示波(bo)器電(dian)(dian)源(yuan)供電(dian)(dian)端三相(xiang)插座的(de)地是(shi)連通的(de)，這樣一來就不能直(zhi)接(jie)用示波(bo)器探頭測量整流(liu)橋輸出電(dian)(dian)壓信號，否則會出現交流(liu)輸入火(huo)線和大地短接(jie)的(de)跳(tiao)閘(zha)現象。

解決措施：

1.示(shi)波器供電(dian)采用(yong)隔離變壓器供電(dian)；

2.將示(shi)(shi)波器(qi)(qi)供電插座上的(de)接(jie)地腳去掉不(bu)和外部大地連(lian)接(jie)，但是個(ge)人(ren)不(bu)推薦(jian)這(zhe)樣(yang)做，因為示(shi)(shi)波器(qi)(qi)的(de)探(tan)針(zhen)負極通常(chang)是和示(shi)(shi)波器(qi)(qi)表殼(ke)連(lian)接(jie)在一起的(de)，這(zhe)樣(yang)測量時(shi)，如果觸(chu)摸到示(shi)(shi)波器(qi)(qi)表殼(ke)上和探(tan)針(zhen)負極相連(lian)的(de)五金部分時(shi)，可能會出現(xian)觸(chu)電現(xian)象(xiang)。

三、測量(liang)(liang)電源效率的測量(liang)(liang)方法(fa)

電源效率的測量主要有兩種方法：

1.瓦(wa)特表+萬用表測量（精確測量）

其(qi)中瓦特(te)表(biao)用(yong)(yong)來測(ce)(ce)(ce)量(liang)輸(shu)(shu)入(ru)有功(gong)(gong)功(gong)(gong)率，主(zhu)要利用(yong)(yong)的是瓦特(te)表(biao)能(neng)自動校正功(gong)(gong)率因數的優點(dian)從而達到準(zhun)確(que)測(ce)(ce)(ce)量(liang)輸(shu)(shu)入(ru)功(gong)(gong)率的目的，萬用(yong)(yong)表(biao)用(yong)(yong)來測(ce)(ce)(ce)量(liang)輸(shu)(shu)出電(dian)(dian)(dian)壓和(he)電(dian)(dian)(dian)路，建議用(yong)(yong)一個高(gao)精度萬用(yong)(yong)表(biao)來測(ce)(ce)(ce)量(liang)輸(shu)(shu)出到負載的電(dian)(dian)(dian)流，用(yong)(yong)一個標準(zhun)萬用(yong)(yong)表(biao)來測(ce)(ce)(ce)量(liang)電(dian)(dian)(dian)源的輸(shu)(shu)出電(dian)(dian)(dian)壓。

2.萬用表(biao)測(ce)量+整流橋前級損耗估算（粗略測(ce)量）

由于(yu)交流(liu)系統中(zhong)電(dian)壓與電(dian)流(liu)之(zhi)間存在(zai)相(xiang)位角，因(yin)此(ci)不(bu)能簡單地將RMS輸(shu)(shu)入(ru)(ru)(ru)電(dian)壓與RMS輸(shu)(shu)入(ru)(ru)(ru)電(dian)流(liu)相(xiang)乘來(lai)計算(suan)(suan)輸(shu)(shu)入(ru)(ru)(ru)功(gong)率(lv)(lv)。只(zhi)有(you)電(dian)源(yuan)消耗(hao)(hao)的(de)(de)有(you)功(gong)功(gong)率(lv)(lv)才是必須考慮的(de)(de)，而返回到(dao)電(dian)源(yuan)的(de)(de)無功(gong)功(gong)率(lv)(lv)Q則不(bu)應(ying)(ying)考慮進(jin)來(lai)。使用(yong)萬用(yong)表(biao)測(ce)量(liang)(liang)(liang)輸(shu)(shu)入(ru)(ru)(ru)功(gong)率(lv)(lv)時，可(ke)(ke)以(yi)在(zai)二(er)(er)極(ji)管整(zheng)流(liu)器(qi)級(ji)將交流(liu)電(dian)轉換為(wei)直(zhi)流(liu)電(dian)之(zhi)后來(lai)測(ce)量(liang)(liang)(liang)輸(shu)(shu)入(ru)(ru)(ru)功(gong)率(lv)(lv)，從而避開功(gong)率(lv)(lv)因(yin)數的(de)(de)影響。為(wei)提高測(ce)量(liang)(liang)(liang)準(zhun)確(que)性，必須將直(zhi)流(liu)總線級(ji)之(zhi)前的(de)(de)元(yuan)件(jian)(jian)中(zhong)的(de)(de)損耗(hao)(hao)計算(suan)(suan)在(zai)內。二(er)(er)極(ji)管整(zheng)流(liu)橋通常是輸(shu)(shu)入(ru)(ru)(ru)級(ji)中(zhong)損耗(hao)(hao)最大(da)的(de)(de)元(yuan)件(jian)(jian)，因(yin)為(wei)在(zai)最差情況下每個二(er)(er)極(ji)管中(zhong)的(de)(de)壓降可(ke)(ke)達(da)到(dao)1.1伏，對于(yu)阻抗或壓降非常大(da)且(qie)可(ke)(ke)測(ce)量(liang)(liang)(liang)的(de)(de)其(qi)它(ta)元(yuan)件(jian)(jian)，使用(yong)這(zhe)種方法(fa)也可(ke)(ke)以(yi)計算(suan)(suan)出其(qi)損耗(hao)(hao)大(da)小。當然如果想提高測(ce)量(liang)(liang)(liang)的(de)(de)準(zhun)確(que)度，還(huan)應(ying)(ying)將其(qi)他輸(shu)(shu)入(ru)(ru)(ru)級(ji)元(yuan)件(jian)(jian)，如浪涌限制器(qi)、共模扼(e)流(liu)圈和數字萬用(yong)表(biao)的(de)(de)電(dian)流(liu)檢測(ce)元(yuan)件(jian)(jian)的(de)(de)損耗(hao)(hao)包(bao)括在(zai)內。要計算(suan)(suan)這(zhe)些損耗(hao)(hao)，需要測(ce)量(liang)(liang)(liang)各元(yuan)件(jian)(jian)在(zai)正常工作情況下的(de)(de)壓降，然后用(yong)該壓降值乘以(yi)測(ce)得的(de)(de)輸(shu)(shu)入(ru)(ru)(ru)電(dian)流(liu)。將這(zhe)些損耗(hao)(hao)計算(suan)(suan)在(zai)內，將會(hui)增大(da)總輸(shu)(shu)入(ru)(ru)(ru)功(gong)率(lv)(lv)并(bing)降低計算(suan)(suan)得出的(de)(de)效率(lv)(lv)。

四、主要功率(lv)元件溫升的測量

溫升的測(ce)(ce)量(liang)主要包括MOS開關管、變(bian)壓器、輸出整(zheng)流二極管和輸出電(dian)容等(deng)關鍵功(gong)率(lv)元件(jian)表面(mian)溫升的測(ce)(ce)量(liang)，常用(yong)的測(ce)(ce)量(liang)儀器有紅(hong)外測(ce)(ce)溫儀和熱電(dian)偶測(ce)(ce)量(liang)儀。

這兩種(zhong)測(ce)量儀器各(ge)有各(ge)的優缺點：

紅外(wai)測溫儀利用的(de)(de)紅外(wai)測溫的(de)(de)原理，對(dui)測試元(yuan)件的(de)(de)材料(liao)、表面積的(de)(de)平整度、表面積的(de)(de)顏色(se)等(deng)有著(zhu)一定的(de)(de)要求，但是(shi)優點(dian)是(shi)測量起(qi)來比較方便，直接手持操(cao)作就可以了；

熱(re)電(dian)偶測(ce)(ce)量(liang)(liang)儀利用(yong)(yong)的(de)(de)(de)是熱(re)電(dian)偶測(ce)(ce)溫(wen)(wen)原理，利用(yong)(yong)兩種金屬在(zai)接點(dian)處(chu)在(zai)不(bu)同(tong)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)時會(hui)呈現出不(bu)動(dong)(dong)的(de)(de)(de)電(dian)動(dong)(dong)勢(shi),我們就可根據這(zhe)很微小(xiao)的(de)(de)(de)產(chan)生的(de)(de)(de)不(bu)同(tong)的(de)(de)(de)電(dian)動(dong)(dong)勢(shi)知它(ta)們這(zhe)時的(de)(de)(de)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)，并把(ba)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)信(xin)號轉(zhuan)換(huan)成熱(re)電(dian)動(dong)(dong)勢(shi)信(xin)號，通過(guo)電(dian)氣儀表（二次儀表）轉(zhuan)換(huan)成被測(ce)(ce)介質的(de)(de)(de)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)。在(zai)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)測(ce)(ce)量(liang)(liang)中，熱(re)電(dian)偶的(de)(de)(de)應用(yong)(yong)極(ji)為廣(guang)(guang)泛，它(ta)具有結構簡單、制造方(fang)便(bian)、測(ce)(ce)量(liang)(liang)范圍廣(guang)(guang)、精(jing)度(du)(du)(du)高、慣性小(xiao)和輸出信(xin)號便(bian)于遠傳(chuan)等許多優點(dian)。缺(que)點(dian)是在(zai)生產(chan)中由于被測(ce)(ce)對象(xiang)不(bu)同(tong)，環境條件不(bu)同(tong)，測(ce)(ce)量(liang)(liang)要求(qiu)不(bu)同(tong)，和熱(re)電(dian)阻的(de)(de)(de)安裝方(fang)法及采取(qu)的(de)(de)(de)措(cuo)施也不(bu)同(tong)，需(xu)要考慮的(de)(de)(de)問題比(bi)較多。

個(ge)人建議調(diao)試時(shi)采用紅(hong)外(wai)測溫儀(yi)測量(liang)，生產老化測試時(shi)用熱(re)電偶進行測量(liang)；

五(wu)、輸出紋波測試(shi)注意事項(xiang)

注意事項：

(1). 測試前先將待測輸(shu)出(chu)并(bing)聯SPEC. 規定(ding)的濾(lv)波電(dian)容, (通(tong)(tong)常(chang)為(wei)(wei)10uF/47uF電(dian)解電(dian)容；或鉭電(dian)容及0.1uF陶瓷電(dian)容) 頻(pin)寬限(xian)制依據SPEC. 而(er)定(ding)(通(tong)(tong)常(chang)為(wei)(wei)20MHz)；

(2). 全(quan)輸入電壓范圍(wei)及(ji)各種輸出負載(zai)；

(3). 應避免示波器探(tan)頭本身干擾所產生的雜波信(xin)號，帶(dai)寬(kuan)設為20MHz，地線要去(qu)掉，采用(yong)探(tan)頭上地直接靠(kao)的方法(fa)，如下圖所示；

(4）取(qu)所有測(ce)試值中最大(da)值作為輸(shu)出紋波電壓大(da)小；

一、實(shi)例功率(lv)因素、效率(lv)和能效測試結(jie)果

測試數據 ：

測試結果：

1#:

功率因數：滿載條件下0.615 ∈（0.5~0.7）；

效率：在額(e)定(ding)(ding)負載(zai)及(ji)1/4，2/4，3/4的額(e)定(ding)(ding)負載(zai)時(shi) Eff (﹪) > 80；

能效：Average Eff = (88.6+87.7+87.3+81.5)/4 = 86.28 > 85；

空載(zai)輸入功率：P空載(zai)=（ 0.7~0.8）W < 1W;

2#:

功率因數：滿(man)載條件下 0.614∈（0.5~0.7）；

效(xiao)率：在額(e)定負載及1/4，2/4，3/4的(de)額(e)定負載時 Eff (﹪) > 80；

 能效：Average Eff = (87.8+87.8+87.1+82.7) /4= 86.35 > 85；

空載輸入功率：P空載=（ 0.7~0.8）W < 1W;

二、實例(li)輸出(chu)紋波測試(shi)結果(guo)

測(ce)試數(shu)據(ju)VRipple及最大幅值的(de)波(bo)形。

測試結果：

1#: 最大VRipple= 312mV < 31.8*1%=318mV ;

2#: 最大VRipple= 316 mV < 31.8*1%=318mV ;

三、實例輸(shu)出電壓上(shang)升/下(xia)降時間(jian)測試結果(guo)

測試(shi)數據及波(bo)形

測試(shi)結果：

1#: Rise Time(空載(zai)/滿載(zai)) < 20ms;Fall Time(滿載(zai)) > 10ms;

2#: Rise Time(空載(zai)(zai)/滿載(zai)(zai)) < 20ms;Fall Time(滿載(zai)(zai)) > 10ms;

四、實例輸出過沖幅度測試結果

測(ce)試數據及波形

測試結果：

 1#，2#最大輸出過(guo)沖(chong)幅度為1.62V < 31.8*10%=3.18V

五(wu)、實例(li)MOS開(kai)關管漏(lou)極(ji)、柵極(ji)工(gong)作波形(xing)測試結果

測試數據及(ji)波(bo)形

①常溫條(tiao)件(jian)下最大(da)輸入電(dian)(dian)壓、最大(da)負載條(tiao)件(jian)下漏極波形的(de)最大(da)電(dian)(dian)壓555V，如圖示：

②正常(chang)工作(zuo)(zuo)+斷電情況下柵極電路工作(zuo)(zuo)波形，如圖示：

六、實例輸出過(guo)流保護測試結果

將電源(yuan)(yuan)(yuan)輸出負(fu)載設定在1.9A，負(fu)載以(yi)一定的斜(xie)率遞(di)增，加(jia)大(da)輸出電流直至電源(yuan)(yuan)(yuan)保(bao)護(hu)(hu)，記(ji)錄當時電子負(fu)載儀中的電流值，電源(yuan)(yuan)(yuan)保(bao)護(hu)(hu)后，將所加(jia)大(da)電流同步遞(di)減，視其輸出是(shi)否自動恢復(fu)。

測試(shi)數據及波形：

測試結(jie)果：

1#：IOCP(A) = 3.4A < 1.9*2=3.8A，過流后，電(dian)源每(mei)隔1秒自動重(zhong)啟動，且電(dian)流減小后，輸出(chu)自動回復；

 2#：IOCP(A) = 3.45A < 1.9*2 =3.8A，過(guo)流(liu)后，電源每(mei)隔1秒自動重啟動，且電流(liu)減小(xiao)后，輸出自動回復；

七(qi)、實例輸(shu)出短路(lu)保護測試結果(guo)

各組(zu)輸出(chu)相互短路(lu)(lu)(lu)，偵測輸出(chu)特性，記錄功(gong)率表中的輸入功(gong)率；開(kai)機后短路(lu)(lu)(lu)，短路(lu)(lu)(lu)后開(kai)機各十次(ci)；當短路(lu)(lu)(lu)設置解(jie)除后，檢測產品是(shi)否自動重新啟(qi)動，元器件(jian)是(shi)否與損毀。

測(ce)試數據及波形：

1# 2#波形基本(ben)類(lei)似：

測試結果：

1#、2#輸出(chu)相互短(duan)路后(hou)，電源每隔1秒自動(dong)重(zhong)(zhong)啟動(dong)，直到短(duan)路設(she)置解(jie)除后(hou)，電源自動(dong)重(zhong)(zhong)新啟動(dong)正常輸出(chu)

樓主(zhu)能不能上個電流波形(xing)啊！~~~

請(qing)教樓(lou)主，初級電流波(bo)形(xing)用示波(bo)器如何去測的啊(a)？只有示波(bo)器電壓(ya)探頭(tou)，沒有電流鉗的情(qing)況下。

暫時(shi)手頭上(shang)也(ye)沒有電(dian)流(liu)探頭，初級電(dian)流(liu)相(xiang)關(guan)的暫時(shi)都(dou)只是進行了簡單的測試。

在沒有電(dian)(dian)流探頭的(de)(de)情況下(xia)，我是在MOS管S級(ji)(ji)和地之間增加了一(yi)個(ge)采(cai)樣電(dian)(dian)阻，通(tong)過(guo)測試(shi)采(cai)樣電(dian)(dian)阻上的(de)(de)電(dian)(dian)壓來(lai)間接評估(gu)初級(ji)(ji)電(dian)(dian)流的(de)(de)，由于增加的(de)(de)采(cai)樣電(dian)(dian)阻不能太大(da)，所以測試(shi)起(qi)來(lai)很容易受(shou)到初級(ji)(ji)信號的(de)(de)干(gan)擾，但是還是可以簡單的(de)(de)反(fan)應初級(ji)(ji)電(dian)(dian)流的(de)(de)波形(xing)的(de)(de)。

六、輸出電壓上升/下(xia)降時間測試注(zhu)意事項(xiang)

1. 輸入電(dian)(dian)壓全(quan)范圍(wei)，電(dian)(dian)源輸出各種負(fu)載。

2. 將(jiang)數字示波器設置(zhi)到(dao)正常捕獲(huo)狀(zhuang)態。SLOPE 設置(zhi)為(wei)為(wei)上升(sheng)沿觸(chu)發(fa) 。

3. 然(ran)后開啟電(dian)源，開啟瞬間，示波(bo)器即會(hui)捕(bu)捉(zhuo)到一輸(shu)出信號，在輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)(ya)(ya)全范圍(wei)，電(dian)源輸(shu)出各(ge)種負載條(tiao)件下多次開啟電(dian)源（每種條(tiao)件下開啟不少于三次），測量輸(shu)出電(dian)壓(ya)(ya)(ya)上升時(shi)(shi)間（即從穩(wen)態(tai)電(dian)壓(ya)(ya)(ya)的(de)10%上升到90%時(shi)(shi)所需時(shi)(shi)間）。

4. 當電(dian)(dian)源在工作時 ，將數字示(shi)(shi)波(bo)器設置(zhi)到正常(chang)捕獲狀態(tai)，SLOPE 設置(zhi)為(wei)為(wei)下降(jiang)沿(yan)觸發 。關(guan)閉電(dian)(dian)源，示(shi)(shi)波(bo)器即(ji)會捕捉到輸(shu)出(chu)(chu)電(dian)(dian)壓(ya)下降(jiang)信號，同樣在輸(shu)入電(dian)(dian)壓(ya)全范圍，電(dian)(dian)源輸(shu)出(chu)(chu)各種負載條件下多關(guan)閉幾次電(dian)(dian)源，測量輸(shu)出(chu)(chu)電(dian)(dian)壓(ya)跌(die)落時間(jian)（即(ji)從穩態(tai)電(dian)(dian)壓(ya)的90%下降(jiang)到10%時所需時間(jian)）。

5. 當輸出負(fu)(fu)(fu)載是(shi)空(kong)載時，建議增(zeng)加一個假(jia)負(fu)(fu)(fu)載放(fang)(fang)在邊(bian)上，待測(ce)試完成后，用假(jia)負(fu)(fu)(fu)載給(gei)電(dian)源放(fang)(fang)下電(dian)，因為空(kong)載時，電(dian)源放(fang)(fang)電(dian)速(su)度很慢(man)，需要等待一段時間才能進行第二次測(ce)試，用假(jia)負(fu)(fu)(fu)載放(fang)(fang)電(dian)的話可以增(zeng)加測(ce)試的效率

八、實(shi)例負載(zai)調(diao)整率測試結(jie)果(guo)

連接(jie)好測試電(dian)路，輸入(ru)(ru)電(dian)壓為額(e)(e)(e)定(ding)(ding)值(zhi)(zhi)(zhi)，負(fu)載電(dian)流(liu)為額(e)(e)(e)定(ding)(ding)值(zhi)(zhi)(zhi)的一半(ban)，測出輸出電(dian)壓整(zheng)定(ding)(ding)值(zhi)(zhi)(zhi)UO，輸入(ru)(ru)電(dian)壓為額(e)(e)(e)定(ding)(ding)值(zhi)(zhi)(zhi)，負(fu)載電(dian)流(liu)在(zai)額(e)(e)(e)定(ding)(ding)值(zhi)(zhi)(zhi)（滿載）與最(zui)小(xiao)值(zhi)(zhi)(zhi)（小(xiao)載）之(zhi)間變化(hua)，測試出電(dian)源穩定(ding)(ding)輸出電(dian)壓的最(zui)大值(zhi)(zhi)(zhi)或最(zui)小(xiao)值(zhi)(zhi)(zhi)U。則負(fu)載調整(zheng)率計算公(gong)式(shi)如下：

負載(zai)調整率= （MAX︱U- U0︱）/ U0*100%

測(ce)試數據（MAX︱U-U0︱）（V）：

測試結果：

1#：負載調整率= （MAX︱U- U0︱）/ U0*100% = 0.04/31.88 *100% = ±0.13% ∈±0.2%；

2#：負載調整率= （MAX︱U- U0︱）/ U0*100% = 0.04/31.83 *100% = ±0.13% ∈±0.2%；

太精彩了

樓主平時(shi)收集資料用什么軟件,MATHCAD? ONENOTE?

后來您說“由(you)于DIA =0.4mm >2Dfm= 0.182 * 2 = 0.364mm，不滿(man)足導線直徑(jing)小于兩倍穿透深(shen)度的(de)原則(ze)，應采用(yong)小直徑(jing)的(de)導線并繞(rao)或采用(yong)多股(gu)導線。設(she)初級繞(rao)組股(gu)數(shu)為2股(gu)，則(ze)dn = d/SQRT(n) = 0.4/SQRT(2) = 0.283mm < 2Dfm= 0.182 * 2 = 0.364mm,可得，

初級繞(rao)組(zu)采用單股導線(xian)裸直徑(jing)DIA =0.283mm的2股導線(xian)并繞(rao)。”

CMA={[1.27*DIA*DIA*(π/4)]/IRMS}*(1000/25.4)*(1000/25.4)={[1.27*0.4*0.4*(π/4)]/0.62}*(1000/25.4)*(1000/25.4)=398.7mil/A，

滿足(zu)500≥CMA≥200。

我覺得您此處(chu)的DIA應該為(wei)0.283mm，或者是0.566mm，而不是等(deng)于0.4mm。我不知(zhi)道兩股(gu)線并繞的DIA算一股(gu)線的裸直徑，還是需要乘(cheng)以(yi)2倍(bei)？

哦(e)哦(e)，理解您的意思了。等(deng)把論文搞(gao)完(wan)了，我會查查資料(liao)的。還有(you)mil/A 是什么意思？這(zhe)個不懂，我的算出來(lai)為(wei)700mil/A.不在200到500之間。

是(shi)不(bu)(bu)是(shi)最(zui)小不(bu)(bu)能(neng)(neng)低于(yu)200，最(zui)大的話無上限，只要變壓器能(neng)(neng)繞(rao)下，工程上考慮200到500間(jian)是(shi)不(bu)(bu)是(shi)因(yin)為成(cheng)本原因(yin)？

電(dian)流密(mi)度的單位為圓密(mi)耳，即c.mil，一般寫成c.m，不是(shi)mil，這里應該是(shi)輸入筆誤。

對電(dian)流(liu)(liu)密度(du)的理(li)解發表下個人看法：變(bian)(bian)(bian)(bian)(bian)壓(ya)器(qi)(qi)的電(dian)流(liu)(liu)密度(du)直接影(ying)響變(bian)(bian)(bian)(bian)(bian)壓(ya)器(qi)(qi)繞(rao)組的工作溫度(du)。電(dian)流(liu)(liu)密度(du)越(yue)大，銅線(xian)(xian)發熱(re)越(yue)多，變(bian)(bian)(bian)(bian)(bian)壓(ya)器(qi)(qi)的繞(rao)組溫度(du)也就會相(xiang)對較高，因此(ci)，在溫升(sheng)限制(zhi)、變(bian)(bian)(bian)(bian)(bian)壓(ya)器(qi)(qi)的散熱(re)條件已經固定的情況下，就需要限制(zhi)變(bian)(bian)(bian)(bian)(bian)壓(ya)器(qi)(qi)的電(dian)流(liu)(liu)密度(du)，以防止(zhi)變(bian)(bian)(bian)(bian)(bian)壓(ya)器(qi)(qi)溫度(du)超(chao)高；電(dian)流(liu)(liu)密度(du)越(yue)小，導(dao)線(xian)(xian)直徑(jing)越(yue)粗，銅重量越(yue)大、導(dao)線(xian)(xian)體積越(yue)大、變(bian)(bian)(bian)(bian)(bian)壓(ya)器(qi)(qi)繞(rao)制(zhi)工藝(yi)也越(yue)復(fu)雜，成(cheng)本也越(yue)高。

至于為什么取(qu)200~500之(zhi)間，這個(ge)應(ying)該是工(gong)程經(jing)驗參(can)數~沒(mei)做太多研究，等有空好好研究一下。

工程上也(ye)有很多(duo)用(yong)A/mm2做單位的。

1圓(yuan)密耳表(biao)示的(de)是直徑為(wei)1mil的(de)圓(yuan)面積(ji)大小，1mil=0.0254mm，那么(me)1圓(yuan)密耳對于的(de)圓(yuan)面積(ji)大小用(yong)mm2表(biao)示的(de)話就為(wei)：

3.14*(0.0254/2)*(0.0254/2)=0.0005064mm2

那么，

電流密(mi)度200圓密(mi)耳/A，可以等效為1/（200*0.0005064）A/mm2= 9.87A/mm2 ≈10A/mm2

電流密度500圓密耳/A，可以等效為1/（500*0.0005064）A/mm2= 3.95A/mm2≈4A/mm2

所以初級繞組(zu)電流密度很(hen)多場合也會用(yong)J＝4～10A / mm2來表示，道理是一樣的，只(zhi)是用(yong)不同的公式而(er)已。

 步(bu)驟(zou)24 –確(que)認BP≤4200高斯。如(ru)有必要(yao)，減小(xiao)限流點降(jiang)低因數KI

步驟24 –確認BP≤4200高斯。如有必要，減小限流點(dian)降低因數KI_實例

已知條件：

ILIMIT(MAX)=2.889A，IP=1.92A，BM=0.2T，則有

BP = ILIMIT(MAX)*BM/IP = 2.889 * 0.2 /1.92 = 0.3T < 0.42T

BP設計驗(yan)證合理

步驟25 –計(ji)算次級峰值電流(liu)ISP

步驟25 –計算(suan)次級峰值電流ISP_實例

已知條件(jian)：IP=1.92A，NP=24，NS=7，則有

ISP = IP * NP/NS = 1.92 * 24/7 = 6.58A

樓主，3W輸出3.3V，0.1%的紋波(bo)率(lv)。這種用反激能實現嗎？

3W左右的小功率電源模(mo)塊市場(chang)上(shang)已經有很(hen)多成(cheng)品了，建議直接用成(cheng)品好(hao)了！

0.1%的紋波(bo)率(lv)實現起來有點困難，如果是這樣(yang)的，建(jian)議(yi)設(she)計成5V左(zuo)右(you)輸(shu)出后，再接(jie)一個LDO比較(jiao)可靠！

多謝答復！也在考慮用一(yi)級LDO

不過用LDO的話效率有(you)點(dian)低，這個你(ni)要考慮(lv)一下！

步(bu)驟26 –計算(suan)次級(ji)RMS電(dian)流ISRMS

計算次級RMS電(dian)流ISRMS的公式原理部分分析詳見步驟(zou)8。

步驟(zou)26 –計算次(ci)級(ji)RMS電流ISRMS_實(shi)例

已知條件：ISP=6.58A，DMAX=31.2%，KP=1，則有：

ISRMS = ISP * SQRT[(1-DMAX)/(3*KP))] = 6.58 * SQRT[(1-0.312)/(3*1)] = 3.15A

二(er)次主繞(rao)組：峰值電流12.46A，有效(xiao)值7.41A；

二次輔繞組：峰(feng)值(zhi)電流9.35A，有效值(zhi)5.56A；感覺好(hao)大啊？求(qiu)大神指教(jiao)！

步驟27 –確定次級繞(rao)組線徑參數ODS、DIAS、AWGS

步驟(zou)27 –確定(ding)次級繞(rao)組線(xian)徑參數ODS、DIAS、AWGS_實例

有關“趨膚效應(ying)”的相關知識詳見步驟17

已知條件：

 開關頻率(lv)FS=132kHZ，次級(ji)繞(rao)組IRMS=3.15A，次級(ji)繞(rao)組電流(liu)密度(du)取CMA=400mil/A，

由(you)PQ26/25磁芯(xin)介紹可知幅寬BW=13.6mm，安全(quan)邊距M取(qu)3mm，則由(you)公式

而次級繞組單股導線的(de)裸直徑

由于DIAS =0.9mm >2Dfm= 0.182 * 2 = 0.364mm，不滿足(zu)導線(xian)直(zhi)徑小(xiao)于兩倍穿透深度的原(yuan)則，應(ying)采用(yong)(yong)小(xiao)直(zhi)徑的導線(xian)并繞或采用(yong)(yong)多股導線(xian)。

要滿足：

dn = DIAS/SQRT(n) = 0.9/SQRT(n) < 2Dfm= 0.182 * 2 = 0.364mm，可(ke)得n>6.11，取n=7，則(ze)

dn = DIAS/SQRT(n) = 0.9/SQRT(7) = 0.34mm < 2Dfm= 0.182 * 2 = 0.364mm，可得，

初級繞組(zu)采(cai)用單股導線裸直(zhi)徑DIAS ≈0.364mm的(de)7股導線并繞。

根據初(chu)級繞組(zu)用(yong)線(xian)的(de)裸(luo)線(xian)導體直徑(jing)DIAS大小確定次級用(yong)線(xian)AWG規格(ge)，AWG規格(ge)確定后，次級繞組(zu)用(yong)線(xian)的(de)外徑(jing)即可確定，再由公(gong)式

可得初級繞組的層數。

步(bu)驟17中有描述：

導(dao)線選擇原(yuan)則：在選用(yong)開關電源變壓器初(chu)、次級繞(rao)組(zu)線徑(jing)時(shi)，應遵(zun)循(xun)導(dao)線直徑(jing)小(xiao)(xiao)于兩(liang)倍穿(chuan)透深(shen)度的(de)(de)原(yuan)則。當導(dao)線要求的(de)(de)線徑(jing)大于由穿(chuan)透深(shen)度決(jue)定(ding)的(de)(de)最大有(you)效(xiao)直徑(jing)時(shi)，應采用(yong)小(xiao)(xiao)直徑(jing)的(de)(de)導(dao)線并繞(rao)或采用(yong)多股(gu)導(dao)線。大電流(liu)繞(rao)組(zu)最好能(neng)采用(yong)寬(kuan)而薄的(de)(de)扁(bian)銅帶，銅帶厚度應小(xiao)(xiao)于穿(chuan)透深(shen)度的(de)(de)兩(liang)倍。

反之(zhi)意(yi)思就是，如(ru)果DIAS<2DFM，導線受趨膚效(xiao)應的(de)影響不大，可(ke)采用單股導線的(de)方式(shi)。

步驟(zou)28 –確定(ding)輸出電容(rong)的紋波電流IRIPPLE

步驟28 –確(que)定輸出電容的紋波電流IRIPPLE_實例

已知條件：

ISRMS = 3.15A，IO = 1.9A

則有：

輸出電容的紋波電流IRIPPLE = SQRT(ISRMS2-IO2) =SQRT(3.152-1.92) = 2.51A

步驟(zou)29 –確定次級及偏置(zhi)繞組的最大(da)峰值(zhi)反向電壓PIVS,PIVB

步驟(zou)29 –確定(ding)次級及偏置繞(rao)組的最(zui)大峰(feng)值反向電壓PIVS,PIVB_實例(li)

已知條件：

VO = 32V，VB = 13.5V，VMAX = 375V，NP = 24，NS = 7，NB = 3

則有：

次級繞(rao)組最大(da)峰值反(fan)向電壓PIVS = VO+(VMAX*NS/NP)=32+(375*7/24) =141.4V

偏置繞組(zu)最大峰(feng)值反向(xiang)電(dian)壓PIVB =VB+(VMAX*NB/NP)=1.35+(375*3/24)=60.4V

步驟30 –根據VR和ID選擇(ze)輸出整流管

下表(biao)是常用肖特基及(ji)快(kuai)恢復二極管，供參考：

步驟(zou)30 –根據VR和ID選擇輸出整(zheng)流管_實例

已知條件：

PIVS = 141.4V，IO = 1.9A

可得，

輸出整流(liu)管VR >=1.25*PIVS = 1.25* 141.4V = 176.75V，取VR=200V；

輸出(chu)整流管(guan)ID >=3*IO = 3*1.9A=5.7A，取(qu)ID=8A或10A；

綜(zong)上，可選擇輸(shu)出(chu)整(zheng)流管(guan)型號(hao)：

BYW29-200，MBR10200等等。

您好！

本科(ke)畢業(ye)設計需(xu)要一個反激變壓器。輸(shu)(shu)入電(dian)(dian)(dian)壓為(wei)220V，50hz交(jiao)流電(dian)(dian)(dian)，輸(shu)(shu)出(chu)電(dian)(dian)(dian)壓為(wei)12V，電(dian)(dian)(dian)流為(wei)1.5A。由于電(dian)(dian)(dian)網波動等因素，考慮(lv)輸(shu)(shu)入電(dian)(dian)(dian)壓范圍為(wei)200V~240之間。我選(xuan)擇的磁(ci)芯為(wei)EE25，材料(liao)PC40。但是問題來(lai)了(le)，我計算(suan)的初級匝(za)數超(chao)過500圈(quan)，怎么(me)(me)回(hui)事，是否直接說明計算(suan)錯誤？ 我知道圈(quan)數跟輸(shu)(shu)入電(dian)(dian)(dian)壓最(zui)小值關系很大，那么(me)(me)我該如何選(xuan)擇輸(shu)(shu)入電(dian)(dian)(dian)壓最(zui)小值？ 由于以前沒做過高頻(pin)變壓器，所以很多不懂，還望各位(wei)工程師指(zhi)教(jiao)，謝(xie)(xie)謝(xie)(xie)了(le)！

補充(chong)：開關頻率為(wei)(wei)(wei)20KHz（由(you)單(dan)片機產生），變壓器效率暫定為(wei)(wei)(wei)0.7，占(zhan)空(kong)(kong)比(bi)定為(wei)(wei)(wei)0.5。（不知道占(zhan)空(kong)(kong)比(bi)定高了沒有(you)？）

我(wo)如(ru)果按照(zhao)90~240v電(dian)壓設計(ji)，匝數(shu)會(hui)小很多的。因為計(ji)算(suan)匝數(shu)跟輸(shu)入電(dian)壓最小值有關(guan)（不知我(wo)可否理解正(zheng)確了，望(wang)指點）。

如果計算匝數的(de)確(que)是按照輸(shu)入電壓(ya)最(zui)小(xiao)值進行計算，那么我(wo)又有一個問題不(bu)理(li)解了，問題是：既然這(zhe)樣，那么我(wo)們為什么不(bu)把最(zui)小(xiao)輸(shu)入電壓(ya)定的(de)更低些呢(ni)？那樣匝數不(bu)是更少了嗎？

還有一點我們雖然設計(ji)(ji)輸(shu)(shu)入電壓為90~264，以(yi)符合國(guo)際上任何地(di)方(fang)，但是我們通常用(yong)的(de)不都(dou)是220V嗎？用(yong)90V計(ji)(ji)算的(de)值，在(zai)220V輸(shu)(shu)入時(shi)也能(neng)用(yong)？

請您指點一下

如果(guo)你(ni)(ni)(ni)想確認下(xia)你(ni)(ni)(ni)的(de)計(ji)算結(jie)果(guo)或(huo)是(shi)(shi)(shi)計(ji)算出(chu)來的(de)變(bian)壓(ya)(ya)器(qi)(qi)工藝是(shi)(shi)(shi)否合理，教你(ni)(ni)(ni)個(ge)簡單的(de)辦法，你(ni)(ni)(ni)先按照標準公式(shi)計(ji)算出(chu)變(bian)壓(ya)(ya)器(qi)(qi)的(de)相關規格，自己記錄下(xia)來，然(ran)(ran)后你(ni)(ni)(ni)在淘寶或(huo)是(shi)(shi)(shi)阿里上隨便找(zhao)一(yi)(yi)家(jia)(jia)專(zhuan)(zhuan)業(ye)定制變(bian)壓(ya)(ya)器(qi)(qi)的(de)，當然(ran)(ran)了，你(ni)(ni)(ni)得要好好和人家(jia)(jia)忽悠忽悠，說(shuo)你(ni)(ni)(ni)是(shi)(shi)(shi)做產品(pin)的(de)，有多少(shao)(shao)多少(shao)(shao)的(de)量，然(ran)(ran)后你(ni)(ni)(ni)把你(ni)(ni)(ni)的(de)設(she)計(ji)需求(qiu)給他(ta)， 讓他(ta)們幫(bang)你(ni)(ni)(ni)計(ji)算一(yi)(yi)下(xia)變(bian)壓(ya)(ya)器(qi)(qi)的(de)規格，畢竟他(ta)們專(zhuan)(zhuan)業(ye)設(she)計(ji)變(bian)壓(ya)(ya)器(qi)(qi)的(de)，設(she)計(ji)的(de)結(jie)果(guo)具(ju)有參(can)考性！呵(he)(he)呵(he)(he)

如何選擇輸入電壓(ya)最小(xiao)值？

個(ge)人感覺(jue)交流輸入電壓最(zui)小值這個(ge)不(bu)是你(ni)自己定義的，而是由你(ni)的產品的應(ying)用需(xu)(xu)求(qiu)決定的，首(shou)先你(ni)設計開關電源(yuan)的時候必(bi)須(xu)先確定你(ni)的需(xu)(xu)求(qiu)，你(ni)的設計需(xu)(xu)求(qiu)中就必(bi)須(xu)先確定你(ni)的交流電壓輸入范圍，一般來(lai)說主(zhu)要以(yi)下3種(zhong)情況：

由于工頻電(dian)(dian)壓在(zai)全世界沒有統一的標準，各(ge)國(guo)(guo)各(ge)不(bu)相(xiang)同(tong)地(di)區性差異很大，設計成(cheng)寬輸入電(dian)(dian)壓范圍主要是為了滿足不(bu)同(tong)地(di)區標準。我國(guo)(guo)單(dan)相(xiang)電(dian)(dian)源工頻電(dian)(dian)壓，50赫茲， 220V ，再考慮(lv)電(dian)(dian)網波動，設計成(cheng)220V±20%足夠了。

關于(yu)你(ni)的(de)(de)初級(ji)匝數(shu)超過500圈，個人(ren)覺得應該是你(ni)的(de)(de)計(ji)算(suan)錯誤，首先就(jiu)你(ni)的(de)(de)“為(wei)什(shen)么不(bu)把(ba)最小輸(shu)入電壓(ya)定(ding)的(de)(de)更低(di)些(xie)呢？那樣匝數(shu)不(bu)是更少了”談談我的(de)(de)看法：

本主題帖(tie)16樓有(you)關(guan)于(yu)(yu)最(zui)大(da)占(zhan)空比(bi)DMAX的(de)(de)計算，最(zui)大(da)占(zhan)空比(bi)DMAX由(you)反(fan)射(she)電(dian)壓VOR和最(zui)小(xiao)(xiao)直流輸(shu)(shu)入電(dian)壓決(jue)定，而(er)關(guan)于(yu)(yu)VOR的(de)(de)選擇原則(ze)見主題帖(tie)9樓，VOR確定后(hou)，DMAX即由(you)電(dian)路(lu)的(de)(de)最(zui)小(xiao)(xiao)輸(shu)(shu)入電(dian)壓決(jue)定，最(zui)小(xiao)(xiao)輸(shu)(shu)入電(dian)壓越(yue)小(xiao)(xiao)，DMAX就越(yue)大(da)，這里(li)就有(you)一個問題出現了：

1.當(dang)占空比增大，則意味著輸(shu)出二極管導通時間縮(suo) 短，為(wei)保(bao)持輸(shu)出穩定，更多的時候將由(you)輸(shu)出電容放電電流來保(bao)證(zheng)，輸(shu)出電容將承受更大的高頻紋波電流沖刷，而使(shi)其發熱(re)加劇，這(zhe)在許多條(tiao)件(jian)下是不允許的。

2.占(zhan)空(kong)比(bi)(bi)(bi)增(zeng)大(da)，改變變壓器(qi)匝數比(bi)(bi)(bi)，會(hui)使(shi)變壓器(qi)漏(lou)(lou)感加(jia)大(da)，使(shi)其整(zheng)體性(xing)能變，當漏(lou)(lou)感能量(liang)大(da)到一定程度，可充分抵消掉開關管大(da)占(zhan)空(kong)帶來(lai)的低損耗(hao)，就(jiu)沒(mei)有再增(zeng)大(da)占(zhan) 空(kong)比(bi)(bi)(bi)的意義了(le)，甚至(zhi)可能會(hui)因為漏(lou)(lou)感反(fan)峰(feng)值電壓過高而擊穿開關管。由(you)于漏(lou)(lou)感大(da)，可能使(shi)輸出(chu)紋波，及(ji)其他一些電磁(ci)指標(biao)變差。

3.占空比增(zeng)大(da)太大(da)，電路(lu)容易(yi)工(gong)作(zuo)在連(lian)續(xu)模式，設計成連(lian)續(xu)模式，雖然初級電路(lu)中的交流成分(fen)要比不連(lian)續(xu)模式少，可減小(xiao)MOSFET和(he)高頻變壓(ya)器的損耗，提高電源效率，但工(gong)作(zuo)環路(lu)穩(wen)定性不好控(kong)制(zhi)(zhi)，許多設計師(shi)寧可采用非連(lian)續(xu)狀(zhuang)態設計，這樣控(kong)制(zhi)(zhi)環路(lu)較容易(yi)穩(wen)定。

4.很多的(de)(de)MOS管芯片都有DMAX占(zhan)空比這一指標(biao)，當你確定的(de)(de)最大占(zhan)空比很大時，又給(gei)MOS管芯片的(de)(de)選擇帶來了難(nan)度。

等(deng)等(deng)，等(deng)等(deng)，還有很多其(qi)他的(de)設(she)計因數，設(she)計的(de)時候需(xu)要綜合(he)去(qu)考慮

關于(yu)“我如(ru)果按照90~240v電(dian)壓設計，匝數會小很多的。因為計算匝數跟輸入電(dian)壓最小值有關（不知我可(ke)否理解(jie)正確了，望指點）”

以斷續模(mo)式(shi)為例(li)。

1.首(shou)先，詳見(jian)31樓，

2.由(you)1可知，當磁(ci)芯(xin)確(que)定好(hao)后(hou)（詳見18樓(lou)，步(bu)驟(zou)14_選擇磁(ci)芯(xin)和骨架，再(zai)從磁(ci)芯(xin)和骨架的數(shu)據手冊中得到Ae，le，AL，和BW的參考(kao)值(zhi)），初級繞組(zu)匝數(shu)NP就和LP,IP相關(guan)，我們再(zai)來看22樓(lou)有關(guan)LP的計(ji)算（以DCM模式為例）：

，

公式中(zhong)PO,FS都已經確定，那么LP就只和IP有關了(le)；

3.綜(zong)上(shang)1,2，NP和IP相關，我們再來看下IP相關的信息，詳見主題帖17樓

而DMAX與VMIN、VOR相(xiang)關(guan)；

4.綜上(shang)分析(xi)可知(zhi)，計算匝數跟輸入電(dian)壓最小值有關。

關于“還有一點我們(men)雖然設計(ji)輸(shu)入電壓為90~264，以(yi)符合國際上任何地(di)方，但是(shi)我們(men)通常(chang)用(yong)的不都是(shi)220V嗎？用(yong)90V計(ji)算的值，在(zai)220V輸(shu)入時(shi)也能用(yong)？”

是(shi)的(de)，我國單相電壓大小主要(yao)是(shi)50hz，220V，用90V計(ji)算的(de)值，是(shi)因(yin)為(wei)：

磁性材料(liao)有(you)個(ge)(ge)Bm限(xian)制(zhi)，同(tong)(tong)時有(you)一個(ge)(ge)居里(li)(li)溫度限(xian)制(zhi)。如果是全(quan)輸入電壓范圍(wei)均(jun)為DCM工作(zuo)模式，那么全(quan)范圍(wei)內deltB是相同(tong)(tong)的(de)，所(suo)(suo)以就Bm的(de)限(xian)制(zhi)來說無所(suo)(suo)謂(wei)最大(da)(da)(da)或(huo)最小(xiao)電壓；但(dan)同(tong)(tong)樣的(de)deltI持(chi)續時間長的(de)有(you)效值大(da)(da)(da)，所(suo)(suo)以銅線繞組在最大(da)(da)(da)占(zhan)空比(bi)(bi)時發(fa)熱更嚴重，考(kao)慮(lv)居里(li)(li)溫度的(de)限(xian)制(zhi)，要(yao)選擇最大(da)(da)(da)占(zhan)空比(bi)(bi)的(de)情(qing)況(kuang)計算(suan)。

如果是(shi)低壓(ya)CCM，高壓(ya)DCM就復雜一(yi)些(xie)。低壓(ya)時Bm受限，鐵(tie)損最(zui)小而銅損最(zui)大；DCM狀態時鐵(tie)損達到(dao)最(zui)大而銅損也還(huan)(huan)沒降(jiang)低到(dao)最(zui)小，溫升(sheng)可能比(bi)最(zui)低輸(shu)入(ru)電壓(ya)還(huan)(huan)高。但因反激應用(yong)一(yi)般不(bu)會(hui)進入(ru)深度(du)CCM狀態，通(tong)常鐵(tie)損變(bian)化不(bu)大，所(suo)以(yi)通(tong)常選擇最(zui)低輸(shu)入(ru)電壓(ya)來計算，不(bu)過最(zui)好要驗證(zheng)一(yi)下BCM狀態時的溫升(sheng)。

用90V計算的值(zhi)，在220V輸入時是可(ke)以工作的。

感覺這匝數是不是多了點，你確定你沒有算錯(cuo)？？？？

感覺你(ni)(ni)的計(ji)算(suan)(suan)有點問題，這樣(yang)吧(ba)，推(tui)薦你(ni)(ni)個EXCEL計(ji)算(suan)(suan)工(gong)具，你(ni)(ni)重新(xin)把(ba)你(ni)(ni)的設計(ji)需(xu)求(qiu)輸入(ru)后(hou)計(ji)算(suan)(suan)看看

反(fan)激(ji)式電子變(bian)壓器設計 .xls

步(bu)驟31 –輸出電容(rong)的選擇

無(wu)論(lun)正激式(shi)開關電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)工作(zuo)輸出的(de)(de)(de)(de)矩形波電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)，還是(shi)反激式(shi)開關電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)的(de)(de)(de)(de)鋸齒(chi)波電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)，均含有(you)(you)極其豐富的(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)(gao)次諧波電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)與電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)。這些高(gao)(gao)(gao)次諧波電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)是(shi)不(bu)允(yun)許作(zuo)為輸出電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)成分(fen)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)入負(fu)載，需要(yao)(yao)采用(yong)高(gao)(gao)(gao)頻(pin)阻抗(kang)低的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)對其分(fen)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)短路。這要(yao)(yao)求濾(lv)(lv)波電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)應(ying)具(ju)有(you)(you)很(hen)好的(de)(de)(de)(de)阻抗(kang)頻(pin)率特性，這與工頻(pin)整流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)濾(lv)(lv)波對電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)要(yao)(yao)求大(da)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)量的(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求有(you)(you)所不(bu)同的(de)(de)(de)(de)（工頻(pin)整流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)濾(lv)(lv)波很(hen)容(rong)(rong)(rong)易濾(lv)(lv)除工頻(pin)的(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)(gao)次諧波，即使是(shi)40次也(ye)不(bu)過才2000Hz，一般電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)很(hen)容(rong)(rong)(rong)易實(shi)現）。因此開關電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)的(de)(de)(de)(de)輸出整流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)濾(lv)(lv)波電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)即使選(xuan)用(yong)鋁(lv)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)也(ye)應(ying)首選(xuan)低ESR的(de)(de)(de)(de)鋁(lv)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)，而絕(jue)不(bu)能(neng)隨意(yi)到(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)市場抓(zhua)到(dao)(dao)什么(me)樣的(de)(de)(de)(de)鋁(lv)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)（只(zhi)要(yao)(yao)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)、電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)量滿足(zu)要(yao)(yao)求）均可(ke)。這樣作(zuo)的(de)(de)(de)(de)結(jie)果將是(shi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)的(de)(de)(de)(de)輸出紋(wen)波電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)過高(gao)(gao)(gao)，特別(bie)是(shi)峰(feng)-峰(feng)值(zhi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)過高(gao)(gao)(gao)。

反激式(shi)開關電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源要(yao)求(qiu)輸(shu)(shu)出整(zheng)流(liu)濾波(bo)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器“短路”輸(shu)(shu)出電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)中不需要(yao)的(de)交流(liu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)成分，因此(ci)(ci)將流(liu)過非(fei)常高(gao)的(de)有(you)效值電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)，要(yao)求(qiu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器具有(you)能(neng)(neng)夠承受這個電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)的(de)能(neng)(neng)力；不僅如(ru)此(ci)(ci)，為(wei)了盡(jin)可能(neng)(neng)將所有(you)的(de)交流(liu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)分量“短路”要(yao)求(qiu)輸(shu)(shu)出濾波(bo)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器均(jun)由盡(jin)可能(neng)(neng)低(di)(di)的(de)ESR，因此(ci)(ci)輸(shu)(shu)出整(zheng)流(liu)濾波(bo)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器將需要(yao)極低(di)(di)ESR的(de)“高(gao)頻低(di)(di)阻”鋁(lv)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器或低(di)(di)ESR鉭電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器以及陶瓷貼(tie)片電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器。選(xuan)擇一般的(de)低(di)(di)阻鋁(lv)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器實則需要(yao)更多(duo)數量的(de)才(cai)能(neng)(neng)滿(man)性(xing)能(neng)(neng)要(yao)求(qiu)。相對于電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)量則不再(zai)是選(xuan)擇依據。

選擇原則：

 1.在105度及100KHZ頻率下紋(wen)波電(dian)流的規格(ge)：必須(xu)大于(yu)等于(yu)步驟28（49樓）中得到的IRIPPLE數值，工程設計(ji)上建議≥120%*IRIPPLE；

2.ESR規格：使用(yong)低ESR的電解電容(rong)。輸出開關(guan)紋(wen)波電壓等于(yu)ISP*ESR，其中ISP為步驟25（36樓）中得到的數(shu)值。

3.耐壓(ya)(ya)規(gui)格：電(dian)容的(de)耐壓(ya)(ya)是根據電(dian)路的(de)電(dian)壓(ya)(ya)來的(de)，一(yi)(yi)般(ban)考慮到感性負載帶來的(de)瞬(shun)間高(gao)壓(ya)(ya)，需要取耐壓(ya)(ya)值(zhi)相對高(gao)于電(dian)路電(dian)壓(ya)(ya)的(de)電(dian)容，一(yi)(yi)般(ban)選擇(ze)≥1.5~2倍比(bi)較可靠；

步(bu)驟31 –輸出電容的選(xuan)擇_實例

已知條件：

IRIPPLE =2.51A，ISP = 6.58A，VO = 32V，FS = 132KHZ，DMAX = 31.2%，設輸出紋波要求為120mV

則有：

■輸出電容(rong)在(zai)105度及100KHZ頻率下紋波電流的規格：必須大于等于120%*IRIPPLE =120%*2.51A= 3A；

■輸出(chu)開關紋(wen)(wen)波(bo)電(dian)壓(ya) =ISP*ESR → 輸出(chu)電(dian)容ESR <=輸出(chu)開關紋(wen)(wen)波(bo)電(dian)壓(ya) / ISP = 120mV/6.58A = 18mΩ；

■耐壓規格：選擇輸出電壓的(de)1.5倍，以預留一定的(de)設計裕量，1.5*VO=1.5*32V=48V，取50V；

■輸出電(dian)容量：Cmin = ISP*Ton/VRIPPLE = (ISP*DMAX)/(VRIPPLE*FS) = (6.58A*0.312)/(0.12*132*1000)=129UF；

綜上，輸(shu)出電容可選擇：

以(yi)美國United Chemi-Con品牌為例

EKZE500ELL271MJ20S型(xing)號規(gui)格：270UF/50V，額定紋波電流(liu)=1580mA，ESR=30mΩ

可選擇2個EKZE500ELL271MJ20S型號并聯(lian)使用即(ji)可滿足設計(ji)要求(qiu)。

步驟32 –后級濾波器電感L和電容C的選擇(ze)

通常由于次級(ji)(ji)二極管(guan)整流的脈動電流和電解電容ESR的問題，紋波電壓不能(neng)滿足要求，所以必須在后面加一(yi)級(ji)(ji)LC濾 波，以滿足電壓紋波的要求。為了讓電感(gan)上(shang)的直流壓降(jiang)小，我們希(xi)望(wang)電感(gan)的直流電阻盡量小，一(yi)般選擇幾個uH的電感(gan)。

根(gen)據(ju)(ju)ZL=2×π×fs×L，可以(yi)求(qiu)(qiu)出電(dian)(dian)感L的(de)感抗。然后(hou)根(gen) 據(ju)(ju)需要對(dui)紋波電(dian)(dian)壓衰減的(de)比例(li)，來求(qiu)(qiu)后(hou)級電(dian)(dian)解電(dian)(dian)容的(de)ESR的(de)需求(qiu)(qiu)，進而選擇(ze)合適(shi)的(de)電(dian)(dian)解電(dian)(dian)容與L組成LC濾波器(qi)。同時(shi)，注(zhu)意LC諧振頻率(lv)的(de)位(wei)置，LC截止頻率(lv)與系統(tong)穿越頻率(lv)的(de)位(wei)置以(yi)及(ji)引入的(de)零極點對(dui)反饋的(de)影響，關于(yu)環(huan)路穩定性方面(mian)的(de)知識會在(zai)后(hou)續章節介(jie)紹。例(li)如在(zai)132KHz下(xia)，L=3.3uH，ZL=2.73歐(ou)，所以(yi)，后(hou)面(mian)的(de)C的(de)ESR小于(yu)0.273歐(ou)的(de)話，就(jiu)可以(yi)使紋波下(xia)降(jiang)10倍，具體大小根(gen)據(ju)(ju)實際(ji)情況進行(xing)選擇(ze)。

一般(ban)選擇選擇：

電(dian)(dian)(dian)感(gan)(gan)L：2.2UH~4.7UH。對于低電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)（≤1A）的輸出(chu)使用穿心磁(ci)珠就可以了，而(er)較(jiao)高電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)的輸出(chu)可以使用非(fei)定(ding)(ding)制的標準電(dian)(dian)(dian)感(gan)(gan)。如果有必要，可以增加電(dian)(dian)(dian)感(gan)(gan)的電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)額(e)定(ding)(ding)值從而(er)避免(mian)在(zai)電(dian)(dian)(dian)感(gan)(gan)兩端出(chu)現過(guo)高的壓降。

電容(rong)C:100UF~330UF電解電容(rong)

電感、電容選擇完成后(hou)在系(xi)統環路動態補償(chang)設計的時候最(zui)好再加以確認一(yi)下。詳見后(hou)續“環路動態補償(chang)設計”章(zhang)節

建議你(ni)加上LC，L就(jiu)(jiu)用(yong)普通(tong)的(de)穿心磁珠(zhu)或是低(di)ESR的(de)工字(zi)電(dian)(dian)感(gan)就(jiu)(jiu)可以了，這里的(de)LC一(yi)起(qi)組成(cheng)了一(yi)個低(di)通(tong)濾波(bo)器，同(tong)時(shi)增(zeng)加了一(yi)個電(dian)(dian)路極(ji)點，單獨(du)用(yong)C的(de)話，一(yi)方(fang)面濾波(bo)效果不明顯，另一(yi)方(fang)面由于C的(de)ESR引入了電(dian)(dian)路零點，不是我(wo)們想要(yao)的(de)，具體有關(guan)零極(ji)點的(de)基礎(chu)知(zhi)識會(hui)在最后一(yi)章詳細介紹(shao)哦

步驟32 –后級(ji)濾波器電(dian)感L和電(dian)容C的選擇_實例

一般(ban)選擇(ze)原則：

電感(gan)L：2.2UH~4.7UH。對于低電流(liu)(liu)（≤1A）的(de)輸出使用(yong)穿(chuan)心磁珠就(jiu)可以了，而較(jiao)高(gao)電流(liu)(liu)的(de)輸出可以使用(yong)非(fei)定(ding)制的(de)標準電感(gan)。如果(guo)有必要(yao)，可以增加(jia)電感(gan)的(de)電流(liu)(liu)額(e)定(ding)值從而避免在(zai)電感(gan)兩端出現過(guo)高(gao)的(de)壓降。

電容C:100UF~330UF電解電容

電感、電容選擇完(wan)成后在系統環路動(dong)態補償設(she)計的時候最好(hao)再(zai)加(jia)以確(que)認一下。詳見后續(xu)“環路動(dong)態補償設(she)計”章節

步驟33 –從表(biao)10選擇偏置繞組(zu)的整(zheng)流(liu)管

●VR≥1.25*PIVB;其中PIVB在(zai)步驟29中有計算過程(cheng)（詳見50樓），而VR為整流二極管的反向(xiang)電壓(ya)額定值，選(xuan)擇1.25倍主要是考慮預(yu)留一點設計裕量(liang)。

選擇(ze)時(shi)同樣是(shi)優先考慮選擇(ze)肖(xiao)特(te)基二極管，如果是(shi)肖(xiao)特(te)基二極管的反向耐壓無法(fa)滿足需求(qiu)的情(qing)況下，可以選用超快(kuai)速(su)或快(kuai)速(su)二極管（具體選擇(ze)原因詳見51樓介紹），可參考表10：

步驟33 –從(cong)表10選(xuan)擇偏置繞組的整流管(guan)_實例

已知條(tiao)件：PIVB=60.4V

則有：

偏置繞組整流(liu)管(guan)VR>=1.25*PIVB=1.25*60.4=75.5V,考慮設計(ji)裕量，選擇VR >= 100V

綜上，可(ke)選擇(ze)常用的即可(ke)，例：

步驟(zou)34 –偏置繞組電容的(de)選擇

偏置繞(rao)(rao)組(zu)電容(rong)的選擇沒有太多講究(jiu)，一般以MOS管(guan)芯片推薦電路的參數就(jiu)好了，例(li)如(ru)PI公(gong)司(si)的TOP-GX系(xi)列，推薦的偏置繞(rao)(rao)組(zu)電容(rong)的大小為(wei)

●使用1UF、50 V的瓷片(pian)電容

雖然(ran)貼片陶(tao)瓷電(dian)容(rong)也有1UF/50V封裝的(de)規格(ge)，但個人還是建議使用瓷片電(dian)容(rong)或電(dian)解(jie)電(dian)容(rong)之(zhi)類的(de)，主要是防止貼片陶(tao)瓷電(dian)容(rong)在工作中由于布線等不當引起的(de)壓電(dian)效應，從而會(hui)有嘯叫現象(xiang)產生，不過目前(qian)還沒遇到過這個現象(xiang)！

步(bu)驟34 –偏置繞組(zu)電容(rong)的選(xuan)擇_實例

偏(pian)置繞組(zu)電(dian)容(rong)的(de)(de)選擇(ze)沒有(you)太多講(jiang)究(jiu)，一般以MOS管芯片推(tui)薦(jian)電(dian)路的(de)(de)參數(shu)就(jiu)好了，例(li)如(ru)PI公(gong)司的(de)(de)TOP-GX系列(lie)，推(tui)薦(jian)的(de)(de)偏(pian)置繞組(zu)電(dian)容(rong)的(de)(de)大小(xiao)為

●使(shi)用1UF、50 V的瓷片電容

雖然(ran)貼片陶瓷電(dian)(dian)(dian)容也有1UF/50V封裝的(de)(de)規格，但個人還(huan)是建(jian)議使用(yong)瓷片電(dian)(dian)(dian)容或電(dian)(dian)(dian)解電(dian)(dian)(dian)容之類的(de)(de)，主(zhu)要是防止(zhi)貼片陶瓷電(dian)(dian)(dian)容在工(gong)作中由于布線等(deng)不當引起的(de)(de)壓電(dian)(dian)(dian)效應，從而會有嘯叫現象(xiang)產生，不過目前(qian)還(huan)沒(mei)遇到過這個現象(xiang)！

步驟35 –控制極引腳電容(rong)及串聯(lian)電阻的選(xuan)擇

MOS管(guan)芯(xin)片控制引腳電(dian)容及(ji)串(chuan)聯電(dian)阻的選擇一般使(shi)用MOS管(guan)芯(xin)片規格書推薦值(zhi)，以TOP-GX系列(lie)為例，

●控制(zhi)極引(yin)腳電容：4 7 u F 、1 0 V 的低成本(ben)電解電容 (不要使用低ESR的電容)。

●串聯電(dian)阻：6.8 Ω、1/4 W的電(dian)阻 (如果KP ≥ 1，比(bi)如非連續(xu)模式，則不(bu)需要(yao)此電(dian)阻)。

步驟35 –控制極引腳電容及串聯電阻的選擇_實例

MOS管(guan)芯片控(kong)制引(yin)腳(jiao)電容及串聯電阻的(de)選擇一般使用MOS管(guan)芯片規格書推薦值，以(yi)TOP-GX系(xi)列(lie)為例，

●控制極引腳電(dian)(dian)容：4 7 u F 、1 0 V 的低成本電(dian)(dian)解(jie)電(dian)(dian)容 (不(bu)要使用低ESR的電(dian)(dian)容)。

●串聯電(dian)阻：6.8 Ω、1/4 W的電(dian)阻 (如果KP ≥ 1，比(bi)如非連(lian)續(xu)模式(shi)，則(ze)不需(xu)要此(ci)電(dian)阻)。 

您好(hao)！這個(ge)部分我不是很(hen)理解：

首先，控(kong)制引腳電(dian)容(rong)以及電(dian)阻取值(zhi)，還有上面那個偏置(zhi)繞組那個電(dian)容(rong)您說一般使用(yong)MOS管芯片規格書推薦值(zhi)，我在TOP的PDF沒發現這些推薦呢？

其次，這(zhe)個推薦值選取的(de)(de)原因那個規格(ge)書怎么解釋的(de)(de)啊？

我也在學(xue)習(xi)，先去學(xue)習(xi)TOP工作原理(li)以及周邊的參(can)數的選取(qu)，恰好在控制引(yin)腳(jiao)這塊(kuai)不太明白(bai)，麻煩老師給我講(jiang)解一(yi)下，謝謝啦！

■步(bu)驟36 –根(gen)據(ju)步(bu)驟2中(zhong)圖3、4、5及6中(zhong)所示的參考(kao)反饋電(dian)(dian)路(lu)的類型，選用相(xiang)應的反饋電(dian)(dian)路(lu)元件

1.根據(ju)電(dian)(dian)路(lu)穩壓精度和負載調整率的需求，選(xuan)擇步(bu)驟2（詳見5樓）中圖(tu)3、4、5、及6所示的參考反饋電(dian)(dian)路(lu)的其中一種類型(xing)；

2.這種反(fan)饋控制(zhi)電(dian)(dian)路的(de)最大特點是(shi)：在輸入電(dian)(dian)壓和負(fu)(fu)載電(dian)(dian)流(liu)變化較(jiao)大時，具(ju)有更快的(de)動(dong)態響應速度，自動(dong)限制(zhi)負(fu)(fu)載電(dian)(dian)流(liu)，補償電(dian)(dian)路簡單。

3.電路分析：

圖3:初級/基本反饋電(dian)路(lu)(lu)，將偏(pian)置線圈(quan)通過(guo)限流電(dian)阻直接作(zuo)為MOS管芯片控(kong)制極的輸(shu)入，優點是電(dian)路(lu)(lu)設計成本最(zui)低，電(dian)路(lu)(lu)設計簡單；缺點是電(dian)路(lu)(lu)輸(shu)出(chu)精度(du)(du)有點差，只(zhi)適用(yong)于對輸(shu)出(chu)精度(du)(du)要求不高的低功率應(ying)用(yong)場合；

圖(tu)4:初級/增(zeng)強(qiang)反饋(kui)電路，在圖(tu)3的(de)基礎上增(zeng)加了穩壓管(guan)，是(shi)基本反饋(kui)電路的(de)增(zeng)強(qiang)型(xing)(xing)，相對于(yu)基本反饋(kui)類型(xing)(xing)，提高了輸出(chu)精度和負(fu)載調整率，缺電是(shi)只(zhi)適用(yong)于(yu)對輸出(chu)精度有簡(jian)單要求低功(gong)率應用(yong)場合；

圖5:光耦(ou)器/穩壓(ya)管(guan)反饋電路，輸(shu)出電壓(ya)通過光耦(ou)作用于TOPSwitchⅡ控(kong)制極，在輸(shu)出電壓(ya)反饋精度上有所提高(gao);

圖(tu)6:光耦(ou)器/TL431反饋(kui)電(dian)路(lu)(lu)，在圖(tu)5基礎上增(zeng)加了(le)精(jing)密基準TL431，使(shi)得輸出穩壓(ya)精(jing)度(du)和負載調整率(lv)都能獲(huo)得較(jiao)高(gao)的精(jing)度(du)，缺點是增(zeng)加了(le)電(dian)路(lu)(lu)成本(ben)，同時增(zeng)加了(le)反饋(kui)環(huan)路(lu)(lu)動態穩定(ding)性(xing)的設計，有關(guan)環(huan)路(lu)(lu)穩定(ding)的介紹詳(xiang)見(jian)下(xia)一章節介紹。

步驟36 –根據(ju)圖3、4、5及(ji)6中所(suo)示的(de)參(can)考反饋(kui)電(dian)路的(de)類型(xing)，選用(yong)相應的(de)反饋(kui)電(dian)路元件_實例(li)

首先(xian)，根據本例負載調(diao)整率±0.2%的需求，選(xuan)擇光耦器/TL431反(fan)饋(kui)電路

其中，光(guang)耦(ou)型號為HCPL-181-00BE，TL431型號為TL431IDBZ

步驟(zou)37 –環路(lu)動(dong)態(tai)補償設(she)計，以(yi)TOP-GX系列芯片為例

37.1 、TL431工(gong)作條件分析

TL431工(gong)作條件：在選擇電阻(zu)時必須保證通(tong)過陰(yin)極的電流要(yao)大于1ma

圖(1)是TL431的(de)典型接法，輸出一(yi)個固(gu)定電壓值，計算公(gong)式是：Vout=(R1+R2)*2.5/R2，R2<12.5K歐。R2的(de)取值，R2的(de)值不是任意(yi)取的(de)，要考慮兩(liang)個因素：

1）431參考(kao)輸入端的(de)電(dian)流，一般此(ci)電(dian)流為(wei)2uA左右，為(wei)了(le)避免(mian)此(ci)端電(dian)流影(ying)響分壓(ya)比和避免(mian)噪音的(de)影(ying)響，一般取(qu)流過電(dian)阻R6的(de)電(dian)流為(wei)參考(kao)段電(dian)流的(de)100倍(bei)以(yi)上，所以(yi)此(ci)電(dian)阻要(yao)小于2.5V/200uA=12.5K.

2)待機(ji)功耗的要(yao)求(qiu)，如有此要(yao)求(qiu)，在滿足《12。5K的情(qing)況(kuang)下盡(jin)量取大(da)值。

同時R3的數值應該滿足1mA<(Vcc-Vout)/R3<（150ma）

當R1取(qu)值為(wei)0的時(shi)候，R2可(ke)以省略(lve)，這時(shi)候電路變(bian)成圖(2)的形式，TL431在這里相當于一個2.5V穩(wen)壓管。

利用(yong)TL431還可以組成鑒幅(fu)器，如(ru)圖(3)，這個電(dian)路在輸(shu)入電(dian)壓(ya) Vin < (R1+R2)*2.5/R2 的(de)(de)(de)(de)時(shi)候輸(shu)出(chu)Vout為(wei)高電(dian)平，反之輸(shu)出(chu)接近2V的(de)(de)(de)(de)電(dian)平。需要(yao)注(zhu)意的(de)(de)(de)(de)是當(dang)Vin在(R1+R2)*2.5/R2附近以微小幅(fu)度(du)波動的(de)(de)(de)(de)時(shi)候，電(dian)路會輸(shu)出(chu)不穩定的(de)(de)(de)(de)值。TL431可以用(yong)來提升(sheng)一(yi)個近地電(dian)壓(ya)，并(bing)且(qie)將其反相。如(ru)圖(4)，輸(shu)出(chu)計(ji)算(suan)公(gong)式為(wei)： Vout = ( (R1+R2)*2.5 - R1*Vin )/R2。特別(bie)的(de)(de)(de)(de)，當(dang)R1 = R2的(de)(de)(de)(de)時(shi)候，Vout = 5 - Vin。這個電(dian)路可以用(yong)來把一(yi)個接近地的(de)(de)(de)(de)電(dian)壓(ya)提升(sheng)到一(yi)個可以預先設定的(de)(de)(de)(de)范圍內，唯一(yi)需要(yao)注(zhu)意的(de)(de)(de)(de)是TL431的(de)(de)(de)(de)輸(shu)出(chu)范圍不是滿幅(fu)的(de)(de)(de)(de)。

TL431自身有相當高的(de)(de)增益（我在仿(fang)真中粗略測試，有大(da)概46db），所以可以用(yong)作放(fang)大(da)器。圖(5)顯示了一(yi)個用(yong)TL431組成(cheng)的(de)(de)直流(liu)電(dian)壓(ya)放(fang)大(da)器，這(zhe)個電(dian)路的(de)(de)放(fang)大(da)倍數由R1和Rin決(jue)定，相當于運放(fang)的(de)(de)負反(fan)饋回路，而其靜態輸出電(dian)壓(ya)由R1和R2決(jue)定。這(zhe)個電(dian)路的(de)(de)優點(dian)在于，它結(jie)構簡(jian)單，精(jing)度也不錯，能夠提(ti)供穩(wen)定的(de)(de)靜態特性。缺點(dian)是(shi)輸入阻抗較(jiao)小，Vout的(de)(de)擺幅有限。圖(6)是(shi)交流(liu)放(fang)大(da)器，這(zhe)個結(jie)構和直流(liu)放(fang)大(da)器很(hen)相似，而且具(ju)有同樣的(de)(de)優缺點(dian)

從TOPSWITCH的(de)(de)技術(shu)手冊可以看(kan)出，為(wei)了線(xian)性調節PWM，控制(zhi)端(duan)電(dian)(dian)流(liu)(liu)Ic應控制(zhi)在(zai)2.6~6.6ma之間，Ic的(de)(de)大小是受(shou)控于線(xian)性光(guang)耦PC817A前(qian)端(duan)的(de)(de)發光(guang)二(er)(er)極管的(de)(de)電(dian)(dian)流(liu)(liu)強(qiang)度，一般(ban)選取接近100%的(de)(de)CTR，根據LTV817A的(de)(de)技術(shu)參數，當后端(duan)三極管集(ji)射電(dian)(dian)流(liu)(liu)Ic為(wei)4ma左(zuo)右變(bian)化時，二(er)(er)極管的(de)(de)電(dian)(dian)流(liu)(liu)在(zai)3ma左(zuo)右，而集(ji)射電(dian)(dian)壓在(zai)很寬(kuan)的(de)(de)范圍內線(xian)性變(bian)化，符合TOP管的(de)(de)控制(zhi)要(yao)求，因此可以確定選PC817A的(de)(de)二(er)(er)極管正向電(dian)(dian)流(liu)(liu)IF為(wei)3ma。

再看TL431的(de)要(yao)求，從TL431的(de)技術(shu)參數可知，VKA在(zai)2.5V~36V變化(hua)時(shi)，IKA可以在(zai)從1ma到100ma以內很大范圍里變化(hua)。

一般選(xuan)20ma即可，即可以(yi)穩(wen)定工(gong)作，又能提供一部分死負(fu)載(zai)。不過對(dui)于TOP器件(jian)因為(wei)死負(fu)載(zai)很小，直選(xuan)3~5ma左右(you)就可以(yi)了(le)。

一、

確定(ding)(ding)了(le)上(shang)面幾個關系后(hou)，那幾個電阻的(de)值就好確定(ding)(ding)了(le)。根據TL431的(de)性能，R5、R6、Vo、Vr有固(gu)定(ding)(ding)的(de)關系：

式中(zhong)，Vo為(wei)(wei)輸出電(dian)壓(ya)(ya)(ya)，Vr為(wei)(wei)參考(kao)電(dian)壓(ya)(ya)(ya)，Vr＝2.50V，先取(qu)(qu)R6一個值(zhi)，例(li)如R6＝6.19k，根(gen)據Vo的(de)(de)(de)值(zhi)就可(ke)(ke)(ke)以算出R5了。再來確(que)定(ding)R1和(he)R3。由(you)前所述，PC817的(de)(de)(de)IF取(qu)(qu)3mA，先取(qu)(qu)R1的(de)(de)(de)值(zhi)為(wei)(wei)470Ω，則(ze)其上的(de)(de)(de)壓(ya)(ya)(ya)降(jiang)為(wei)(wei)Vr1＝IF*R1,由(you)PC817技術手(shou)冊知(zhi)(zhi)，其二極管的(de)(de)(de)正向壓(ya)(ya)(ya)降(jiang)Vf典型值(zhi)為(wei)(wei)1.2V，則(ze)可(ke)(ke)(ke)以確(que)定(ding)R3上的(de)(de)(de)壓(ya)(ya)(ya)降(jiang)Vr3＝Vr1+Vf，又知(zhi)(zhi)流過R3的(de)(de)(de)電(dian)流Ir3＝Ika－IF，因(yin)此R3的(de)(de)(de)值(zhi)可(ke)(ke)(ke)以計算出來：R3=Vr3/Ir3=(Vr1+Vf)/(Ika－IF)。根(gen)據以上計算可(ke)(ke)(ke)知(zhi)(zhi)，TL431的(de)(de)(de)陰極電(dian)壓(ya)(ya)(ya)值(zhi)Vka，Vka=Vo‘- Vr3，式中(zhong)Vo‘取(qu)(qu)值(zhi)比(bi)Vo大0.1~0.2V即可(ke)(ke)(ke)。

例：

Vo=32V，取(qu)R6=6.19k，則(ze)R5=73.2k；取(qu)R1＝470Ω，IF＝3mA，則(ze)Vr1＝IF*R1=1.41V；

Vr3＝Vr1+Vf=1.41+1.2=2.61V；

取Ika=20mA，Ir3＝Ika－If＝20－3＝17，R3=Vr3/Ir3=2.61/17=153Ω;

TL431的(de)陰極(ji)電壓值Vka，Vka＝Vo’－Vr3=32.2-2.61=29.59V

結果：R1＝470Ω、R3＝150Ω、R5＝73.2KΩ、R6＝6.19K

上面的(de)計算中有關(guan)R1，R3，R4，R6，C4的(de)取值，需(xu)要考(kao)慮一(yi)下因(yin)素：

●R1的(de)取(qu)值(zhi)(zhi)(zhi)：R1的(de)取(qu)值(zhi)(zhi)(zhi)要保證TOP控(kong)制端取(qu)得所需(xu)要的(de)電(dian)流(liu)(liu)，假設用PC817A，其CTR=0.8-1.6,取(qu)低限0.8，要求流(liu)(liu)過光二(er)極(ji)管的(de)最大電(dian)流(liu)(liu)=6.6/0.8=8.25mA,所以(yi)R1的(de)值(zhi)(zhi)(zhi)<=(32.2 -2.5-1.2)/8.25=3.45K, 光二(er)極(ji)管能(neng)承受的(de)最大電(dian)流(liu)(liu)在50mA左右，431為(wei)100mA，所以(yi)我們取(qu)流(liu)(liu)過R1的(de)最大電(dian)流(liu)(liu)為(wei)50mA，R1>（32.2-2.5-1.2)/50=570歐姆。要同時滿(man)足這兩個條件：570<R1<3.45K; 除此以(yi)外，R1的(de)值(zhi)(zhi)(zhi)影(ying)響(xiang)開(kai)環的(de)增益，傳遞函數R1在分(fen)母上，

R1的具體取值在滿(man)足上面范圍的情況下由環路設(she)計決定。

●R3的(de)(de)取值：431要(yao)求有(you)1mA的(de)(de)工作(zuo)電流，也就是R1的(de)(de)電流接近于零時，也要(yao)保證(zheng)431有(you)1mA，所以R3<=1.2V/1mA=1.2K即可。除此以外也是功耗方面(mian)的(de)(de)考慮。

●R6的取值：R6的值不是(shi)任(ren)意(yi)取的，要(yao)考慮兩個因素：

1）431參(can)考(kao)輸入端的(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)，一般(ban)此電(dian)(dian)(dian)流(liu)為2uA左右(you)，為了避免此端電(dian)(dian)(dian)流(liu)影(ying)響(xiang)分壓比和避免噪(zao)音的(de)影(ying)響(xiang)，一般(ban)取流(liu)過電(dian)(dian)(dian)阻(zu)R6的(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)為參(can)考(kao)段電(dian)(dian)(dian)流(liu)的(de)100倍(bei)以上，所以此電(dian)(dian)(dian)阻(zu)要小于2.5V/200uA=12.5K.

2)待機功耗的要(yao)求，如有此要(yao)求，在滿足《12。5K的情況下盡量(liang)取最大(da)值。

●R4，C4的取值：R5C4形成(cheng)一個在(zai)原點(dian)的極點(dian)，用于提(ti)升低(di)(di)頻(pin)增益(yi)，來壓制(zhi)低(di)(di)頻(pin)（100Hz）紋波和提(ti)高輸出(chu)調整率(lv)(lv)(lv)，即靜態(tai)誤差，R4C4形成(cheng)一個零點(dian)，來提(ti)升相位，要(yao)放在(zai)帶(dai)寬(kuan)(kuan)(kuan)頻(pin)率(lv)(lv)(lv)的前面來增加相位裕度，具(ju)體位置要(yao)看(kan)其余功率(lv)(lv)(lv)部分在(zai)設計帶(dai)寬(kuan)(kuan)(kuan)處的相位是多少，R4C4的頻(pin)率(lv)(lv)(lv)越低(di)(di)，其提(ti)升的相位越高，當然最大(da)只有90度，但(dan)其頻(pin)率(lv)(lv)(lv)很低(di)(di)時低(di)(di)頻(pin)增益(yi)也會(hui)減低(di)(di)，一般放在(zai)帶(dai)寬(kuan)(kuan)(kuan)的1/5處，約提(ti)升相位78度。

Vo=32V，取R2=6.19k，則R1=73.2k；當后端三極管集射電流(liu)Ic為4.4ma左右(you)變化時(shi)，二(er)極管的電流(liu)在3.5ma左右(you)，取IF＝3.5mA，

●R5的(de)(de)(de)取值(zhi)：431要求有1mA的(de)(de)(de)工作電流(liu)，也(ye)(ye)就是光耦的(de)(de)(de)電流(liu)接(jie)近于(yu)零時(shi)，也(ye)(ye)要保證431有1mA，所以R5<=1.2V/1mA=1.2K即(ji)可，取1K。此時(shi)，流(liu)過R5的(de)(de)(de)電流(liu)大小為(wei)1.2V/1K=1.2mA， Ika＝Ir5+IF=1.2mA+3.5mA=4.7mA，滿足Ika =3~5ma條件。 

除此以(yi)外也是(shi)功耗方面的考慮。

●R4的(de)(de)(de)(de)取(qu)值：R4的(de)(de)(de)(de)取(qu)值要保證TOP控制端取(qu)得所(suo)(suo)需(xu)要的(de)(de)(de)(de)電流(liu)，假設用PC817A，其CTR=0.8-1.6,取(qu)低(di)限(xian)0.8，要求流(liu)過光二(er)極管的(de)(de)(de)(de)最(zui)大電流(liu)=6.6/0.8=8.25mA,所(suo)(suo)以R4的(de)(de)(de)(de)值<=(32.2 -2.5-1.2)/（8.25+1.2）=3.02K, 光二(er)極管能承受的(de)(de)(de)(de)最(zui)大電流(liu)在50mA左(zuo)右，431為100mA，所(suo)(suo)以我(wo)們取(qu)流(liu)過R4的(de)(de)(de)(de)最(zui)大電流(liu)為（50+1.2）mA，R4>（32.2-2.5-1.2)/51.2=557歐姆。要同時滿(man)足這(zhe)兩(liang)個條件(jian)：557<R4<3.02K;

當Ika= Ir4=4.7mA，R4的值<=(32.2 -2.5-1.2)/4.7=6.06K，取R4=1.5K，則(ze)

Vr4=1.5K*4.7mA=7.05V，Vka=32.2-7.05-1.2=23.95V

結果：R1＝73.2k、R2=6.19k、R4=1.5K、R5＝1K，Ika=4.7mA，Vka=23.95V

除此以(yi)外，R4的值(zhi)影響開(kai)環(huan)(huan)的增(zeng)益，傳遞函數R4在分母上(shang)。R4的具(ju)體(ti)取(qu)值(zhi)在滿足上(shang)面范(fan)圍的情(qing)況(kuang)下由(you)環(huan)(huan)路設計決定。

哥，我覺(jue)得你(ni)的公式不對(dui)，我還(huan)用別的電(dian)路算了下，相差太大

Vo=R1/R2*2.5-1 這才是正確的(de)公式，

搞不懂你的公式

步驟37 –環路(lu)動(dong)態補償設計，以TOP-GX系列(lie)芯片為例

37.2 、零極點基礎知識(shi)

在復(fu)平面（s＝σ＋jω）上(shang)，使傳遞函數G（s）→∞的點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)，稱(cheng)為(wei)(wei)G（s）的極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)；使G（s）＝0的點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)，稱(cheng)為(wei)(wei)G（s）的零(ling)(ling)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)。零(ling)(ling)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)或(huo)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)為(wei)(wei)復(fu)數時(shi)，為(wei)(wei)復(fu)零(ling)(ling)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)或(huo)復(fu)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)。實(shi)零(ling)(ling)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)或(huo)實(shi)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)為(wei)(wei)實(shi)數，位(wei)于(yu)實(shi)軸（α軸）上(shang)。位(wei)于(yu)s右半平面（RHP－RightHalfPlane）的正零(ling)(ling)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)或(huo)正極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)，稱(cheng)為(wei)(wei)RHP零(ling)(ling)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)或(huo)RHP極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)；位(wei)于(yu)s左(zuo)半平面（LHP-LeftHalfPlane）的負零(ling)(ling)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)或(huo)負極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)，稱(cheng)為(wei)(wei)LHP零(ling)(ling)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)或(huo)LHP極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)。只(zhi)要含有一個RI－IP極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)，系(xi)(xi)統(tong)(tong)就是不穩定(ding)的；系(xi)(xi)統(tong)(tong)的全部極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)都是LHP極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)時(shi)，系(xi)(xi)統(tong)(tong)才是穩定(ding)的。極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)和零(ling)(ling)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)為(wei)(wei)虛(xu)數時(shi)，位(wei)于(yu)虛(xu)軸（J軸）上(shang)；有虛(xu)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)的系(xi)(xi)統(tong)(tong)屬于(yu)不穩定(ding)系(xi)(xi)統(tong)(tong)。

一階(jie)系統的幾(ji)種零、極點特性(xing)的比較見表

1、誤差放大(da)器的補償(chang)回(hui)路，應該(gai)沒有極點電容和零(ling)點電容的說法，進(jin)行傳遞函(han)數(shu)推導，在C2遠大(da)于C1的情(qing)況下，如C2=100倍C1，R2C2在f=1/(2*pi*R2C2)處形(xing)成一(yi)個低頻(pin)(pin)零(ling)點，R2C1在f=1/(2*pi*R2C1)處形(xing)成一(yi)個高頻(pin)(pin)極點。

2、開關電源(yuan)的(de)(de)總開環增益，包(bao)括兩個(ge)部分，一個(ge)是從控(kong)制到輸出的(de)(de)部分，另一個(ge)就是誤差放大器(qi)(qi)的(de)(de)部分。從控(kong)制到輸出部分的(de)(de)增益，屬于(yu)開關電源(yuan)建(jian)模的(de)(de)范疇，目前模型已(yi)經足夠成熟。誤差放大器(qi)(qi)的(de)(de)部分，這(zhe)個(ge)屬于(yu)單極點單零點補償。

3、至于為什(shen)么增(zeng)加(jia)零(ling)點和增(zeng)加(jia)極點。

R2和(he)R1的(de)(de)比值(zhi)，確定了(le)誤差放大器的(de)(de)中(zhong)頻(pin)(pin)段增益(yi)。但如果(guo)誤差放大器沒有零極點，即增益(yi)跟頻(pin)(pin)率無關，得(de)出來(lai)的(de)(de)傳遞(di)函數，并(bing)不(bu)能(neng)達(da)到理想(xiang)的(de)(de)效(xiao)果(guo)。一般來(lai)說，為了(le)提高(gao)調節精度(du)，我們希望在零頻(pin)(pin)處放置一個(ge)極點，這(zhe)樣，系(xi)統(tong)直(zhi)流增益(yi)可以做(zuo)到最大；為了(le)壓制(zhi)低頻(pin)(pin)紋波，我們希望低頻(pin)(pin)增益(yi)足夠高(gao)，為了(le)提高(gao)系(xi)統(tong)的(de)(de)抗干擾能(neng)力，希望高(gao)頻(pin)(pin)增益(yi)能(neng)以20db/dec或(huo)者40db/dec速率下降。

4、濾波電(dian)容(rong)(rong)的ESR形成的零(ling)點(dian)(dian)，頻(pin)率(lv)大(da)致在5K-10K的范圍內。主要看輸出電(dian)容(rong)(rong)的類(lei)型(xing)，和大(da)小。比如小功率(lv)DC/DC，用(yong)瓷片電(dian)容(rong)(rong)，那(nei)零(ling)點(dian)(dian)就很高，有(you)的可以達到(dao)100k以上，但如果選用(yong)大(da)容(rong)(rong)量電(dian)解電(dian)容(rong)(rong)，可能只有(you)幾K.

5、還有(you)關(guan)于調(diao)節器(qi)的(de)穿越頻率問(wen)題。事實上，我們更(geng)關(guan)心的(de)是(shi) 整個開(kai)關(guan)電(dian)源的(de)總的(de)環路增益，而不單單是(shi)這個調(diao)節器(qi)的(de)穿越頻率。根據(ju)香(xiang)農采樣定理可知(zhi)，開(kai)環穿越頻率Fc不能(neng)大于開(kai)關(guan)頻率的(de)一半。至于能(neng)達到多(duo)少，沒有(you)定式，一般設置在25%~20% 處。

6、Fz 和Fp的關系。

首先，fz要放在(zai)低頻，Fp放在(zai)高頻，這(zhe)點毫無(wu)疑義。fz頻率越(yue)低，低頻紋波越(yue)大(da)；fp頻率越(yue)高，抗干擾能力越(yue)差。fz和fp之(zhi)間(jian)的(de)(de)距離越(yue)遠，相(xiang)位(wei)裕(yu)度(du)越(yue)大(da)，系統越(yue)穩(wen)定(ding)，但(dan)動(dong)態響應(ying)不(bu)一(yi)定(ding)越(yue)好(hao)。為了得到(dao)較(jiao)好(hao)的(de)(de)動(dong)態響應(ying)，一(yi)般設置相(xiang)位(wei)裕(yu)度(du)為45度(du)為最佳。動(dong)態響應(ying)呢，又(you)分(fen)為兩(liang)(liang)個(ge)(ge)概(gai)念(nian)，一(yi)個(ge)(ge)是(shi)響應(ying)的(de)(de)快速(su)性，一(yi)個(ge)(ge)是(shi)響應(ying)的(de)(de)平穩(wen)性，超調小，調節(jie)時(shi)間(jian)短(duan)，是(shi)我們追(zhui)求的(de)(de)，但(dan)這(zhe)兩(liang)(liang)個(ge)(ge)內容又(you)是(shi)相(xiang)互矛盾的(de)(de)。

是代工嗎？、？？

37.3 、TOPSWITCH控制環路分析基礎(chu)知識

●基礎知識

波特(te)圖是分(fen)析開關電源控制(zhi)環路的(de)一(yi)個有力工具，它可(ke)以(yi)(yi)使復雜的(de)幅頻(pin)和相頻(pin)響應的(de)計算變成簡單的(de)加減(jian)法，特(te)別是使用漸(jian)近(jin)(jin)線(xian)近(jin)(jin)似以(yi)(yi)后，只需(xu)要(yao)計算漸(jian)近(jin)(jin)線(xian)改變方向點的(de)值。

用電壓定義：

電(dian)容或電(dian)感上的(de)電(dian)壓與外加信號電(dian)壓U之比

5. 兩電感(gan)元件端電壓大(da)小相(xiang)等，相(xiang)位相(xiang)反(fan)，互相(xiang)抵消，且電壓值比電源電壓大(da)Q倍，故串聯諧(xie)(xie)振(zhen)又稱為電壓諧(xie)(xie)振(zhen)。諧(xie)(xie)振(zhen)時(shi)的高(gao)壓對電力(li)系統電器有危害，應(ying)盡力(li)避免。在通(tong)信工程(cheng)中(zhong)常(chang)(chang)常(chang)(chang)利用諧(xie)(xie)振(zhen)獲得較高(gao)的電壓。

6. 串(chuan)聯諧(xie)振(zhen)回(hui)路(lu)適用于信號源內(nei)阻較小的情況(kuang)。當信號源內(nei)阻很(hen)大時，使得諧(xie)振(zhen)回(hui)路(lu)的品質(zhi)因數(shu)很(hen)低，選頻特性變差，此時應采用GLC并聯諧(xie)振(zhen)回(hui)路(lu)。

零點(dian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)位(wei)置主(zhu)要(yao)(yao)有(you)反(fan)饋(kui)網絡的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)分(fen)(fen)壓(ya)電(dian)(dian)阻(zu)決定(ding)(ding)。為(wei)了(le)抑(yi)制(zhi)輸出的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)開(kai)(kai)關紋波，有(you)時(shi)(shi)在后面加一(yi)個(ge) LC濾波，其諧振頻(pin)(pin)率(lv)一(yi)般大(da)約(yue)為(wei)開(kai)(kai)關頻(pin)(pin)率(lv)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) 1/10-1/20 左右，這(zhe)個(ge)頻(pin)(pin)率(lv)通常遠大(da)于(yu)反(fan)饋(kui)回路的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)帶寬，其影(ying)響(xiang)可(ke)以(yi)(yi)忽略。工程實踐(jian)中(zhong)一(yi)般R<R1，當頻(pin)(pin)率(lv)升高(gao)時(shi)(shi)，公式分(fen)(fen)子的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)1可(ke)以(yi)(yi)省(sheng)略，右邊的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)R+R1約(yue)等于(yu)R1，最(zui)后的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)結果就是(shi)(shi)1/Rb。也(ye)就是(shi)(shi)說高(gao)頻(pin)(pin)時(shi)(shi)431就等于(yu)一(yi)個(ge)穩(wen)(wen)壓(ya)二極管(guan)，只(zhi)有(you)低(di)頻(pin)(pin)時(shi)(shi)才起作(zuo)用。根據上(shang)面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)結果就知(zhi)道：上(shang)面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)饋(kui)一(yi)般用穩(wen)(wen)壓(ya)二極管(guan)代替431的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)結果是(shi)(shi)差不多的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)，除(chu)了(le)低(di)頻(pin)(pin)增益有(you)差別外，一(yi)般用穩(wen)(wen)壓(ya)管(guan)代替電(dian)(dian)源也(ye)是(shi)(shi)穩(wen)(wen)定(ding)(ding)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)，這(zhe)也(ye)反(fan)證了(le)上(shang)面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)分(fen)(fen)析是(shi)(shi)正確的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)。只(zhi)要(yao)(yao)LC在低(di)頻(pin)(pin)部分(fen)(fen)不產(chan)生太大(da)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)相移，環路就穩(wen)(wen)定(ding)(ding)，而實際(ji)情(qing)況正是(shi)(shi)這(zhe)樣，看似LC（分(fen)(fen)析時(shi)(shi)可(ke)能要(yao)(yao)包(bao)括前面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)C）一(yi)個(ge)二階震(zhen)蕩(dang)(dang)，但(dan)(dan)由(you)于(yu)電(dian)(dian)阻(zu)和電(dian)(dian)容內阻(zu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)阻(zu)尼作(zuo)用，實際(ji)低(di)頻(pin)(pin)是(shi)(shi)個(ge)一(yi)階的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)，相移不大(da)。而輕載時(shi)(shi)負載電(dian)(dian)阻(zu)阻(zu)尼沒(mei)有(you)了(le)，但(dan)(dan)電(dian)(dian)路又變(bian)成非連續了(le)，控制(zhi)方程又變(bian)了(le)，二階震(zhen)蕩(dang)(dang)又沒(mei)有(you)了(le)，所(suo)以(yi)(yi)還是(shi)(shi)穩(wen)(wen)定(ding)(ding)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)。

高頻(pin)時431可(ke)(ke)以(yi)看(kan)做(zuo)(zuo)穩壓管，這時候后(hou)(hou)(hou)級431采樣已經不起(qi)作用了(le)，僅(jin)是(shi)431供電(dian)端(duan)(duan)的影響(xiang)(xiang)；直流(liu)通路中電(dian)感可(ke)(ke)以(yi)看(kan)做(zuo)(zuo)短(duan)路，后(hou)(hou)(hou)級L又很小(xiao)，所以(yi)低頻(pin)時431采樣在后(hou)(hou)(hou)級電(dian)感前(qian)后(hou)(hou)(hou)影響(xiang)(xiang)不大，所以(yi)只要431供電(dian)端(duan)(duan)接(jie)在后(hou)(hou)(hou)級濾(lv)波電(dian)感前(qian)，不論采樣在濾(lv)波電(dian)感前(qian)或(huo)者濾(lv)波電(dian)感后(hou)(hou)(hou)，都可(ke)(ke)以(yi)按在分析時忽(hu)略后(hou)(hou)(hou)級LC濾(lv)波器的影響(xiang)(xiang)

看的挺(ting)仔細的，多謝(xie)指正(zheng)出來！

是的，運放虛(xu)斷，I+=I-=0,VI,VO的電(dian)流方向應該相反；

 增益部分可能是當(dang)時懶得打(da)字，直接把單(dan)極點部分的內容復(fu)制(zhi)過來了。

以上你說的問題已(yi)及時更新~

有(you)任何問題直(zhi)接回(hui)復(fu)就好(hao)了，我會(hui)第一(yi)時(shi)間及時(shi)回(hui)應的(de)

看你(ni)這(zhe)些天的(de)(de)足(zu)跡，就知道你(ni)看的(de)(de)很(hen)仔細，相信(xin)再(zai)消化(hua)吸(xi)收一下，這(zhe)些東西就會(hui)成為你(ni)自己(ji)的(de)(de)東西了(le)(le)，其中肯定有很(hen)多的(de)(de)不(bu)足(zu)和不(bu)夠深(shen)入的(de)(de)地(di)方，我(wo)會(hui)慢(man)(man)慢(man)(man)的(de)(de)詳細細化(hua)的(de)(de)。待你(ni)真正入門反激式開關電源后你(ni)就會(hui)有自己(ji)的(de)(de)思想和見解了(le)(le)，那(nei)個時候(hou)再(zai)回過頭來把不(bu)清楚或(huo)是不(bu)夠透徹(che)的(de)(de)地(di)方再(zai)好好主攻(gong)一下！

至于(yu)37.4章(zhang)節(jie)的(de)(de)內容(rong)，建議你先(xian)了解一(yi)些基礎的(de)(de)東西之(zhi)后(hou)再看(kan)，比(bi)如零極點(dian)的(de)(de)基礎知識，傳(chuan)遞函數，動(dong)態(tai)響應之(zhi)類的(de)(de)，因為環(huan)路(lu)穩定性(xing)(xing)的(de)(de)重要(yao)性(xing)(xing)應該是(shi)開關電源系統中(zhong)和變壓(ya)器(qi)同等重要(yao)的(de)(de)一(yi)個知識點(dian)，我現(xian)在也不是(shi)太深入，還處在一(yi)個思路(lu)整理的(de)(de)階段，后(hou)續希(xi)望一(yi)起(qi)慢(man)慢(man)探(tan)討。

有問題的話直接留言就好，我們(men)一起(qi)學習，一起(qi)進步(bu)

37.4 、TOPSWITCH控(kong)制環路(lu)分析

在做補償設(she)計(ji)以前，先計(ji)算出除 KEa外各自部分(fen)的(de)頻率(lv)特性，然后(hou)計(ji)算出 K1(s)= [KMod(s)*KPwr(s)*KLc(s)*KFb(s)]的(de)頻率(lv)特性，根(gen)據實際情(qing)況確定出需要的(de)設(she)計(ji)目標 KEa，然后(hou)通過(guo)設(she)計(ji)TL431的(de)相應(ying)補償來完(wan)成(cheng) KEa的(de)要求(qiu)。

 結合(he)上(shang)面(mian)的(de)原(yuan)理圖我們來(lai)計算在 220VAC 輸入時各個(ge)(ge)部分的(de)數值(zhi)。已知數值(zhi)：Vin=135V，Vout=12V，輸出二(er)極管后的(de)兩個(ge)(ge)電解(jie)電容的(de)ESR=50mΩ，負載R=4.8Ω，η＝81%。

Np=58T，Ns=6T，Lp=827uH，Vor=120V，Vds=5.2V

則

●對于KLc(s)部分，

LC濾波(bo)電(dian)路，考慮(lv)到輸入前的(de)(de)(de)電(dian)感（正激(ji)為濾波(bo)電(dian)感，反激(ji)為次級(ji)電(dian)感的(de)(de)(de)占(zhan)空比等效），實(shi)際上是(shi)個兩級(ji)LC濾波(bo)電(dian)路。不過從工程的(de)(de)(de)觀點(dian)來看(kan)，第一(yi)個濾波(bo)電(dian)容按(an)正常的(de)(de)(de)算法選取(qu)，一(yi)個是(shi)紋(wen)波(bo)電(dian)流考慮(lv)，一(yi)個是(shi)ESR考慮(lv)，最后的(de)(de)(de)結果(guo)基本(ben)都是(shi)由ESR確定。后級(ji)LC的(de)(de)(de)主要作用是(shi)抑制開關頻(pin)率的(de)(de)(de)紋(wen)波(bo)，選取(qu)按(an)如下原則，其轉折頻(pin)率為開關頻(pin)率的(de)(de)(de)1/10-1/20左右(you)，這(zhe)個頻(pin)率遠大于反饋(kui)回路的(de)(de)(de)帶寬，其影響可(ke)以忽略不計。

實際上很少有電源(yuan)(yuan)帶寬(kuan)取在開關頻率(lv)(lv)的1/4-1/5處，如(ru)這(zhe)個電源(yuan)(yuan)開關頻率(lv)(lv)為(wei)132KHz，1/5為(wei)26KHz，如(ru)果你取在這(zhe)個頻率(lv)(lv)，電源(yuan)(yuan)將無法正常工作，原因有幾個方面。

1）要(yao)達到(dao)26K帶寬，則低頻處的(de)增(zeng)益很(hen)高，一(yi)般運(yun)放達不到(dao)這么寬的(de)增(zeng)益帶寬積，要(yao)用特殊運(yun)放。

2）噪音干擾使電源無(wu)法工作

3）所謂(wei)的(de)右半平(ping)面(mian)零點使(shi)反饋(kui)補償(chang)無法進行

 4）帶寬(kuan)很寬(kuan)時，各個功(gong)率部分的(de)傳輸延時引起的(de)相移可(ke)能不能忽略，同樣這也(ye)(ye)(ye)是無法補(bu)償的(de)。所以一(yi)(yi)般反擊的(de)帶寬(kuan)都設(she)計(ji)到1-3K之間(jian)，其實(shi)正激也(ye)(ye)(ye)存在(zai)類(lei)似的(de)問題，如(ru)DC-DC由于有壓降補(bu)償，很容易(yi)引入干擾，帶寬(kuan)一(yi)(yi)般也(ye)(ye)(ye)很低(di)。帶寬(kuan)高(gao)(gao)的(de)一(yi)(yi)半是非隔離DC-DC，它(ta)開關頻率高(gao)(gao)，并且(qie)很緊(jin)湊(cou)，非隔離，容易(yi)設(she)計(ji)帶寬(kuan)。另外(wai)與(yu)應用(yong)也(ye)(ye)(ye)有關，一(yi)(yi)般要求反應快的(de)都是用(yong)DC-DC完(wan)成的(de)。

但有一點需要注意，用431做反(fan)(fan)饋時，431的(de)(de)供(gong)電要在L1的(de)(de)前面取(qu)(qu)，這樣系統才穩定(ding)，反(fan)(fan)饋分壓可(ke)以(yi)從后面取(qu)(qu)，得到(dao)最好的(de)(de)穩壓精度。另外(wai)L1的(de)(de)值盡量(liang)小一些，如1-4.7uH，如果此值大(da)了，明顯輸出電流(liu)大(da)時損(sun)耗大(da)。

（6）計算補償部(bu)分小信號傳遞函數Kea

 如(ru)果要(yao)設計(ji)(ji)補償部分(fen)，可以先確定目(mu)標帶寬(kuan)，然后再設計(ji)(ji)補償部分(fen)，使(shi)在目(mu)標帶寬(kuan)時的

相位裕(yu)量大(da)(da)于(yu) 45°，在用(yong) Topswitch設(she)計(ji)的(de)反激(ji)電(dian)(dian)源(yuan)中(zhong)，目(mu)標帶(dai)寬(kuan)除受(shou)(shou)到一般反激(ji)電(dian)(dian)源(yuan)的(de)幾個(ge)限制(zhi)外（帶(dai)寬(kuan)要(yao)小于(yu)開關頻率的(de) 1/2（香(xiang)農采樣定理決(jue)定了(le)不(bu)可能大(da)(da)于(yu)1/2 Fs）；右半(ban)平(ping)面零(ling)點的(de) 1/4（RHZ隨輸(shu)入(ru)電(dian)(dian)壓,負載,電(dian)(dian)感量大(da)(da)小而變化,幾乎(hu)無(wu)(wu)法補償(chang),我們只(zhi)有把(ba)帶(dai)寬(kuan)設(she)計(ji)的(de)遠(yuan)離(li)它,一般取其(qi)1/4-1/5）；運(yun)放(fang)(fang)增(zeng)益(yi)限制(zhi)(補償(chang)放(fang)(fang)大(da)(da)器的(de)帶(dai)寬(kuan)不(bu)是(shi)無(wu)(wu)窮大(da)(da),當把(ba)環路帶(dai)寬(kuan)設(she)的(de)很(hen)高(gao)(gao)時(shi)會受(shou)(shou)到補償(chang)放(fang)(fang)大(da)(da)器無(wu)(wu)法提供增(zeng)益(yi)的(de)限制(zhi),及電(dian)(dian)容零(ling)點受(shou)(shou)溫度影響等(deng)）；輸(shu)出電(dian)(dian)容類型的(de)選擇等(deng)），還受(shou)(shou)到內部 7KHz 極點的(de)限制(zhi)，一般不(bu)能太高(gao)(gao)，約1-2KHz，對一般應用(yong)來說，已足(zu)夠了(le)。本文(wen)是(shi)對一個(ge)實(shi)際電(dian)(dian)源(yuan)的(de)分析，所以(yi)(yi)略過這一步，如果需要(yao)了(le)解這個(ge)過程，可以(yi)(yi)從結(jie)果反推出來運(yun)放(fang)(fang)的(de)補償(chang)部分。

由于(yu) TL431 用輸出供(gong)電，由上(shang)面TL431用輸出供(gong)電時(shi)的(de)零，極點特性分析可知，其傳遞(di)函(han)數(shu)為(右圖舉例)：

jianjun兄(xiong)：

我現在(zai)在(zai)跟(gen)一個(ge)開(kai)關電(dian)源充電(dian)器項(xiang)目，碰到一個(ge)問題，想請教您一下：

輸入：230V

輸出：21V max 4.0A

開(kai)關芯片： TOP268EN

問(wen)題點：充電(dian)的(de)在某個(ge)輸入電(dian)壓段（比如(ru)200V~216V）恒流4.0A時會有一(yi)個(ge)100HZ的(de)工頻紋波電(dian)流，別的(de)電(dian)壓段都沒有問(wen)題，

這(zhe)個問題電壓(ya)段會(hui)隨輸出電壓(ya)的(de)大小變化(hua)而變化(hua)。

不知您在以往的項(xiang)目(mu)經(jing)驗(yan)中(zhong)有無碰到(dao)過這種問(wen)(wen)(wen)題，是變壓器設計有問(wen)(wen)(wen)題還是恒(heng)流環(huan)路有問(wen)(wen)(wen)題？煩請不吝(lin)賜教(jiao)！多謝！

沒遇到過(guo)你(ni)說的這個(ge)現象，個(ge)人感覺可以(yi)試下

1.從你的反饋環(huan)路試下(xia)

R4，C4的(de)取值：R5C4形(xing)成一個在原點(dian)的(de)極(ji)點(dian)，用于提(ti)(ti)(ti)升低(di)(di)頻(pin)增(zeng)益，來(lai)壓制低(di)(di)頻(pin)（100Hz）紋波和提(ti)(ti)(ti)高輸出調整率(lv)，即靜(jing)態誤(wu)差，R4C4形(xing)成一個零點(dian)，來(lai)提(ti)(ti)(ti)升相位(wei)，要放在帶寬頻(pin)率(lv)的(de)前面來(lai)增(zeng)加(jia)相位(wei)裕度，具體位(wei)置要看其余(yu)功率(lv)部(bu)分在設計帶寬處(chu)的(de)相位(wei)是多少，R4C4的(de)頻(pin)率(lv)越低(di)(di)，其提(ti)(ti)(ti)升的(de)相位(wei)越高，當然(ran)最大(da)只有90度，但其頻(pin)率(lv)很低(di)(di)時(shi)低(di)(di)頻(pin)增(zeng)益也會減低(di)(di)，一般放在帶寬的(de)1/5處(chu)，約提(ti)(ti)(ti)升相位(wei)78度。

2.加大輸出(chu)電容試下。

先試試吧，看看試驗的效果先~呵

這(zhe)個是電源部分的(de)電路圖，出問題(ti)時是電流環在起(qi)作(zuo)用，恒流4A，C14，R45的(de)值都(dou)調過，沒有起(qi)色。

今天(tian)查了一(yi)下，初(chu)步(bu)確認(ren)變壓器(qi)沒(mei)問題，將(jiang)新(xin)繞的(de)變壓器(qi)裝在上(shang)一(yi)版的(de)PCB上(shang)測試，紋波要比現在的(de)板子(zi)上(shang)好的(de)多，初(chu)步(bu)估計是Layout問題。

多謝jianjun兄的幫(bang)助！呵(he)呵(he)~~~

沒能幫助到你，還有一個實驗，可能的話你試(shi)一下(xia)，就是你的變壓器次級的信(xin)號地和大地之前增加一個103左右大小的高壓瓷(ci)片電(dian)容(rong)或安規電(dian)容(rong)試(shi)試(shi)。

我以前(qian)碰到過這種(zhong)現象(xiang)，也是100HZ左右的低頻(pin)紋波有點大(da)，后(hou)來把(ba)變(bian)壓(ya)器次(ci)級和機殼之前(qian)接一個103的安規電容就(jiu)好(hao)了，我的機殼是接的大(da)地。

是(shi)(shi)有可(ke)能LAYOUT的問題(ti)，主要是(shi)(shi)如果是(shi)(shi)LAYOUT問題(ti)的話，不好(hao)找干(gan)擾源，得(de)慢慢找了(le)

干擾源找到了(le)嗎？是哪里的(de)問(wen)題？

還有(you)一個地方(fang)你看一下，就是變壓(ya)器初次級之(zhi)間的(de)高壓(ya)瓷片電(dian)容(rong)或(huo)安規電(dian)容(rong)，你試著減小(xiao)一點容(rong)量或(huo)去(qu)掉之(zhi)后測試一下，這里也有(you)可能產生你說的(de)那個現(xian)象；

高手能否幫我看看反饋部分(fen)，現在一帶(dai)負載工(gong)作在DCM模式，占空比也不(bu)對，vor也不(bu)對。

（32.2-2.5-1.2)/50，公式里面那個2.5V是怎么得來的，感覺有問題；

R4C4一般取值多少，還是不太會(hui)算(suan)

R1的(de)取值(zhi)：R1的(de)取值(zhi)要(yao)(yao)保證(zheng)TOP控制端(duan)取得所(suo)需要(yao)(yao)的(de)電(dian)(dian)流(liu)(liu)，假設用PC817A，其CTR(電(dian)(dian)流(liu)(liu)傳輸比(bi))=0.8-1.6,取低(di)限0.8，要(yao)(yao)求流(liu)(liu)過光二極管(guan)的(de)最大(da)(da)電(dian)(dian)流(liu)(liu)=6.6/0.8=8.25mA,所(suo)以(yi)R1的(de)值(zhi)<=(32.2 -2.5-1.2)/8.25=3.45K,光二極管(guan)能承(cheng)受的(de)最大(da)(da)電(dian)(dian)流(liu)(liu)在50mA左右，431為(wei)100mA，所(suo)以(yi)我們取流(liu)(liu)過R1的(de)最大(da)(da)電(dian)(dian)流(liu)(liu)為(wei)50mA，R1>（32.2-2.5-1.2)/50=570歐姆。要(yao)(yao)同時滿足這兩(liang)個條(tiao)件(jian)：570<R1<3.45K;除此以(yi)外，R1的(de)值(zhi)影響開環的(de)增益(yi)，傳遞(di)函數R1在分(fen)母上，

大神(shen)幫我看(kan)看(kan)這個反饋電路(lu)有沒有問題(ti)，我是用KA1M0880B和D92-02做的，輸(shu)出功率為24V*4A，最大功率時這兩個器件溫(wen)度(du)基本都(dou)超過(guo)70度(du)

 煩請樓主將 AN-25 和AN -35 傳(chuan)上來，我在其官網上沒找(zhao)到 。謝謝！

不好意思，是我弄(nong)錯了，是

AN-18- TOPSwitch 反激式變壓器結構設計指南

AN-32- TOPSwitch-GX 反激式電(dian)源設計方法

你在PI官(guan)網上查找(zhao)AN18，AN32就好了

謝謝！

附(fu)件(jian)是這(zhe)次(ci)帖子的設計(ji)草稿，直接(jie)源(yuan)文(wen)件(jian)上傳~

一(yi)(yi)步一(yi)(yi)步精(jing)通單(dan)端反激式開關電源(yuan)設計.docx

這個word有些確實沒有公式

樓主(zhu)辛苦(ku)了！強(qiang)帖！

本主題帖中有關波特圖的繪(hui)制軟件使用(yong)是Mathcad 15，由于安裝(zhuang)文件有點大，這里就不上傳了(le)！

關于步驟12中(zhong)，計算好了需(xu)要外加散熱(re)片的(de)(de)(de)熱(re)阻(zu)后，很(hen)多人不知道應(ying)該如何(he)選擇(ze)散熱(re)片形(xing)狀及面(mian)積(ji)大小(xiao)(xiao)，這塊(kuai)我也不是很(hen)了解，但(dan)是發現可以從專業做散熱(re)片網(wang)站中(zhong)，看看他們(men)的(de)(de)(de)散熱(re)片熱(re)阻(zu)和面(mian)積(ji)的(de)(de)(de)大小(xiao)(xiao)關系(xi)來選擇(ze)自己(ji)需(xu)要的(de)(de)(de)

 //www.aavid.com.cn/zh-hans/product-group/standard

辛苦了，非常(chang)好(hao)的帖子，很詳細(xi)！

步驟1實例：

1.1、流輸入(ru)最小電壓(ya)：AC195V，交流輸入(ru)最大電壓(ya)：AC265V；

1.2、交流輸入電壓頻率：FL=50HZ；

1.3、開關頻率：FS=132KHZ；

1.4、輸出電壓：Vo=32V；

1.5、輸出電流(liu)：IO=1.9A；

1.6、電源效率(lv)：η=80%；

1.7、負載調整率(lv)：SI=±0.2%；

1.8、損耗分配因子(zi)：Z = 0.5；

 1.9、空載(zai)功(gong)率損耗(hao)：P_NO_LOAD<=800MW；

1.10、輸(shu)出(chu)紋波(bo)電壓：VRIPPLE<200MV。

是的(de)(de)，小功率DCM的(de)(de)比較實在，不過就是表(biao)格(ge)做的(de)(de)太簡(jian)單了，我(wo)打(da)算(suan)抽(chou)個(ge)時間做個(ge)增(zeng)強版的(de)(de)，把MOS管(guan)選型原則，散熱片熱阻(zu)計算(suan)，磁芯選擇條件，中間變(bian)量等等一(yi)起(qi)整合一(yi)下(xia)。

電路調試問題總結：

一、解(jie)決MOS管溫升過高問(wen)題

以(yi)本主題(ti)帖講解實例為例，實際調試(shi)中發現主要的發熱源是MOS管(guan)芯片、高頻變壓器、輸出二(er)極管(guan)。

針(zhen)對(dui)MOS管(guan)芯片(pian)，實際調試(shi)中發現，溫(wen)(wen)升(sheng)達到了(le)45度，由于(yu)TOP246YN提供了(le)兩種開關(guan)頻率，132KHZ和66KHZ，通過改變開關(guan)頻率為66KHz時(shi)，發現效果不(bu)明顯(xian)，于(yu)是主要從MOS管(guan)的導通損(sun)耗入(ru)手，將MOS管(guan)換(huan)成更低(di)RDS的TOP247YN，然后設置降低(di)外(wai)部限流(liu)點(dian)大(da)小后，發現溫(wen)(wen)升(sheng)有(you)明顯(xian)改善，最(zui)后再適當(dang)加大(da)了(le)外(wai)部散熱片(pian)散熱面積，最(zui)終MOS管(guan)溫(wen)(wen)升(sheng)控制(zhi)在了(le)25度左右

電(dian)路調試問題總結：

二、解決輸(shu)出(chu)整流管溫升過(guo)高問題

仍然以(yi)本主題帖(tie)講(jiang)解實例為(wei)例，調(diao)試中發現輸出(chu)二極(ji)管(guan)，溫升(sheng)達到了42度，由于第一(yi)次樣機(ji)使(shi)用的(de)是(shi)TO220封裝的(de)MUR1060二極(ji)管(guan)，導通壓降(jiang)約1.1V，后來改(gai)為(wei)導通壓降(jiang)約0.7~0.8V左右(you)的(de)MBR10200，再將TO220散熱片(pian)改(gai)為(wei)寬體的(de)散熱片(pian)，輸出(chu)整流(liu)管(guan)溫升(sheng)等(deng)到明(ming)顯改(gai)善，最終(zhong)輸出(chu)整流(liu)管(guan)溫升(sheng)控(kong)制在了22度左右(you)

電路調試問題(ti)總結：

三、解(jie)決上電時輸出過沖幅度太大(da)的問題

在測試輸(shu)出過沖(chong)幅度(du)指(zhi)標時，發現上(shang)電(dian)時輸(shu)出過沖(chong)幅度(du)有點大，超出了后級供電(dian)模塊的(de)安(an)全(quan)電(dian)壓，分(fen)析原因可能是系統反(fan)饋(kui)環(huan)路(lu)(lu)的(de)動態響(xiang)應(ying)太(tai)慢(man)造成的(de)，于(yu)是從TL431反(fan)饋(kui)環(huan)路(lu)(lu)入手，通過改(gai)變(bian)TL431反(fan)饋(kui)環(huan)路(lu)(lu)中(zhong)的(de)零極點位置及大小，可以明顯改(gai)善(shan)上(shang)電(dian)時輸(shu)出過沖(chong)幅度(du)太(tai)大的(de)問(wen)題。改(gai)善(shan)后，輸(shu)出電(dian)壓平穩上(shang)升(sheng)至輸(shu)出電(dian)壓大小后穩定輸(shu)出，我(wo)過沖(chong)現象

電路(lu)調試(shi)問題總結(jie)：

四、解決輸(shu)出(chu)電(dian)壓100HZ工頻紋波太大的問題

測試輸(shu)出電源紋波時，發現100HZ工頻紋波比較大(da)，進行了以下(xia)試驗：

1.增大(da)輸出電(dian)解電(dian)容(rong)容(rong)量，選用更小ESR的電(dian)解電(dian)容(rong)，測試結(jie)果無明顯改(gai)善；

2.增大輸入電解電容(rong)的容(rong)量，測(ce)試(shi)結果無明顯改善；

3.增(zeng)(zeng)加(jia)反饋環路的直(zhi)流增(zeng)(zeng)益(yi)，以增(zeng)(zeng)加(jia)低頻段增(zeng)(zeng)益(yi)，測試結果無明顯改善(shan)；

4.在輸出(chu)電壓(ya)地(di)和(he)機殼(ke)地(di)之(zhi)間接(jie)一個(ge)103大(da)(da)小的(de)(de)Y電容（機殼(ke)地(di)接(jie)大(da)(da)地(di)），測試(shi)結果100HZ工頻紋波(bo)得到明(ming)顯改善，基本(ben)上(shang)可(ke)以控制在輸出(chu)電壓(ya)的(de)(de)0.5%~1%；

電路調(diao)試(shi)問題總結：

五、解(jie)決(jue)高(gao)頻(pin)變壓器溫(wen)升(sheng)過高(gao)問題

測試時變(bian)壓(ya)器溫升時，發現變(bian)壓(ya)器表面的(de)(de)溫升達到了50度，這樣一來(lai)很難滿足85度工(gong)作(zuo)環境下的(de)(de)應用需求(qiu)，進(jin)行(xing)了以下試驗(yan)：

1.更換磁(ci)芯材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)，最初選用的(de)是PC40材(cai)(cai)(cai)質的(de)磁(ci)芯材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)，后更換了PC44材(cai)(cai)(cai)質的(de)磁(ci)芯材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)，測試結(jie)果有輕微改善；

2.為了(le)減小趨膚效應(ying)帶來的影響，增(zeng)加了(le)繞組并饒的股數(shu)，測試結果(guo)有輕微改善；

3.PCB板上變(bian)壓器的(de)焊接引腳全部(bu)加大銅(tong)皮表面積并露銅(tong)處理，測(ce)試結果改善(shan)不明顯，但有輕微改善(shan)；

4.PCB板上變(bian)壓(ya)器下(xia)方開槽處理，增加變(bian)壓(ya)器上下(xia)空氣對流速度，測試結(jie)果改(gai)善(shan)不明顯，但有輕(qing)微改(gai)善(shan)；

經過以上(shang)綜合處理后，變壓器溫升得到一(yi)定蓋上(shang)，現基本上(shang)能控制(zhi)在40度(du)左右；

電路調(diao)試問題總結：

六、提高開關電(dian)源效率問題

測試(shi)(shi)電源效(xiao)率時，發現效(xiao)率為85.3%，雖然這樣的效(xiao)率已經可以適合(he)產(chan)品應用了，本著(zhu)精(jing)益求精(jing)的原則，做了一下試(shi)(shi)驗：

1.反饋比(bi)例分壓電阻(zu)最初用的37.4K和3.19K，現在保持分壓不(bu)變，改為73.2K,6.19K;

2.去掉了電源輸出(chu)指(zhi)示燈(deng)電路(lu)；

3.再不影響環路穩定性的前提下(xia)，適(shi)當減(jian)小(xiao)環路直流增益；

4.輸(shu)出(chu)二(er)極管(guan)采用低壓降，高反(fan)向(xiang)耐(nai)壓的快恢復二(er)極管(guan)，同時(shi)在保證二(er)極管(guan)反(fan)向(xiang)耐(nai)壓的前提下去掉了輸(shu)出(chu)二(er)極管(guan)兩端的RC吸收電路；

5.合理(li)調試(shi)初級繞(rao)組的RCD鉗位(wei)電路參數，避免不(bu)必要的能量吸收；

經(jing)過以上試驗(yan)后，電源效(xiao)率有所改善，目前已提高到(dao)了87.6%。

附件是TDK磁性(xing)材料與骨架參考(kao)資(zi)料

TDK磁性材料(liao)與骨架參考資料(liao).pdf

附(fu)件是(shi)本次主(zhu)題貼(tie)實例講解中(zhong)的“SCH設計(ji)源文件”，其(qi)中(zhong)源文件使(shi)用(yong)的是(shi)PADS 9.5軟(ruan)件畫(hua)的，已導出PDF版本~詳見附(fu)件壓縮包

SCH設(she)計(ji)源(yuan)文件.rar

附件(jian)是常用的波特(te)(te)圖(tu)繪(hui)(hui)制(zhi)軟件(jian)MATHCAD15，個人覺的還(huan)不(bu)錯，在(zai)反饋環路穩定性(xing)環節，涉(she)及到波特(te)(te)圖(tu)相關(guan)的知識時用這個繪(hui)(hui)制(zhi)比較方(fang)便，已在(zai)WIN7 64位電腦上安裝通過，由于文件(jian)太大，直接上網盤：

鏈(lian)接(jie)：//pan.baidu.com/s/1c01y4rI 密(mi)碼：sm0l

附件是本人(ren)入門單(dan)端反激式開關電源時使用的(de)(de)PI公司的(de)(de)一款開關電源設計軟件PIExpertSuiteSetup64，覺的(de)(de)挺(ting)不(bu)錯的(de)(de)，特別是對于入門的(de)(de)工(gong)程(cheng)師(shi)來說，作(zuo)為一個參數校驗的(de)(de)工(gong)具是再好不(bu)過了。已(yi)在WIN7 64位電腦(nao)安裝通過，文(wen)件太大，上網盤：

鏈接：//pan.baidu.com/s/1eQyCCiI 密(mi)碼：56ls

投(tou)(tou)票正式(shi)開始，投(tou)(tou)出的每一票都至關重要，最終大獎花落誰家?我們拭目以待...掃描(miao)

點擊：

該(gai)參賽作(zuo)品編號為NO.41

電(dian)路調試問題總結：

七、解決變壓器(qi)高頻嘯叫問題

在(zai)進(jin)(jin)行各種(zhong)(zhong)(zhong)理論計(ji)算完成后，就開(kai)始(shi)聯系打(da)樣變(bian)壓器，為了(le)(le)方(fang)便調試中對變(bian)壓器參數進(jin)(jin)行改裝，特(te)意聯系了(le)(le)供應(ying)商打(da)樣了(le)(le)兩種(zhong)(zhong)(zhong)規(gui)格的變(bian)壓器：一種(zhong)(zhong)(zhong)浸過絕緣漆的，一種(zhong)(zhong)(zhong)不(bu)做浸漆處(chu)理。調試中發現工(gong)作過程中電源板有幾KZ左右的高頻嘯叫聲，進(jin)(jin)行了(le)(le)以下(xia)試驗：

1.調試反(fan)饋環(huan)(huan)路參(can)(can)數(shu)，確認環(huan)(huan)路參(can)(can)數(shu)設計合理，調試過(guo)程中高頻嘯叫聲(sheng)一直存在；

2.測試MOS管開關DS波形(xing)及輸出波形(xing)，以確(que)認設計參數(shu)是否(fou)合理；

3.將部分陶瓷電容(rong)全部更換為插件(jian)點解電容(rong)，以排除(chu)陶瓷電容(rong)的壓電效應(ying)產(chan)生的嘯(xiao)叫；

4.更換浸(jin)漆(qi)處理和(he)未(wei)做(zuo)浸(jin)漆(qi)處理的變壓器；

5.改變MOS管開關頻率，嘯叫聲有(you)所改善(shan)，但無法(fa)徹底解決；

經過以上試驗(yan)發現，更換浸漆處理過的(de)變壓器(qi)(qi)后，嘯(xiao)叫聲(sheng)基本上沒有了，初步判定是(shi)由(you)于(yu)變壓器(qi)(qi)線圈的(de)高頻振蕩引起的(de)嘯(xiao)叫

我也(ye)感(gan)覺浸漆(qi)是有(you)必(bi)要的(de)(de)，我曾經(jing)設(she)計一個變壓器，就一直(zhi)有(you)嘯叫聲。不(bu)過我有(you)些不(bu)懂，浸漆(qi)是浸什么漆(qi)？自己手動纏繞的(de)(de)怎樣解(jie)決？我是電源(yuan)小白，愿(yuan)請解(jie)答，謝謝！！

我(wo)最近在做一(yi)個鋰電池充電器，特別是反(fan)饋(kui)，一(yi)直搞不太明白。看了你(ni)的文章，感(gan)覺受益(yi)匪(fei)淺，希(xi)望有時間和你(ni)繼(ji)續交流

八、以初級峰值電流(liu)為例驗證設計裕量的重要性

本次(ci)試(shi)驗以TOP246Y芯片(pian)為例，從初級峰值電(dian)流的角度驗證設計裕量(liang)的重要性。

由(you)于TOP246Y芯片(pian)具有限流(liu)(liu)保(bao)護功能，當外部峰(feng)值(zhi)電流(liu)(liu)大于ILIMIT時TOP246Y芯片(pian)會(hui)進入(ru)打嗝式(shi)重(zhong)啟(qi)保(bao)護模式(shi)。

實(shi)驗(yan)時，設計(ji)(ji)需(xu)求(qiu)(qiu)按(an)輸(shu)出32V,2.5A輸(shu)出需(xu)求(qiu)(qiu)進行設計(ji)(ji)，其(qi)他(ta)部分設計(ji)(ji)需(xu)求(qiu)(qiu)同本(ben)主題帖實(shi)例(li)，理(li)論(lun)計(ji)(ji)算(suan)時，滿(man)載輸(shu)出條件下(xia)初級峰值電(dian)流應(ying)該是2.35A（具體不(bu)清(qing)楚了，大概這個(ge)值），理(li)想情(qing)況下(xia)IP=2.35A< TOP246的最低限流保(bao)護(hu)點2.44A，芯片(pian)不(bu)應(ying)該進入打嗝(ge)式(shi)(shi)重啟保(bao)護(hu)模式(shi)(shi)。但(dan)實(shi)際情(qing)況是：5臺(tai)開關電(dian)源中有3臺(tai)在常溫老化(hua)時進入了打嗝(ge)式(shi)(shi)重啟保(bao)護(hu)模式(shi)(shi)，降低輸(shu)出功率或更(geng)換更(geng)高ILIMIT的TOP247Y后，故(gu)障解除(chu)。

故(gu)障(zhang)分析，本次設(she)計(ji)(ji)的(de)(de)IP=2.35A是按理(li)論計(ji)(ji)算(suan)的(de)(de)數據(ju)，由于在實(shi)際(ji)設(she)計(ji)(ji)中變壓器的(de)(de)制作(zuo)工藝，電路實(shi)際(ji)誤差(cha)等因素，實(shi)際(ji)設(she)計(ji)(ji)的(de)(de)IP不一定為2.35A，有可能已經很接近(jin)MOS管芯片的(de)(de)臨界點了，由于手頭(tou)上沒有電流探頭(tou)，所(suo)以沒有測(ce)試實(shi)際(ji)IP為多(duo)少。

試驗(yan)目的：本(ben)次試驗(yan)的主要(yao)目的只(zhi)是為(wei)了(le)說(shuo)明在(zai)理論(lun)計算設計開關電源(yuan)時，最好預留(liu)充足(zu)的設計裕量，特別是在(zai)手(shou)頭上(shang)(shang)測(ce)試儀(yi)器(qi)不完(wan)善(shan)的情況(kuang)下，建議在(zai)理論(lun)計算值的基礎上(shang)(shang)預留(liu)設計裕量，這樣才能確(que)保設計的可(ke)(ke)靠性(xing)，當然，手(shou)頭測(ce)試儀(yi)器(qi)完(wan)善(shan)的情況(kuang)下，可(ke)(ke)以在(zai)實(shi)際在(zai)調試完(wan)善(shan)設計參數。

看球(qiu)休息之余繼續寫點~

九(jiu)、關于SOT-23封裝和(he)TO-92封裝TL431使用心得

最(zui)初(chu)選(xuan)型TL431封(feng)裝(zhuang)(zhuang)的(de)時候(hou)，為了(le)(le)方便(bian)生產工(gong)藝，選(xuan)擇了(le)(le)SOT-23封(feng)裝(zhuang)(zhuang)的(de)TL431，調試過程中(zhong)也(ye)沒發現(xian)什么(me)問題(ti)。于是(shi)第二次樣機(ji)的(de)時候(hou)繼續保持使用(yong)(yong)SOT-23封(feng)裝(zhuang)(zhuang)，由于樣機(ji)數量不多(duo)，臨時安排了(le)(le)生產線上(shang)的(de)工(gong)人幫忙(mang)焊(han)接，元器件暫時用(yong)(yong)第一(yi)次樣機(ji)板子上(shang)的(de)元件，這下問題(ti)來了(le)(le)，生產線上(shang)的(de)個人不會使用(yong)(yong)烙鐵取元件，使用(yong)(yong)的(de)是(shi)熱風槍，結果(guo)最(zui)終調試板子的(de)時候(hou)發現(xian)，5塊電源板其中(zhong)有4塊輸(shu)出(chu)只有15V左右（實際需(xu)求為32V輸(shu)出(chu)），最(zui)后(hou)找到問題(ti)這4塊全(quan)部都是(shi)因為TL431壞(huai)了(le)(le)，重新更換后(hou)全(quan)部OK。

原因分析(xi)：可能是生產線上(shang)工人用熱風(feng)槍吹(chui)TL431的(de)時候溫度(du)控制不好，導致TL431損壞，但是之前(qian)TO-92封(feng)裝(zhuang)的(de)也沒有出現過類(lei)(lei)似問題，懷疑(yi)SOT-23封(feng)裝(zhuang)TL431結點溫度(du)之類(lei)(lei)的(de)可靠性(xing)沒有TO-92封(feng)裝(zhuang)的(de)好。

解決對策：后續(xu)量產果(guo)斷改(gai)成(cheng)了TO-92封裝的TL431，至今未發現任何問題。

十(shi)、最壞(huai)條件測試(shi)一(yi)——最大漏極電壓

在(zai)進(jin)行電源設(she)計(ji)(ji)時，所有的(de)設(she)計(ji)(ji)均應進(jin)行校驗，以確保在(zai)最壞(huai)條件下(xia)不超過元(yuan)件指(zhi)標，首先進(jin)行如下(xia)測(ce)試(shi)：

最大漏(lou)極電(dian)壓測試

測試條件：檢(jian)驗(yan)峰(feng)值最高輸入電壓(ya)和最大過載(zai)(zai)輸出功(gong)率(lv)時(shi)，VDS是(shi)否超(chao)過MOS管(guan)規格書中（VDSS-25V）大小。當輸出過載(zai)(zai)到電源即(ji)將進入自(zi)動重(zhong)啟動狀態時(shi)的(de)功(gong)率(lv)即(ji)為最大過載(zai)(zai)功(gong)率(lv)。

測試(shi)目的(de)：是為了保證在(zai)最(zui)壞條件下最(zui)大漏極(ji)電壓不超過MOS管(guan)芯片的(de)VDS電壓以致損壞MOS管(guan)。

十一、最壞條件測試(shi)二——最大漏(lou)極電流

在進(jin)行(xing)電源設計時，所有的設計均應進(jin)行(xing)校驗，以(yi)確(que)保在最壞條件(jian)(jian)下不超過元件(jian)(jian)指標，其次進(jin)行(xing)如下測試(shi)：

最大漏極(ji)電流測試(shi)

測(ce)試(shi)條件：在(zai)最(zui)高環境溫度、最(zui)高輸入電(dian)壓和最(zui)大(da)輸出(chu)負載情況(kuang)下，觀察啟動時的漏極電(dian)流波形，檢驗(yan)是(shi)否(fou)出(chu)現變壓器飽(bao)和的征(zheng)兆(zhao)和過多的前沿(yan)電(dian)流尖(jian)峰。

測試目(mu)的(de)：防止(zhi)最壞情(qing)況下變壓器飽和或初級峰值電流超過MOS管芯片流限值而進入重啟(qi)保護(hu)模式(shi)

十二、最壞條(tiao)件測試(shi)三(san)——主要功(gong)率元(yuan)件熱(re)檢查(cha)

在(zai)進行電源設計(ji)時，所有(you)的設計(ji)均應(ying)進行校驗(yan)，以確保在(zai)最壞(huai)條件(jian)(jian)下不(bu)超過元(yuan)件(jian)(jian)指標(biao)，最好還(huan)應(ying)進行如(ru)下測試：

主(zhu)要功率元件熱檢查

測(ce)試條(tiao)件：在(zai)最大輸(shu)出功率、最小(xiao)輸(shu)入電壓和最高環(huan)境溫度條(tiao)件下，檢查主要功率元件如(ru)MOS管芯片、變壓器(qi)、輸(shu)出二極管和輸(shu)出電容是否(fou)超(chao)過溫度指(zhi)標。

測試目的：防止主要功率元件(jian)(jian)在最壞(huai)情況下因超過溫度指(zhi)標而損壞(huai)器(qi)件(jian)(jian)、影響元件(jian)(jian)壽命或進入保(bao)護模式。

PCB LAYOUT技巧(qiao)一：關于浪涌防(fang)護電路

浪涌(yong)防(fang)護(hu)電(dian)(dian)路主要是(shi)(shi)保護(hu)電(dian)(dian)路在(zai)浪涌(yong)能(neng)量信(xin)號(hao)的(de)(de)(de)干擾下不(bu)損壞(huai)后級(ji)電(dian)(dian)路的(de)(de)(de)元件，以(yi)交(jiao)流220V輸(shu)入(ru)(ru)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)為例，大(da)(da)(da)多數(shu)的(de)(de)(de)防(fang)護(hu)電(dian)(dian)路都是(shi)(shi)在(zai)L、N之間，L、N對大(da)(da)(da)地(di)之間接一個470V或560V的(de)(de)(de)壓(ya)(ya)(ya)敏(min)電(dian)(dian)阻，但這(zhe)樣(yang)有一個弊端(duan)，壓(ya)(ya)(ya)敏(min)電(dian)(dian)阻的(de)(de)(de)使用(yong)(yong)壽命會和(he)他吸收(shou)能(neng)量的(de)(de)(de)大(da)(da)(da)小(xiao)還有次數(shu)有關，當交(jiao)流輸(shu)入(ru)(ru)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)質量很(hen)差時，電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)中(zhong)的(de)(de)(de)瞬態脈沖信(xin)號(hao)會經常擊穿壓(ya)(ya)(ya)敏(min)電(dian)(dian)阻，從而(er)嚴重(zhong)影響(xiang)壓(ya)(ya)(ya)敏(min)電(dian)(dian)阻的(de)(de)(de)使用(yong)(yong)壽命，所以(yi)在(zai)這(zhe)里(li)建議使用(yong)(yong)一個壓(ya)(ya)(ya)敏(min)電(dian)(dian)阻和(he)氣體(ti)放電(dian)(dian)管串聯的(de)(de)(de)方(fang)式來進行(xing)保護(hu)，具體(ti)的(de)(de)(de)壓(ya)(ya)(ya)敏(min)大(da)(da)(da)小(xiao)和(he)直徑(jing)大(da)(da)(da)小(xiao)要依(yi)據具體(ti)的(de)(de)(de)輸(shu)入(ru)(ru)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)應(ying)用(yong)(yong)場合(he)和(he)需(xu)要防(fang)護(hu)的(de)(de)(de)浪涌(yong)能(neng)量等(deng)級(ji)進行(xing)選(xuan)擇。

PCB LAYOUT技巧二：關于L和N走線層(ceng)的(de)建議

很多工程師(shi)在PCB布線(xian)時，只要滿足電氣性能(neng)和(he)EMC要求，基本上很少區(qu)分PCB頂(ding)層(ceng)(ceng)和(he)底層(ceng)(ceng)的走(zou)線(xian)。這(zhe)里個人(ren)建議(yi)，在滿足電氣性能(neng)和(he)EMC等基本要求的前提下，建議(yi)走(zou)線(xian)時L（火線(xian)）線(xian)走(zou)底層(ceng)(ceng)，N線(xian)（零線(xian)）走(zou)頂(ding)層(ceng)(ceng)。原因是為了防止調試(shi)時儀器或人(ren)本身容易觸碰到(dao)頂(ding)層(ceng)(ceng)的走(zou)線(xian)而(er)引起安(an)全(quan)事(shi)故。當然這(zhe)里純(chun)屬個人(ren)建議(yi)

PCB LAYOUT技巧三:關(guan)于散熱片下方(fang)走線(xian)時建議打白油處理

當然這里不建(jian)議散熱(re)片(pian)下方(fang)(fang)走(zou)線(xian)，原因是散熱(re)片(pian)一(yi)般(ban)是和功率元件的某個電氣(qi)引(yin)腳連(lian)接的，而散熱(re)片(pian)在安裝時(shi)很容易刮破散熱(re)片(pian)下方(fang)(fang)的銅皮走(zou)線(xian)，一(yi)旦在潮濕環境下很容易發生電氣(qi)連(lian)接上(shang)的短路(lu)現象(xiang)，實在受其他因素(su)影響要在散熱(re)片(pian)下方(fang)(fang)走(zou)線(xian)時(shi)，建(jian)議在散熱(re)片(pian)下方(fang)(fang)的走(zou)線(xian)區域打上(shang)白油(you)，這樣可(ke)以起到(dao)一(yi)定的保護和絕緣(yuan)作用

PCB LAYOUT技巧四(si):關于用多(duo)個(ge)元件(jian)串并聯代(dai)替單個(ge)元件(jian)的建議

在對成本(ben)和(he)體積(ji)不(bu)是要求很高的場合，個人建議設計時用(yong)多個元(yuan)件串并聯代替單個元(yuan)件：

例：

1.初級RCD吸(xi)收(shou)電路中的電阻R，個人建議(yi)設計時預留兩個電阻R的位置，一方面方便調試，另一方面也為電阻的功率(lv)裕(yu)量預留了(le)(le)更大的空間，增(zeng)加了(le)(le)可靠(kao)性(xing)；

2.預留多(duo)個(ge)輸出(chu)(chu)濾波(bo)電(dian)(dian)容(rong)的位置，一方(fang)面多(duo)個(ge)輸出(chu)(chu)濾波(bo)電(dian)(dian)容(rong)并(bing)聯，可有效減小輸出(chu)(chu)濾波(bo)電(dian)(dian)容(rong)的等效ESR，另一方(fang)面，增(zeng)加(jia)了輸出(chu)(chu)濾波(bo)電(dian)(dian)容(rong)的紋波(bo)能力，增(zeng)加(jia)了電(dian)(dian)路(lu)設計的可靠性(xing)；

3.反饋分壓電(dian)(dian)阻建議使用多個電(dian)(dian)阻串并聯的組合，增加電(dian)(dian)路設(she)計的可靠性；

PCB LAYOUT技巧五:建議設計(ji)時預(yu)留關鍵測量信號的測試點

設計時，建議預留關鍵測量信號的測試點，個人建議按如下原(yuan)則：

1.如果只是為了工程樣(yang)機時(shi)的(de)測(ce)試(shi)，個人建議預留(liu)通孔式的(de)測(ce)試(shi)點，這樣(yang)方面測(ce)試(shi)時(shi)萬(wan)用(yong)表和示波器探頭的(de)插入，不會出(chu)現測(ce)試(shi)時(shi)誤(wu)碰到其他地方引起燒機現象；

2.如果是為(wei)了量產(chan)時(shi)生產(chan)線上的工裝夾(jia)(jia)具測(ce)試，建議預留單面的非通孔式的測(ce)試點，方便工裝夾(jia)(jia)具的頂針測(ce)試；

 PCB LAYOUT技巧六:建議通(tong)用(yong)件至少預(yu)留兩(liang)種通(tong)用(yong)封裝(zhuang)

建議設計(ji)時對于常用的通用元件至少預留(liu)兩種(zhong)封(feng)裝設計(ji)。

例：

電解(jie)電容(rong)(rong)(rong)預(yu)留兩種封裝設計(ji)的主要(yao)目(mu)的是(shi)(shi)因(yin)為，電解(jie)電容(rong)(rong)(rong)同一容(rong)(rong)(rong)量、耐壓規格的型(xing)號會存在(zai)多種腳間距或(huo)本體直徑高度的現象，預(yu)留兩種封裝的好處是(shi)(shi)調試(shi)時可(ke)以靈(ling)活更換型(xing)號或(huo)部分關(guan)鍵電容(rong)(rong)(rong)供貨周期太長需要(yao)更換型(xing)號時方便(bian)靈(ling)活變更；

散(san)(san)熱(re)片的(de)類(lei)型(xing)也有(you)很多種，有(you)鋁型(xing)材的(de)，翅(chi)型(xing)的(de)，還有(you)壓鑄型(xing)的(de)，設計時(shi)最好綜合考慮可能需要外(wai)加的(de)散(san)(san)熱(re)片的(de)體積大小，到時(shi)候靈(ling)活使用(yong)；

功(gong)率電(dian)阻有大體積封(feng)(feng)裝的，也(ye)有小體積封(feng)(feng)裝的，如果預留了(le)兼容兩種(zhong)封(feng)(feng)裝的話，就增加了(le)購買元件的方面性

PCB LAYOUT技巧七：對絕緣耐壓有要求的場合或大的功率元(yuan)件下方(fang)PCB板建議間(jian)隔性開孔(kong)處理

1.首先，對于絕(jue)緣(yuan)耐壓有要求的場(chang)合(he)，PCB板上(shang)開孔可以降低隔(ge)離兩端信(xin)號的介電常數，增(zeng)加絕(jue)緣(yuan)；

2.其次(ci)，大的(de)(de)功(gong)率元(yuan)件下方PCB板上開孔，其主(zhu)要(yao)目的(de)(de)是為了增加大功(gong)率元(yuan)件上下之間空氣的(de)(de)對流，以減(jian)小功(gong)率元(yuan)件的(de)(de)溫(wen)升；

但是有一點需(xu)要注(zhu)意，當在PCB板需(xu)要開(kai)一個很長的槽(cao)孔時，建議分(fen)段開(kai)孔，這樣(yang)做的目的是為了加強PCB開(kai)孔處的韌度

PCB LAYOUT技巧(qiao)八：正(zheng)確選擇單(dan)點(dian)接地

通常輸入濾波(bo)電(dian)(dian)容公(gong)共端應(ying)是(shi)(shi)初級(ji)回路其它的(de)接(jie)(jie)地點(dian)(dian)耦合到(dao)大(da)電(dian)(dian)流(liu)的(de)交流(liu)地的(de)唯一連接(jie)(jie)點(dian)(dian)，同一級(ji)電(dian)(dian)路的(de)接(jie)(jie)地點(dian)(dian)應(ying)盡量靠近(jin)，并且本(ben)級(ji)電(dian)(dian)路的(de)電(dian)(dian)源濾波(bo)電(dian)(dian)容也應(ying)接(jie)(jie)在該級(ji)接(jie)(jie)地點(dian)(dian)上(shang)，主要(yao)是(shi)(shi)考慮電(dian)(dian)路各部分(fen)回流(liu)到(dao)地的(de)電(dian)(dian)流(liu)是(shi)(shi)變化的(de)，因實際流(liu)過的(de)線(xian)路的(de)阻抗會導致(zhi)電(dian)(dian)路各部分(fen)地電(dian)(dian)位的(de)變化而引(yin)入干擾。

做(zuo)不到單點時(shi)，盡(jin)量(liang)(liang)接在比較集(ji)中的(de)一塊銅(tong)(tong)箔處。盡(jin)量(liang)(liang)加粗(cu)接地(di)(di)(di)(di)線(xian)(xian)(xian) 若接地(di)(di)(di)(di)線(xian)(xian)(xian)很(hen)細，接地(di)(di)(di)(di)電(dian)位則隨電(dian)流的(de)變化而變化，致使(shi)電(dian)子(zi)設(she)備的(de)定時(shi)信號電(dian)平不穩，抗(kang)噪聲性能(neng)變壞，因此要確保每一個(ge)大電(dian)流的(de)接地(di)(di)(di)(di)端采用(yong)(yong)(yong)盡(jin)量(liang)(liang)短而寬(kuan)(kuan)的(de)印制(zhi)線(xian)(xian)(xian)，盡(jin)量(liang)(liang)加寬(kuan)(kuan)電(dian)源、地(di)(di)(di)(di)線(xian)(xian)(xian)寬(kuan)(kuan)度，最好是(shi)地(di)(di)(di)(di)線(xian)(xian)(xian)比電(dian)源線(xian)(xian)(xian)寬(kuan)(kuan)，它(ta)們的(de)關(guan)系(xi)是(shi)：地(di)(di)(di)(di)線(xian)(xian)(xian)＞電(dian)源線(xian)(xian)(xian)＞信號線(xian)(xian)(xian)，如有可能(neng)，接地(di)(di)(di)(di)線(xian)(xian)(xian)的(de)寬(kuan)(kuan)度應(ying)大于3mm，也可用(yong)(yong)(yong)大面積銅(tong)(tong)層作(zuo)地(di)(di)(di)(di)線(xian)(xian)(xian)用(yong)(yong)(yong),在印制(zhi)板上(shang)把沒被用(yong)(yong)(yong)上(shang)的(de)地(di)(di)(di)(di)方都與地(di)(di)(di)(di)相連接作(zuo)為地(di)(di)(di)(di)線(xian)(xian)(xian)用(yong)(yong)(yong)，當接地(di)(di)(di)(di)線(xian)(xian)(xian)的(de)寬(kuan)(kuan)度無法做(zuo)到很(hen)寬(kuan)(kuan)時(shi)，建議在制(zhi)作(zuo)PCB的(de)時(shi)候將PCB銅(tong)(tong)厚做(zuo)成2OZ，3OZ，同時(shi)做(zuo)露銅(tong)(tong)處理(li)，待(dai)生產(chan)時(shi)對露銅(tong)(tong)出做(zuo)加錫處理(li)。

PCB LAYOUT技巧九：增(zeng)大功(gong)率元件(jian)引腳的焊盤面積大小

在完成開(kai)關電(dian)源(yuan)的(de)(de)(de)PCB LAYOUT后，建議專門針對功率(lv)元件(jian)引腳(jiao)的(de)(de)(de)焊盤進行補銅(tong)(tong)加大處理(li)，并(bing)根據實(shi)際(ji)情(qing)況做(zuo)露銅(tong)(tong)處理(li)，這樣(yang)做(zuo)的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)有兩個，一方(fang)(fang)面，大的(de)(de)(de)銅(tong)(tong)皮焊盤對功率(lv)元件(jian)的(de)(de)(de)散熱有一定作用，另一方(fang)(fang)面加大焊盤銅(tong)(tong)皮對焊盤引腳(jiao)的(de)(de)(de)牢(lao)固性也有好(hao)處，可防止維修調(diao)試(shi)時(shi)烙鐵溫度掌握不好(hao)而導致焊接元件(jian)時(shi)掉銅(tong)(tong)皮的(de)(de)(de)現象

十四(si)、關于變壓器開氣隙位置(zhi)的建(jian)議

變(bian)壓器開(kai)氣(qi)(qi)隙位置：邊(bian)柱開(kai)氣(qi)(qi)隙或中柱開(kai)氣(qi)(qi)隙。

1.邊柱開(kai)(kai)氣(qi)(qi)(qi)隙(xi)(xi)，好處是每個氣(qi)(qi)(qi)隙(xi)(xi)比較小，約等于中間(jian)(jian)開(kai)(kai)氣(qi)(qi)(qi)隙(xi)(xi)的(de)高(gao)度的(de)一半就(jiu)可以(yi)的(de)，因此(ci)氣(qi)(qi)(qi)隙(xi)(xi)引起的(de)擴散(san)磁通效(xiao)應就(jiu)比較小，從而有助于降(jiang)低繞組(zu)渦流損耗，但是在邊柱開(kai)(kai)氣(qi)(qi)(qi)隙(xi)(xi)，磁場會(hui)擴散(san)到周圍(wei)的(de)空間(jian)(jian)，會(hui)造成近(jin)場輻射和近(jin)場耦合。因此(ci)對(dui)EMI要求不高(gao)的(de)場合，可以(yi)考慮(lv)邊柱開(kai)(kai)氣(qi)(qi)(qi)隙(xi)(xi)；

2.中柱(zhu)開氣(qi)(qi)隙，由于氣(qi)(qi)隙磁場(chang)被(bei)繞(rao)組(zu)包住，因此沒(mei)有近(jin)場(chang)磁場(chang)擴(kuo)散的問題，但(dan)是(shi)中柱(zhu)開氣(qi)(qi)隙的話氣(qi)(qi)隙高度相對邊柱(zhu)的話就(jiu)比較(jiao)大，引起的擴(kuo)散磁通(tong)效(xiao)應(ying)就(jiu)比較(jiao)大一點(dian)，繞(rao)組(zu)渦流損耗也會相應(ying)增加。

個人(ren)建(jian)議采用(yong)中柱(zhu)開氣(qi)隙的方(fang)法(fa)。

十五、關于變(bian)壓器開氣隙方(fang)式(shi)的(de)建議

變壓器開氣隙(xi)方(fang)式一般有兩種方(fang)式：墊(dian)絕緣(yuan)紙和磨(mo)磁柱開氣隙(xi)

1.墊絕緣紙(zhi)：墊紙(zhi)必(bi)須(xu)在(zai)磁路的中心(xin)和(he)邊緣都墊，優點(dian)是(shi)(shi)容易控制間隙(xi)的距(ju)離，生產工藝會(hui)因此(ci)簡單化，且方便(bian)調試時靈活變更氣隙(xi)厚(hou)度；缺點(dian)是(shi)(shi)氣隙(xi)很小(xiao)時不好(hao)控制墊紙(zhi)厚(hou)度，并且墊紙(zhi)漏磁也會(hui)稍大；

2.磨磁柱開氣隙(xi)：是(shi)磨床磨出來的(de)，可(ke)以只磨心柱，這樣漏磁稍小，優點是(shi)參數比較(jiao)穩定，氣隙(xi)厚度不會(hui)受(shou)溫度或磁芯壓縮(suo)強(qiang)度的(de)影響。缺點是(shi)氣隙(xi)一旦(dan)磨出，不方便(bian)修改其(qi)大小，另外數量太少的(de)話，很多廠(chang)家(jia)不事很愿意磨，自己磨則相當(dang)困難，不容(rong)易(yi)保證氣隙(xi)均勻一致，同時也會(hui)存在氣隙(xi)很小時不好磨的(de)問題(ti)。

個人建議調(diao)試或數量比(bi)較少的(de)時(shi)候采(cai)用墊絕緣紙的(de)方法就可以了，數量比(bi)較大時(shi)采(cai)用磨磁柱(zhu)開(kai)氣隙。

 十三(san)、對制成(cheng)成(cheng)品后的開關電源(yuan)板進行三(san)防漆(qi)噴漆(qi)工藝處理

對(dui)于(yu)基本功能調試完成后(hou)，準備(bei)進行老化試驗的(de)開關電源(yuan)板，建議(yi)對(dui)板子(zi)上的(de)表貼元(yuan)(yuan)(yuan)件(jian)(jian)及露銅焊(han)盤處進行三(san)防漆噴漆工藝處理(li)，這樣做的(de)目的(de)是為了(le)防止元(yuan)(yuan)(yuan)器(qi)件(jian)(jian)在高溫高濕(shi)等惡劣(lie)環境條件(jian)(jian)下出現老化而導致(zhi)元(yuan)(yuan)(yuan)件(jian)(jian)參數的(de)變(bian)化，另(ling)一(yi)方面(mian)，噴漆也增加(jia)了(le)元(yuan)(yuan)(yuan)件(jian)(jian)之間的(de)絕緣強度。這里有一(yi)點(dian)需要注(zhu)意(yi)，對(dui)于(yu)功率(lv)元(yuan)(yuan)(yuan)件(jian)(jian)，個人不建議(yi)做噴漆處理(li)，因為噴漆后(hou)對(dui)功率(lv)元(yuan)(yuan)(yuan)件(jian)(jian)的(de)散熱(re)性能會有一(yi)定影響。

十六(liu)、關(guan)于匝比(bi)不(bu)變的情(qing)況下增(zeng)加和減少變壓器匝數的影(ying)響

保持匝比(bi)不(bu)變的情況下，增加或(huo)減少變壓器繞組(zu)匝數主要(yao)會產生以(yi)下影響(xiang)：

1.匝數越(yue)多，匝間電(dian)容(rong)、線圈之間的電(dian)容(rong)越(yue)大，但初次(ci)級之間的耦(ou)合(he)更緊密，漏感越(yue)小；反之，漏感越(yue)大；

2.匝數越多，需要(yao)的繞(rao)組(zu)導線的長(chang)度變多，變壓器的銅(tong)損(sun)越大；反之(zhi)，銅(tong)損(sun)越小；

3.匝數越(yue)多，磁(ci)芯(xin)交流(liu)工作磁(ci)通密(mi)度(du)越(yue)小；反之，磁(ci)芯(xin)交流(liu)工作磁(ci)通密(mi)度(du)越(yue)大，磁(ci)芯(xin)更容易進入(ru)飽和；

4.匝數越多，增大了(le)磁(ci)芯的體積(ji)、繞制工藝以及漆包線用料和(he)成本(ben)；

 5.匝數越多(duo)，磁芯(xin)里面的(de)勵磁電流(liu)增大導(dao)致磁芯(xin)損耗(hao)增大；

關(guan)于匝比不(bu)變的情況下，匝數(shu)(shu)的多少需(xu)要結合(he)多種因數(shu)(shu)綜合(he)考慮(lv)。

反(fan)激式開關電(dian)源(yuan)設計時，一(yi)般都會有反(fan)射電(dian)壓(ya)VOR這個參(can)數(shu)，而大(da)部(bu)分的(de)應用中都只(zhi)是簡(jian)單的(de)建議反(fan)射電(dian)壓(ya)的(de)選擇(ze)范(fan)圍(wei)，而并沒有解釋清楚(chu)為(wei)什(shen)么反(fan)射電(dian)壓(ya)推(tui)薦(jian)在這個范(fan)圍(wei)內，下(xia)面就來講(jiang)解一(yi)下(xia)為(wei)什(shen)么大(da)部(bu)分的(de)應用中推(tui)薦(jian)的(de)反(fan)射電(dian)壓(ya)的(de)選擇(ze)范(fan)圍(wei)是85V到135V之間(jian)。

十七、從開關應力角度深入理(li)解(jie)反射(she)電壓VOR的選(xuan)擇范圍

首先，假(jia)設交流輸入范圍(wei)AC195V~AC265V，輸出VO=32V，輸出二極管正(zheng)向壓(ya)(ya)降VF=0.7V，開關MOS管BVDSS=700V，輸出整流二極管反(fan)向電(dian)壓(ya)(ya)VD=200V，變壓(ya)(ya)器匝比為N，反(fan)射電(dian)壓(ya)(ya)VOR=N*(VO+VF)

但開(kai)關管(guan)關斷時，考(kao)慮開(kai)關管(guan)預(yu)留10%的開(kai)關應力，則

BVDSS*0.9 > 1.4*1.5*VOR+VMAX=1.4*1.5*N*(VO+VF)+VMAX

→N < (BVDSS*0.9-VMAX)/(1.4*1.5*(VO+VF))=(700*0.9-375)/(1.4*1.5*(32+0.7))=3.71

但開關(guan)管(guan)(guan)打開時，考慮(lv)輸出整流二極(ji)管(guan)(guan)預留10%的開關(guan)應力，則

VD*0.9>VMAX/N+VO

→N >VMAX/(VD*0.9-VO)=375/(200*0.9-32)=2.53

→2.53 < N <3.71

綜上，由(you)于VOR=N*(VO+VF)，則(ze)有

2.53*(VO+VF)< VOR <3.71*(VO+VF)

→82.7< VOR<121.3

到這里，相信大家應該從開關應力角(jiao)度(du)理解了反射電壓VOR的選擇范(fan)圍

由以(yi)上(shang)分(fen)析可知，單純考慮MOS開關管和輸出整流二(er)極管的開關應力的前提下(xia)

反射電壓越大，即(ji)匝(za)比(bi)選擇越大，對MOS開(kai)關管的BVDSS要求越高；

反(fan)射(she)電(dian)壓越(yue)(yue)小，即(ji)匝比選擇越(yue)(yue)小，對輸出整流二(er)極管的(de)反(fan)向耐壓VD要(yao)求越(yue)(yue)高。

十八、關(guan)于工程(cheng)上磁芯開氣(qi)隙的大小(xiao)建議(yi)

步驟十八(ba)中有提(ti)過，工程上開氣(qi)隙時，Lg的范圍：0.1mm<=Lg<;=2mm,這里(li)在進一步細化一下，

1.氣隙(xi)的(de)最(zui)小厚度仍(reng)然(ran)是(shi)0.1mm，太小的(de)氣隙(xi)厚度很(hen)難滿(man)足變(bian)壓器的(de)可制造性標(biao)準，并會(hui)導致(zhi)較大范圍的(de)元件特性和容差變(bian)化(hua)；

2.氣隙(xi)(xi)的最(zui)大厚度建議不超過磁芯橫截面尺寸直徑的1/11，如果氣隙(xi)(xi)附近邊緣效應非常顯著，可(ke)能(neng)導(dao)致高(gao)(gao)漏(lou)感及高(gao)(gao)箝位損耗，因而會降低效率。

所(suo)以磁芯(xin)的(de)最大氣隙厚(hou)度和所(suo)選磁芯(xin)的(de)中柱直徑直接相關了

十九、關于峰值(zhi)磁(ci)通密(mi)度驗(yan)證時的大(da)小建議

在理論設(she)計完成后，需要對計算(suan)的(de)參數進行驗(yan)證(zheng)，其(qi)中有(you)一(yi)項是峰值磁通密(mi)度的(de)驗(yan)證(zheng)，很多MOS管(guan)芯片規格(ge)書中都只是給出了推薦(jian)的(de)最(zui)大峰值磁通密(mi)度，工程上一(yi)般的(de)經(jing)驗(yan)是這樣的(de)：

1.最(zui)大(da)(da)峰值(zhi)磁(ci)通(tong)密度(du)建(jian)議(yi)(yi)不要超過(guo)MOS管芯(xin)片規格書給出(chu)(chu)的(de)推薦(jian)建(jian)議(yi)(yi)值(zhi)，例如PI公司的(de)TOP246芯(xin)片，建(jian)議(yi)(yi)的(de)最(zui)大(da)(da)峰值(zhi)磁(ci)通(tong)密度(du)大(da)(da)小(xiao)為4200高(gao)斯，一旦超過(guo)了給出(chu)(chu)的(de)建(jian)議(yi)(yi)值(zhi)，變壓(ya)器磁(ci)芯(xin)可能(neng)出(chu)(chu)現(xian)飽和(he)現(xian)象(xiang)，并且可能(neng)損(sun)壞MOS管芯(xin)片。這種(zhong)最(zui)差條(tiao)件下會(hui)出(chu)(chu)現(xian)在(zai)啟動或過(guo)載/短路、高(gao)壓(ya)交流輸(shu)入和(he)最(zui)高(gao)額定環(huan)境溫度(du)下。遇到(dao)這種(zhong)情況，可通(tong)過(guo)以下幾種(zhong)方式進行優化：增加磁(ci)芯(xin)尺(chi)寸或磁(ci)芯(xin)截(jie)面(mian)積、增加初級繞(rao)組和(he)次級繞(rao)組圈數、選擇較小(xiao)規格的(de)MOS管芯(xin)片等。

2.最小(xiao)峰(feng)值磁通(tong)密度，工程上建議不(bu)要低于(yu)0.1T，一旦低于(yu)0.1T，變壓(ya)器設計就不(bu)是成(cheng)本(ben)性能等綜合因素的(de)最佳化設計，遇到這種(zhong)情況，可通(tong)過減小(xiao)磁芯尺寸、減小(xiao)初級繞(rao)組(zu)和次級繞(rao)組(zu)圈數、減小(xiao)電流波形系數等方式進(jin)行改善。

二十、關于計算繞組匝數(shu)時(shi)使(shi)用的最大交流工作磁(ci)通密(mi)度BM和最后(hou)設(she)計驗證時(shi)驗證的BM的關系

以162樓計算(suan)結(jie)果(guo)為例，這(zhe)里(li)假(jia)設最(zui)大交流工作磁(ci)通密度BM=0.2T，計算(suan)出來的(de)初級繞組匝(za)數=24匝(za)，然(ran)(ran)后后面(mian)(mian)167樓驗(yan)證了(le)3000≥BM≥2000符合設計要求(qiu)。這(zhe)里(li)有人會問了(le)，你前面(mian)(mian)計算(suan)的(de)時候選的(de)BM=0.2T計算(suan)出來繞組匝(za)數后，然(ran)(ran)后用這(zhe)個繞組匝(za)數返回來驗(yan)證BM是否符合3000≥BM≥2000，這(zhe)不是多此一舉嗎？

 是這(zhe)樣的，這(zhe)里(li)前(qian)后的兩個BM應(ying)該要區分開來(lai)，

首先計(ji)算(suan)繞(rao)(rao)組匝(za)數(shu)時的(de)(de)(de)BM是我們選定(ding)的(de)(de)(de)一(yi)個初(chu)步(bu)計(ji)算(suan)值，一(yi)般過程上建議選擇0.2T~0.3T，也可以(yi)是K*(BS-BR)，這(zhe)樣計(ji)算(suan)出來的(de)(de)(de)繞(rao)(rao)組匝(za)數(shu)還(huan)需要(yao)用來驗(yan)(yan)證后面的(de)(de)(de)變壓器工藝是否繞(rao)(rao)的(de)(de)(de)下(xia)，變壓器氣隙厚度是否符合設(she)計(ji)要(yao)求(qiu)等，一(yi)旦驗(yan)(yan)證不通過時，就需要(yao)通過改變繞(rao)(rao)組匝(za)數(shu)大小來滿足變壓器工藝要(yao)求(qiu)，這(zhe)樣再用最(zui)后確定(ding)下(xia)來的(de)(de)(de)繞(rao)(rao)組匝(za)數(shu)返回來驗(yan)(yan)證實際工作的(de)(de)(de)最(zui)大交流磁通密度BM是否合理(li)。

所(suo)以說，計(ji)算繞組(zu)匝數時(shi)用的(de)BM只是一(yi)個初步選(xuan)定值(zhi)(zhi)，驗證(zheng)時(shi)的(de)BM才(cai)是最終(zhong)實際工作的(de)BM值(zhi)(zhi)。

二十一、關于選用(yong)繞組線徑大小和繞組股數(shu)層(ceng)數(shu)的建議

在選用繞組線徑(jing)大(da)小(xiao)和(he)繞組股(gu)數層數，個人建議的(de)方法：

1、先根據開(kai)關頻率FS確(que)定單股可用的最(zui)粗線(xian)徑大小；

2、根據最大(da)電(dian)流密度確定(ding)單股等效(xiao)最大(da)線徑大(da)小；

3、根據步驟1和2確定了(le)可用單股等效可用線徑的大小后(hou)，再通過反(fan)復堆迭驗(yan)證(zheng)繞(rao)線股數和層(ceng)數，這里個(ge)人建議在EXCEL里做(zuo)幾個(ge)簡(jian)單的計(ji)算(suan)公式(shi)，以方便堆迭設(she)計(ji)時(shi)反(fan)復驗(yan)證(zheng)。

二十二、關于計算初級(ji)繞組電感(gan)量(liang)時(shi)使用儲能方(fang)(fang)程式(shi)(shi)還是(shi)脈動(dong)電流方(fang)(fang)程式(shi)(shi)的(de)問題

目前計算初級(ji)繞組(zu)電感量的計算公式主要有兩種：儲能方程式計算和脈動電流方程式計算；

儲能方程式：

脈動電流方程式：

其中(zhong)，儲能(neng)(neng)方(fang)程式(shi)考(kao)慮到(dao)了電(dian)源效(xiao)率(lv)和損耗因子，比較接(jie)近實際情況，但考(kao)慮到(dao)不同效(xiao)率(lv)和損耗因子情況下計(ji)算(suan)(suan)(suan)出來的電(dian)感(gan)量會有(you)一定(ding)的偏差，所以這(zhe)里個(ge)人(ren)建議，在(zai)計(ji)算(suan)(suan)(suan)初(chu)級繞(rao)組電(dian)感(gan)量時(shi)用(yong)(yong)儲能(neng)(neng)方(fang)程式(shi)計(ji)算(suan)(suan)(suan)，待計(ji)算(suan)(suan)(suan)完成后(hou)可考(kao)慮用(yong)(yong)脈動(dong)電(dian)流方(fang)程式(shi)進行(xing)簡單的驗證，實際取(qu)電(dian)感(gan)量大小時(shi)，可綜合兩個(ge)計(ji)算(suan)(suan)(suan)公式(shi)計(ji)算(suan)(suan)(suan)出來的值，最后(hou)在(zai)實際調試中(zhong)進行(xing)優化。

這幾天正(zheng)在根據本主題帖的步驟(zou)整理(li)

EXCEL格式的“反激式開(kai)關電源電子設計表格旗艦版”

表格(ge)中有很多地方(fang)目前(qian)仍(reng)在持續(xu)更新中，包(bao)括(kuo)表格(ge)的樣式(shi)，CCM模式(shi)暫時(shi)還未(wei)(wei)考慮進(jin)來，各種(zhong)損耗部分暫未(wei)(wei)添加(jia)等等，后(hou)續(xu)有時(shi)間(jian)持續(xu)更新，先讓大家嘗個鮮

，也(ye)順便一(yi)起驗證(zheng)一(yi)下(xia)。

反激式開關電(dian)源電(dian)子設計表格旗艦版(ban)（持續更新中）.xls

這個表格可是花(hua)了好多心思(si)整理的，希望大家猛烈拍磚和認真驗證下(xia)

目(mu)前發出來是想先讓大家嘗(chang)嘗(chang)鮮，待更新(xin)的部分有(you)：

1.表格中145行(xing)以后的(de)部(bu)分正在(zai)抓(zhua)緊整理(li)和驗證，這(zhe)部(bu)分大家先暫時不要參考；

2.待整合兼容CCM模式(shi)；

3.待增加各(ge)個重要部(bu)分損耗參數；

4.待增加初(chu)級(ji)RCD鉗位電路參數(shu)計算部(bu)分(fen)；

5.待增(zeng)加(jia)次級RC吸收(shou)部分參數計(ji)算部分；

6.待增加(jia)輸出電(dian)容選(xuan)型部(bu)分；

7.待增加反饋環路(lu)參數選擇(ze)部(bu)分；

8.待增加表格樣式的美觀化整(zheng)理；

9.待增加。。。

既(ji)然想做旗艦(jian)版，應該還有好(hao)(hao)多(duo)好(hao)(hao)多(duo)待增加(jia)的(de)部分，后續慢慢來，也(ye)希(xi)望大家多(duo)提意見~

一步(bu)一步(bu)精通單端(duan)反激式開關電(dian)源設計計算工(gong)具V1.0，修正內(nei)容：

1.初(chu)級繞組導線線徑、股數及繞線層數的選擇；

2.次級(ji)繞組導線線徑(jing)、股數及(ji)繞線層(ceng)數的選(xuan)擇。

見附件。

一步一步精通(tong)單端反激式開(kai)關電源(yuan)設計計算公式V1.0.xls

一步(bu)一步(bu)精通單端反激式開(kai)關電源設(she)計(ji)計(ji)算工具V1.1---2015-05-30

修正內容：

表格(ge)現有功能包(bao)括(kuo)次級繞(rao)組相關、變壓器能否繞(rao)制判(pan)斷等進行完善(shan)。

待更新功(gong)能（持續更新中）：

待整合兼容CCM模式；

待增加(jia)各個(ge)重要部分損耗參數；

待增加初級RCD鉗(qian)位電路參數計算部分(fen)；

待增(zeng)加次級(ji)RC吸(xi)收部分(fen)(fen)參數計算部分(fen)(fen)；

待(dai)增加輸(shu)出電容選型部分；

待增加(jia)反饋環路參數選擇部(bu)分；

待增加表格樣式的美觀化整理；

一步(bu)一步(bu)精通單(dan)端反激式開(kai)關(guan)電源設(she)計計算工具V1.1.xls

一步一步精通單(dan)端反(fan)激(ji)式開關電(dian)源設計(ji)計(ji)算工具V1.1與PI EXPERT設計(ji)結果對比（DCM模式）

PI EXPERT設計結(jie)果：

一步(bu)一步(bu)精通單端(duan)反激(ji)式(shi)開關電源設(she)計(ji)計(ji)算工具V1.1與PI EXPERT設(she)計(ji)結(jie)果對比(bi)（DCM模式(shi)）

一(yi)步一(yi)步精通單端反激式(shi)開關電源(yuan)設計(ji)計(ji)算工具(ju)V1.1設計(ji)結果：

”一(yi)步(bu)一(yi)步(bu)精通單端反激式開關電(dian)源設計(ji)計(ji)算工具V1.1“與”PI EXPERT“設計(ji)結果基本上比較吻合，正在(zai)一(yi)步(bu)一(yi)步(bu)細化和驗證中，最新(xin)版本會及時發布。

初步原型(xing)是以(yi)MOS管控制芯片(pian)為基(ji)礎的單端(duan)反激式(shi)開(kai)關電源設計，待這(zhe)塊功能(neng)和性能(neng)完(wan)善后，再(zai)考慮把RCC控制，單端(duan)正激，雙管推挽等其他拓撲(pu)考慮進來，

呵，會一步一步考慮(lv)進來的

至于你說的 “我剛試了(le)一下 做個11W的，實際電容19UF 用表格就是計(ji)算(suan)不(bu)出來”，是這樣的

這里電容的(de)確定(ding)有兩種(zhong)方式，一種(zhong)是先(xian)確定(ding)設計的(de)最低直(zhi)流輸(shu)入(ru)電壓，然(ran)后根據(ju)最低直(zhi)流輸(shu)入(ru)電壓大(da)(da)(da)小(xiao)計算(suan)出所(suo)需(xu)要的(de)電容大(da)(da)(da)小(xiao)；另一種(zhong)方法是先(xian)估算(suan)電容大(da)(da)(da)小(xiao)，然(ran)后選(xuan)擇一個規格比較接近的(de)常用型號，最后通過所(suo)選(xuan)擇的(de)電容大(da)(da)(da)小(xiao)來計算(suan)最低輸(shu)入(ru)直(zhi)流電壓。

表格中是這(zhe)樣計算電容的：

分寬(kuan)壓輸(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)入(ru)(ru)和常(chang)壓輸(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)入(ru)(ru)兩種情(qing)況，如果(guo)是(shi)寬(kuan)壓輸(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)入(ru)(ru)，輸(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)入(ru)(ru)電容大小就(jiu)取(qu)輸(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)出功率的(de)(de)(de)2.5倍(bei)，如果(guo)是(shi)常(chang)壓輸(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)入(ru)(ru)，就(jiu)取(qu)輸(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)出功率的(de)(de)(de)1.2倍(bei)。當(dang)然這只是(shi)理論計算出來的(de)(de)(de)推薦值(zhi)(zhi)，最終還是(shi)會根據實(shi)際(ji)(ji)情(qing)況由用戶輸(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)入(ru)(ru)一個(ge)實(shi)際(ji)(ji)選定(ding)值(zhi)(zhi)，后續的(de)(de)(de)所有計算都是(shi)基于這個(ge)實(shi)際(ji)(ji)選定(ding)值(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)

一(yi)步一(yi)步精通單端反(fan)激式開關電(dian)源設計(ji)計(ji)算(suan)工具V1.2---2015-06-01

修正內容：

增加設計警告突出顯示功能，例

待(dai)更新(xin)功能（持續更新(xin)中）：

1.待(dai)整合兼容(rong)CCM模式；

2.待增加各個重要部分損耗參數；

3.待增加初級RCD鉗位(wei)電(dian)路參數計算(suan)部分；

4.待(dai)增加次級RC吸收部分參數計(ji)算(suan)部分；

5.待(dai)增加輸出電(dian)容選型部分(fen)；

6.待增加反饋環路(lu)參數選擇部分；

7.待增加(jia)表格樣式的美觀化整理(li)；

一步一步精(jing)通單(dan)端反激式(shi)開(kai)關(guan)電源(yuan)設(she)計計算工具V1.2.xls

一步(bu)一步(bu)精(jing)通單(dan)端反激式(shi)開關(guan)電源設計計算(suan)工具V1.3---2015-06-01

修正內容：

修正了部分參數(shu)設計(ji)時的BUG

一步(bu)一步(bu)精通(tong)單端反(fan)激(ji)式開(kai)關電源設計計算工具V1.3.xls

樓主(zhu)講了那么多,主(zhu)要(yao)還(huan)是(shi)(shi)(shi)介紹PI芯片,其實(shi)PI公司的(de)芯片對于大多數市(shi)面(mian)上的(de)小功(gong)率(lv)(lv)開關(guan)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)并不適用,第一是(shi)(shi)(shi)因(yin)(yin)為(wei)價(jia)格(ge),第二是(shi)(shi)(shi)因(yin)(yin)為(wei)備貨(huo)周期.市(shi)面(mian)上區(qu)區(qu)一個(ge)(ge)小功(gong)率(lv)(lv)反激式的(de)開關(guan)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)價(jia)格(ge)只要(yao)8-9元,而PI公司TOP系列的(de)芯片就要(yao)7-8元,這個(ge)(ge)成本是(shi)(shi)(shi)限制PI公司的(de)芯片在小功(gong)率(lv)(lv)開關(guan)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)發展的(de)最大因(yin)(yin)素.

另外(wai)樓上講解的(de)PI公(gong)司的(de)開關(guan)電源的(de)計算其實(shi)不需(xu)要(yao)這么多篇幅,只需(xu)要(yao)將PI公(gong)司的(de)技(ji)術(shu)手冊(ce)上傳(chuan)一份就行了(le),另外(wai)最快的(de)使用PI公(gong)司芯片的(de)方法是使用PI公(gong)司自己開發(fa)的(de)PI開關(guan)電源設計軟件(jian)就行了(le).PIExpert_設計指導(dao).pdf

%20%20PI公司的(de)(de)開關電(dian)源(yuan)設計(ji)軟(ruan)件有(you)一(yi)定的(de)(de)局限性,它只能設計(ji)小功(gong)率的(de)(de)反激式開關電(dian)源(yuan),對(dui)于(yu)大功(gong)率的(de)(de)正激式以及推挽式開關電(dian)源(yuan),只能是愛莫(mo)能助.PI公司的(de)(de)開關電(dian)源(yuan)設計(ji)軟(ruan)件名(ming)稱為PIExpertSuiteSetup,大家百度一(yi)下就知道(dao)了.

%20%20樓主(zhu)如(ru)果(guo)想幫助更(geng)多的(de)菜鳥學習開(kai)關(guan)(guan)電(dian)(dian)源(yuan),最好還是講解一下市面上常用(yong)(yong)的(de)UC系列(lie)以及LD系列(lie)的(de)電(dian)(dian)源(yuan)管理芯片如(ru)何使用(yong)(yong)的(de),以及怎么樣套用(yong)(yong)反(fan)激式開(kai)關(guan)(guan)電(dian)(dian)源(yuan)的(de)計算公(gong)式.我再上傳一份網友根(gen)據<精(jing)通開(kai)關(guan)(guan)電(dian)(dian)源(yuan)設(she)計>一書寫的(de)開(kai)關(guan)(guan)電(dian)(dian)源(yuan)設(she)計軟件(jian)SMPS,SMPSKitV8.5.rar

%20%20樓主(zhu),建(jian)議你像新(xin)月GG,wangchuangchu,以及樂工那樣上點真正的干貨,解讀一(yi)份(fen)技術手冊意(yi)義不是太(tai)大.

呵呵%20是這(zhe)(zhe)樣的(de)，這(zhe)(zhe)篇主題帖本來就是分析小功(gong)率的(de)反激(ji)式開關電源設計方面的(de)，暫(zan)時還沒涉及到正激(ji)及推挽式的(de)拓撲(pu)，后續有時間我會好好研究一下。

本主(zhu)題講解(jie)(jie)的(de)主(zhu)要(yao)目的(de)不是(shi)為(wei)了(le)(le)講解(jie)(jie)PI公(gong)司的(de)芯片而(er)講解(jie)(jie)，更(geng)多(duo)的(de)是(shi)想以這個(ge)入門，講解(jie)(jie)反激式開關電源設計過(guo)程(cheng)中(zhong)(zhong)(zhong)很(hen)多(duo)計算(suan)公(gong)式的(de)推導(dao)過(guo)程(cheng)，計算(suan)過(guo)程(cheng)中(zhong)(zhong)(zhong)需要(yao)掌握(wo)的(de)基礎知(zhi)識以及(ji)設計過(guo)程(cheng)中(zhong)(zhong)(zhong)需要(yao)考慮的(de)綜合因素。用PI%20EXPERT軟(ruan)件做對比，只是(shi)為(wei)了(le)(le)更(geng)好(hao)的(de)去驗證主(zhu)題帖(tie)中(zhong)(zhong)(zhong)涉(she)及(ji)到的(de)理(li)論知(zhi)識和實例。簡單的(de)說，是(shi)想通(tong)過(guo)這篇(pian)主(zhu)題帖(tie)授(shou)之以漁，而(er)不是(shi)簡單的(de)發個(ge)公(gong)式授(shou)之以魚(yu)

樓主對(dui)反饋(kui)環路部分的講解還是不錯的。

您好，不知怎么感覺開關電源要(yao)學的東西太多(duo)了。

開(kai)始(shi)寫這(zhe)個帖子的(de)時(shi)候我也沒感覺要(yao)寫這(zhe)么(me)(me)多(duo)(duo)，寫著寫著就(jiu)這(zhe)么(me)(me)多(duo)(duo)了(le)，呵%20開(kai)關(guan)電源(yuan)要(yao)學的(de)東西還是挺多(duo)(duo)的(de)，不錯(cuo)只要(yao)掌(zhang)握了(le)最基(ji)礎的(de)知識(shi)后，后面的(de)路就(jiu)會輕松很多(duo)(duo)的(de)

當(dang)初學習開關電源的(de)(de)時候(hou)確實(shi)也(ye)有很多的(de)(de)疑惑，最重(zhong)要(yao)的(de)(de)心得體會(hui)就是(shi)永遠不(bu)要(yao)停留在想的(de)(de)層面，想到什么(me)就去驗證自己的(de)(de)想法，只有你去做了，才會(hui)有真正的(de)(de)收貨，尤其是(shi)對于(yu)開關電源這種對實(shi)踐(jian)要(yao)求很強的(de)(de)技術來說，動手很重(zhong)要(yao)。

至于計(ji)算公式(shi)，我覺(jue)得(de)lxd626794倒不必太糾結這(zhe)(zhe)個，雖然各(ge)個書本(ben)上(shang)用的計(ji)算公式(shi)各(ge)不相(xiang)同，但(dan)基(ji)本(ben)上(shang)都是同一(yi)個基(ji)礎公式(shi)演化而(er)來(lai)的，只(zhi)要掌握(wo)了最基(ji)本(ben)的電(dian)(dian)路(lu)原理和最基(ji)本(ben)的電(dian)(dian)路(lu)公式(shi)，其他的就靈活運用就好了。另外(wai)，如果感覺(jue)這(zhe)(zhe)篇帖子寫(xie)的不錯，方便(bian)的話幫(bang)忙在投票區投個票，謝謝了

%20

多謝支持，%20等出差回來后繼續更新~加油加油

樓主你(ni)好，我在(zai)(zai)問(wen)題是(shi)(shi)這樣，如圖是(shi)(shi)用(yong)TNY275PN的(de)方(fang)案做的(de)一(yi)個(ge)開關電(dian)源，設計(ji)的(de)輸(shu)出(chu)為(wei)5V輸(shu)出(chu)，但(dan)(dan)是(shi)(shi)在(zai)(zai)幾次的(de)測試中，發(fa)現在(zai)(zai)基本每(mei)次都是(shi)(shi)工作兩(liang)天后(hou)(hou)，發(fa)現板(ban)子指示不(bu)亮了，剛開始(shi)還以(yi)為(wei)是(shi)(shi)板(ban)子短(duan)路了，TNY275自動(dong)保護了，因(yin)(yin)為(wei)重(zhong)新上(shang)電(dian)后(hou)(hou)，又可以(yi)正(zheng)常工作，但(dan)(dan)是(shi)(shi)最近在(zai)(zai)發(fa)現板(ban)子指示燈不(bu)亮了，通過(guo)萬用(yong)去測輸(shu)出(chu)，發(fa)現只(zhi)有(you)不(bu)到1V的(de)電(dian)壓。但(dan)(dan)是(shi)(shi)重(zhong)新上(shang)電(dian)后(hou)(hou)，又會(hui)恢復正(zheng)常，所以(yi)借此(ci)向你(ni)請教？感(gan)謝！對(dui)于(yu)此(ci)原圖，實際做板(ban)時(shi)，只(zhi)有(you)兩(liang)個(ge)元件參數不(bu)一(yi)樣（因(yin)(yin)為(wei)手上(shang)暫時(shi)沒有(you)，所以(yi)用(yong)現成的(de)替換），一(yi)個(ge)是(shi)(shi)RF1 改成了10歐1W，L3 用(yong)的(de)是(shi)(shi)1mh 0.4A的(de)工字電(dian)感(gan)

一(yi)步一(yi)步精通(tong)單端(duan)反激式開關(guan)電源設計計算工具(ju)V1.4---2015-06-05

修正內容：

修正了部分參數設計時的BUG

修正了表格輸(shu)入變量、中(zhong)間變量、輸(shu)出變量的(de)顏色突出顯示

一步(bu)一步(bu)精(jing)通(tong)單端反激式(shi)開關(guan)電(dian)源設計計算工(gong)具(ju)V1.4.xls

繼續優化：

一步一步精(jing)通單(dan)端(duan)反激式(shi)開(kai)關電源設計計算工具V1.5---2015-06-05

修正內容：

優化了(le)磁芯選擇時的(de)選擇原則；

優化了表(biao)格顯示方(fang)式；

優化了部分設(she)計參(can)數；

對(dui)比網上(shang)流行的主流變壓器設計軟件進行參(can)數確認；

一(yi)步(bu)一(yi)步(bu)精通單端反激式開關電源設計計算工具V1.5.xls

一步一步精(jing)通單(dan)端(duan)反激(ji)式開關電源設計(ji)(ji)計(ji)(ji)算工具(ju)V1.6---2015-06-05

修正內容：

增加了輸出整流(liu)二極管的選擇原則的判斷；

增加了輸出濾波電容的選擇原則(ze)及判斷；

一(yi)步一(yi)步精通單端(duan)反(fan)激式開關電(dian)源(yuan)設計(ji)計(ji)算工具V1.6.xls

繼續優化：

一(yi)步一(yi)步精通單(dan)端反激式開關電(dian)源(yuan)設計計算(suan)工(gong)具(ju)V1.7---2015-06-09

更新內容：

增(zeng)加了初級(ji)RCD鉗(qian)位電(dian)路參數計算部(bu)分(fen)

待更(geng)新(xin)功能（持續更(geng)新(xin)中）：

1.待整合(he)兼容(rong)CCM模(mo)式；

2.待增(zeng)加各(ge)個重(zhong)要部分(fen)損耗參數；

 3.待增加(jia)次級RC吸收部(bu)分(fen)參數(shu)計(ji)算部(bu)分(fen)；

4.待增加反饋(kui)環(huan)路(lu)參數(shu)選擇部分；

一步(bu)一步(bu)精通單端反激式開關(guan)電(dian)源設(she)計計算工具(ju)V1.7.xls

2A輸出(chu)，輸出(chu)整流管是會有點熱(re)的，需要外(wai)加(jia)散熱(re)片(pian)

變壓器發(fa)熱(re)有很多方面的(de)影響了(le)：

看一下變壓(ya)器部分損(sun)耗主要(yao)來自鐵(tie)損(sun)還是磁損(sun)，然后實際中調試下看看；

在選擇(ze)磁芯(xin)的時候(hou)，用的AP法(fa)或(huo)功率查表法(fa)選擇(ze)好磁芯(xin)后是(shi)否有預留一定(ding)的裕量；

電源工(gong)作模(mo)(mo)式(shi)時DCM還是CCM，如(ru)果是CCM模(mo)(mo)式(shi)的話(hua)建議用(yong)AP法選擇好磁芯(xin)后預留2~3倍裕(yu)量(liang)；

有沒有測試過變壓器的具(ju)體溫升是多少，一般40度左右(you)溫升是正常的；

反饋(kui)補償(chang)部分是否合理設計了，可通過電源常規測試指標簡(jian)單驗證下；

變壓器叫囂的(de)話有(you)(you)可(ke)能(neng)變壓器本身設計(ji)有(you)(you)問題，也有(you)(you)可(ke)能(neng)只是(shi)變壓器浸漆(qi)工(gong)藝(yi)沒(mei)做好。

等有空了(le)再深入的剖析下反饋環路

謝謝樓主提出(chu)這(zhe)么(me)多(duo)(duo)建議(yi)，我的(de)(de)是DCM模式的(de)(de)，變壓器(qi)磁芯用的(de)(de)PQ26/25,這(zhe)100多(duo)(duo)W，我的(de)(de)輸出(chu)才(cai)48W。磁芯沒問題。

變壓器自感3.5mH,漏感60uH，初級(ji)125T，次級(ji)10T。三明治(zhi)繞法。

給樓主(zhu)看個波(bo)形(xing)(xing)：圖一是0.3A左(zuo)右(you)輕(qing)載時的驅動(dong)波(bo)形(xing)(xing)。圖二是1.5A時接近滿載驅動(dong)波(bo)形(xing)(xing)，1A左(zuo)右(you)波(bo)形(xing)(xing)很(hen)正(zheng)常。這波(bo)形(xing)(xing)異常回是什么引起的呢？

是否環路部分設計不合理呢？最好上個原理圖看看

Power220_380v.pdf

這是(shi)我(wo)的(de)原理圖，不過(guo)現在波形問題解決了(le)(le)，就是(shi)在UC2844的(de)3、4腳間(jian)接了(le)(le)個101pF的(de)電容。不理解為什么接了(le)(le)這個電容就好了(le)(le)。

目前(qian)變壓器(qi)在響(xiang)，額定工作時，開關(guan)管溫(wen)(wen)度(du)達到70多度(du)（室溫(wen)(wen)30度(du)左(zuo)右），變壓器(qi)溫(wen)(wen)度(du)稍(shao)低(di)些。繼(ji)續(xu)調試(shi)找原(yuan)因，也希望樓主能幫幫忙看(kan)(kan)看(kan)(kan)，給(gei)些指(zhi)導(dao)。

3腳(jiao)和4腳(jiao)沒關聯呀，一(yi)個是(shi)外部振蕩頻率輸(shu)入腳(jiao)，一(yi)個是(shi)過流(liu)檢測輸(shu)入腳(jiao)。。。。

變壓器(qi)響建(jian)議最好(hao)(hao)先排(pai)除工藝問(wen)題先，確認變壓器(qi)浸漆良好(hao)(hao)，然后再從設計上找問(wen)題；

開(kai)關管(guan)溫度(du)達到70多(duo)度(du)，40度(du)的(de)溫升一般很正(zheng)常(chang)了(le)，如果你還想(xiang)降低(di)(di)的(de)話(hua)，可以(yi)考慮使(shi)用更低(di)(di)RDS的(de)MOS管(guan)，或者加大開(kai)關管(guan)外部(bu)散(san)熱片(pian)的(de)類型(xing)和面積(ji)試一下，理論計算散(san)熱片(pian)的(de)話(hua)可以(yi)參考下21樓(lou)和157樓(lou)示例(li)。

1. 3腳(jiao)和4腳(jiao)之間是可以進行斜(xie)率補償的(de)，芯片資(zi)料里提到過，但電路不是一(yi)個電容就了事了；

2. 變(bian)壓器(qi)是打樣的(de)，不過我懷疑變(bian)壓器(qi)的(de)設(she)計(ji)有問題，變(bian)壓器(qi)設(she)計(ji)如下：

輸入：320V~560VAC 開(kai)關頻率：120KHz

輸出：24V、2A 占空比(bi)D：0.45

采(cai)用PQ26/25磁芯 L=3.5mH 初級(ji)125T（0.5mm線(xian)） 次級(ji)10T（0.8mm線(xian)）

變壓(ya)器的匝比是不是太大了，算過來(lai)反射(she)電壓(ya)300多V了。

我(wo)后來自己算了(le)一個(ge)匝比，占空比調到0.3，L=1.265mH ,初級(ji)93（0.5mm線(xian)）, 次級(ji)12T（1.7mm線(xian)）, 次級(ji)的線(xian)徑是不是太粗了(le)？

3. 另外一個就是反(fan)饋(kui)環路的問(wen)題了，是不是把低頻音頻信號放大(da)了，傳到變壓器(qi)把聲音發出來？

關于第2點，問一下(xia)：

1.為什么(me)不考慮使用(yong)雙線(xian)220V電壓輸入呢？

2.你使用(yong)的MOS管開(kai)關的最大BVDSS時多少？

3.你測試時有沒有在使(shi)用調壓器(qi)在最大交流輸(shu)入(ru)電壓下測試呢？

看法：

1.匝(za)比(bi)太大(da)(da)主要(yao)考慮的(de)(de)(de)是你MOS管的(de)(de)(de)電壓應力大(da)(da)小和初級漏感大(da)(da)小，如(ru)果(guo)這兩(liang)個允許的(de)(de)(de)話匝(za)比(bi)大(da)(da)一點倒無(wu)所謂。這里我也覺得(de)匝(za)比(bi)有點問題，初級125T ，次級10T，那(nei)最大(da)(da)輸入電壓情況下(xia)，你的(de)(de)(de)MOS管的(de)(de)(de)BVSS已(yi)經到(dao)了(le)1400多(duo)V了(le)。。。

2.你重(zhong)新算過(guo)的匝比我覺得倒有點合理(li)，當然(ran)前(qian)提是考慮MOS管的耐(nai)壓(ya)應力，不過(guo)你這里取(qu)初級(ji)93, 次(ci)級(ji)12T的話，磁芯(xin)開氣(qi)息就比較大(da)了，磁芯(xin)的邊緣效應會影響效率，建議取(qu)初級(ji)84，次(ci)級(ji)14；

另外，這里(li)的(de)初級和(he)次(ci)級線徑的(de)大(da)小太粗了(le)(le)，考慮到(dao)導線的(de)趨膚(fu)效應，單(dan)股(gu)導線不(bu)能大(da)于0.382mm，可以(yi)采用多股(gu)并繞的(de)方(fang)式，你(ni)這里(li)次(ci)級不(bu)需要1.7mm這么大(da)，太大(da)的(de)話導線電流密度很小，太浪(lang)費了(le)(le)，簡單(dan)算了(le)(le)一下(xia)，次(ci)級等效單(dan)股(gu)線徑1mm左右(you)就夠(gou)了(le)(le)， 可以(yi)采用4股(gu)0.35mm左右(you)的(de)線并饒就好~

繼續優化：

一步(bu)一步(bu)精通單(dan)端反激式開(kai)關電源設計計算工具V1.8---2015-06-15

更新內容：

修復并優化(hua)了初級RCD鉗位電路(lu)參(can)數計算部(bu)分

待更新功能（持續(xu)更新中）：

1.待整(zheng)合兼容(rong)CCM模式；

2.待增加(jia)各個重要(yao)部分損耗參數；

3.待增(zeng)加次(ci)級(ji)RC吸收部分參數計(ji)算部分；

4.待增加反饋環路參數選擇部分；

一步一步精通單端(duan)反(fan)激式開關電源(yuan)設計計算(suan)工具V1.8.xls

二十三、輸出(chu)二極管RC吸收(shou)電(dian)路的參數設計（待驗證）

在學(xue)習輸出(chu)二極管RC吸收電路的參數設計(ji)時，有(you)幸看了下論壇(tan)中CMG大師的帖子，在此(ci)做(zuo)個引用：

~

1.先不加RC，用(yong)電容(rong)(rong)比較低的電壓探頭測出原始(shi)的震蕩頻率(lv)f0。此震蕩是(shi)有L0C0形成的：L0主要是(shi)變壓器(qi)次級漏感(gan)、布線的電感(gan)、二(er)極(ji)管(guan)和(he)輸出電容(rong)(rong)等(deng)效(xiao)ESL； C0主要是(shi)二(er)極(ji)管(guan)節電容(rong)(rong)和(he)變壓器(qi)次級的雜散(san)電容(rong)(rong)；

2.測出(chu)原始震(zhen)蕩(dang)頻率f0后,就可以知(zhi)道要(yao)(yao)加的電阻了(le)。因為要(yao)(yao)阻尼(ni)震(zhen)蕩(dang)，只要(yao)(yao)R=2pif0L0=1/(2πf0C0)=SQRT(L0/C0)就可以了(le)；

3.要(yao)知道L0或C0，由(you)于雜散參數(shu)的影(ying)響，查手(shou)冊是(shi)不準確(que)的，可(ke)以用實驗(yan)的方法(fa)，試著(zhu)在二(er)極(ji)管上面加電(dian)容C，直到震(zhen)蕩(dang)頻率(lv)變(bian)為原(yuan)來的1/2。則原(yuan)來震(zhen)蕩(dang)的C0值(zhi)為所(suo)加電(dian)容C的1/3，可(ke)以算出R值(zhi)了，把(ba)R加到所(suo)加C上,震(zhen)蕩(dang)就可(ke)以大(da)大(da)衰減(jian)(根據原(yuan)來的震(zhen)蕩(dang)頻率(lv),也可(ke)以算出震(zhen)蕩(dang)的L0值(zhi)).這時(shi)適(shi)當(dang)調(diao)整C值(zhi)的大(da)小,直到震(zhen)蕩(dang)基本被抑制,當(dang)然如果C值(zhi)加的很(hen)大(da),會影(ying)響效率(lv).此時(shi)需要(yao)調(diao)整變(bian)壓器結構.

~

由于(yu)本主(zhu)題帖部分的實例未加輸(shu)出(chu)RC吸收電(dian)路，待有(you)空按照CMG的方(fang)法做做試(shi)驗，看下(xia)對輸(shu)出(chu)二極管尖峰的抑制(zhi)效果(guo)和效率(lv)有(you)多大影響，也歡迎大家一起測試(shi)下(xia)。

這得留個(ge)標記啊

這樣設計有問題不？

真的需要(yao)好(hao)好(hao)的靜下心來，不浮不噪的學習(xi)！！！

樓主大大 請教(jiao)個問(wen)題，我設(she)計的一款電源，使用的是LNK625DG，發現變(bian)壓(ya)器(qi)不論(lun)是空載還是滿載，總是能聽到(dao)嘯叫(jiao)，不知道有什么方(fang)法(fa)可以解決

不錯，進(jin)來看看

進來學習(xi)學習(xi)！

學習

感謝分享

設計了一個電(dian)源，總有些毛(mao)病(bing)，看(kan)看(kan)有什么需要注意的嗎

學習

學習

.

贊，謝謝分享

至尊學習帖！

又來(lai)學習了，樓主

這(zhe)兩天在寫“一(yi)步(bu)一(yi)步(bu)詳解(jie)基(ji)于單端反激式(shi)開關電(dian)源的24V鉛酸電(dian)池充(chong)放(fang)電(dian)管理電(dian)路的設計”

歡迎拍磚，持續更(geng)新中，呵(he)呵(he)

不好意思，這塊我也(ye)沒有去深究過，為了(le)(le)追求(qiu)可(ke)靠性，我一(yi)般都是按(an)DCM模式去設計變壓器，但是我也(ye)發現(xian)一(yi)個問題，就是假(jia)設我是按(an)交流220V工作(zuo)條(tiao)件(jian)按(an)DCM模式設計的(de)變壓器，其(qi)實(shi)在寬范圍100多V輸入條(tiao)件(jian)下（其(qi)他器件(jian)的(de)設計裕量足夠的(de)前提下）也(ye)是可(ke)以工作(zuo)的(de)，只不過是工作(zuo)到了(le)(le)CCM模式去了(le)(le)。我也(ye)入門(men)反激式開關電源不久，沒能幫到你，不好意思，希望一(yi)起學習，如(ru)果得到答案(an)了(le)(le)，也(ye)麻煩回復一(yi)下，我也(ye)希望共同學習下。

最近一直忙著寫【我是(shi)工程師第(di)二(er)季】一步一步詳(xiang)解基于單端反激(ji)式開關電源(yuan)的24V鉛酸電池(chi)充放電管(guan)理(li)電路的設(she)計(ji)

有興(xing)趣的話也(ye)可以(yi)看(kan)一下，呵(he)呵(he)！

大牛，您好！請幫(bang)我看(kan)看(kan)我的(de)這個問題(ti)，期待您的(de)回復。。。

能不能把帖子中的資料發來學習學習

TNY278PN電(dian)源不起(qi)振無(wu)電(dian)壓輸出

測(ce)得不能(neng)正常工作的電(dian)源模塊278PN芯(xin)片BP/M引腳電(dian)壓在4.75v左右產品(pin)在入(ru)庫(ku)前老化時都是沒有問題的。入(ru)庫(ku)大概半年左右時間后 部分產品(pin)出現上述現象

應用電路參考的規格書范例設計的。 這么精華的帖子現在才看到，相見恨晚啊 好貼！ 邊試用，邊學習 許多知識好新鮮，我也學習一下 受教了 樓主，下載鏈接是不是刪掉了，沒找到啊

mark 有時間慢慢看 學習了 很仔細

好棒的帖子，謝謝 初次接觸這塊就遇到這么的帖子，感謝樓主。 好帖。 好棒的帖子，謝謝 有時間學習了一下 下載下來，參考和學習 樓主你好,可以發一份(反激開關電源設計計算表格)給我嗎? 非常感謝. 寫的真好。樓主辛苦了！ 下載下來，參考和學習 好貼，要慢慢看才行，MARK ！ 大神講的很詳細呀，小弟佩服 學習和參考了，好設計方案，多參考 大神您好，您寫的資料很詳細，想問下按照這個設計過程能設計出輸出150V/1A的開關電源嗎，看了很多資料設計的單端反激式電源都是5V、12V、24V這種小電壓的，不知道150V這種高壓的能不能用光耦隔離的單端反激式實現呢，我是新手，求指教 **此帖已被管理員刪除** 求大神救我，這個電路已經仿真快一個多月了，總是沒法實現功能，后面還要出pcb，調試呢，感覺快比不了業了，有償指導，跪求 **此帖已被管理員刪除** 不好意思，網絡故障恢復了好幾遍，我不是故意的 重復的內容刪掉了，另外 帖子里不可以有qq哦，站內信發qq吧 恩恩，好的，謝謝啦 應該是可以的，反激本來就是做高壓的吧 很謝謝樓主分享~~~~~~~~~~~~~~~~ 沒看到你的附件，有給我份。謝謝 樓主大公無私，最近正在學習這塊，非常感謝！ 絕世好貼，學到好多東西，感謝樓主無私分享！！！ 這么詳細，學習了 美啊，好美的帖子 如果輸入就為直流24V或48V, 前端的哪些環節可以省去？ 好貼，插個旗子 好貼，學習觀摩 這才是真正的大家!要好好學習！ 學習了 mark 學習學習 感覺好多要請教的 就喜歡這種從頭開始造輪子的帖子~點個攢www 好貼，學習觀摩 有附件下載嗎 感謝群主的分享，非常非常感謝。 哇，好膩害，收藏了慢慢看 太厲害了!這么強大的資料。謝謝！ 厲害啊這帖子···大開眼界 學習和參考了，多謝 學習和參考，多謝 報名參加，學習和參考 大功率電感廠家 |大電流電感工廠 指紋鎖連接無線電子貓眼可視對講方案 雙通道觸摸感應芯片使用介紹 電容式觸摸感應開關，不像裸露在外的按鈕和開關那樣容易受到環境磨損的影響，也不需要像機械那樣需要預留機械部件運動的空間，因此它不僅在外觀上使得產品更漂亮，而且增強了用戶體驗，同時也延長了設備的使用壽命 什么是高頻變壓器？ 什么是高頻變壓器？簡介：高頻變壓器是作為開關電源最主要的組成部分。開關電源一般采用半橋式功率轉換電路，工作時兩個開關三功率電感極管輪流導通來產生100kHz的高頻脈沖波，然后通過高頻變壓器進行降壓，輸 大功率電感 <small id='ho7c3'></small><noframes id='ho7c3'>